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公开(公告)号：KR102226020B1
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：KR1020150029815A
申请日：2015-03-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01P3/08
Abstract: 본 발명은 전송 라인에 관한 것이다. 본 발명의 전송 라인은, 제1 부분에서 제1 폭을 갖고 제2 부분에서 제1 폭보다 작은 제2 폭을 갖는 제1 도전 라인, 제1 부분과 평행한 제3 부분에서 제1 폭을 갖고 제2 부분과 평행한 제4 부분에서 제2 폭을 갖는 제2 도전 라인, 그리고 제1 도전 라인의 제1 부분의 하부 및 제2 도전 라인의 제3 부분의 하부를 제외한 영역에 배치되며, 제1 및 제2 도전 라인들의 하부에서 제1 및 제2 도전 라인들과 평행하게 이격되어 배치되는 도전 플레이트로 구성된다.
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公开(公告)号：KR100937587B1
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：KR1020070129770
申请日：2007-12-13
Applicant: 한국전자통신연구원 , 전북대학교산학협력단
IPC: H01L31/10
Abstract: 광 감지 소자 및 그 형성 방법을 제공한다. 이 소자는 반도체 기판 내에 형성되고, 상부면의 중앙부에 리세스된 영역을 갖는 제1 도핑된 반도체층을 포함한다. 리세스 영역의 내면 상에 제1 진성 반도체층 및 다중 양자 우물층이 차례로 적층된다. 다중 양자 우물층 상에 제2 진성 반도체층이 배치되고, 제2 진성 반도체층 상에 제2 도핑된 반도체층이 배치된다. 제2 도핑된 반도체층은 제1 도핑된 반도체층과 다른 타입의 도펀트로 도핑된다.
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公开(公告)号：KR1020090062483A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：KR1020070129770
申请日：2007-12-13
Applicant: 한국전자통신연구원 , 전북대학교산학협력단
IPC: H01L31/10
CPC classification number: H01L31/10 , H01L31/022425 , H01L31/02366 , H01L31/18
Abstract: A photo detecting device and a method for forming the same are provided to maximize an optical absorption rate by interposing a multi quantum well layer between a first intrinsic semiconductor layer and a second intrinsic semiconductor. A device isolation pattern(102) limiting an active area is arranged in a semiconductor substrate(100). A first doped semiconductor layer(105) with a recessed area(112) is arranged in the active area. A first intrinsic semiconductor layer(115) is arranged in the recessed area. A multiple quantum well(120) is arranged in the upper part of the first intrinsic semiconductor layer and the recessed area. A second intrinsic semiconductor layer is arranged in the upper part of the multiple quantum well layer. A second doped semiconductor layer(130) is arranged in the upper part of the second intrinsic semiconductor layer. The first doped semiconductor layer and the second doped semiconductor layer are doped with the different type dopants.
Abstract translation: 提供一种光检测装置及其形成方法，以通过在第一本征半导体层和第二本征半导体之间插入多量子阱层来最大化光吸收率。 在半导体衬底（100）中布置限制有源区的器件隔离图案（102）。 具有凹陷区域（112）的第一掺杂半导体层（105）布置在有源区域中。 第一本征半导体层（115）布置在凹陷区域中。 多量子阱（120）布置在第一本征半导体层的上部和凹陷区域中。 第二本征半导体层布置在多量子阱层的上部。 第二掺杂半导体层（130）布置在第二本征半导体层的上部。 第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层掺杂有不同类型的掺杂剂。
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公开(公告)号：KR101923730B1
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：KR1020120114259
申请日：2012-10-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/02
CPC classification number: H01S5/3031 , G02B6/12004 , H01S5/021 , H01S5/026 , H01S5/0425 , H01S5/3223 , Y10S438/933
Abstract: 반도체레이저및 그제조방법이제공된다. 반도체레이저의제조방법은, 매립산화층을포함하는기판을제공하는것; 상기매립산화층을식각하여상기기판을노출하는개구부를가지는패턴들을형성하는것; 상기개구부내에게르마늄단결정막을형성하는것; 및상기기판상에상기게르마늄단결정막에인접하는광 결합기를형성하는것을포함한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160107401A
公开(公告)日：2016-09-19
申请号：KR1020150029818
申请日：2015-03-03
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G02B6/423 , G02B6/3644 , G02B6/4239 , G02B6/4249 , G02B7/004 , G02B6/4233
Abstract: 본발명의실시예들에따른광 결합장치는제1 블록부및 상기제1 블록부의일 측면에접하는제2 블록부를포함하는광 섬유블록; 상기광 섬유블록을관통하며, 상기광 섬유블록의하면에서일 끝면(an end surface thereof)이노출되는광 섬유; 상기광 섬유블록하에배치되며, 상면에상기광 섬유의상기일 끝면과대응되도록배치된광 입출력소자를갖는반도체칩; 및상기반도체칩 상에배치되며, 리세스영역을갖는평탄화층을포함하되, 상기반도체칩의하면을기준으로상기제1 블록부의하면은상기제2 블록부의하면보다높은레벨을가지며, 상기제2 블록부의상기하면은상기리세스영역의바닥면과접하며, 상기광 섬유는상기광 입출력소자와광 결합될수 있다.
Abstract translation: 根据本发明的实施例，光耦合装置包括：光纤块，包括与第一块单元的一侧接触的第一块单元和第二块单元; 光纤穿透光纤块，其端面暴露在光纤块的下表面上; 半导体芯片，其布置在所述光纤块的下方，并具有布置成对应于所述光纤的端面的光学输入/输出元件; 以及布置在半导体芯片上并具有凹陷区域的平坦化层。 基于半导体芯片的下表面，第一块单元的下表面具有比第二块单元的下表面更高的电平。 第二块单元的下表面与凹部的底面接触。 光纤可以光耦合到光输入/输出元件。
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公开(公告)号：KR1020160092565A
公开(公告)日：2016-08-05
申请号：KR1020150012809
申请日：2015-01-27
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G02B6/12016 , G02B6/1228 , G02B6/14 , G02B6/12019
Abstract: 본발명은평탄한모드발생장치를제공한다. 평탄한모드발생장치는입력도파로, 상기입력도파로와연결되는이중테이퍼구조및 상기이중테이퍼구조와연결되는입력스타커플러를포함하고, 상기이중테이퍼구조는상기입력도파로및 상기입력스타커플러와동일한제 1 높이를갖는제 1 부분및 평면적으로보아, 상기제 1 부분내에형성되며, 상기제 1 높이보다낮은제 2 높이를갖고상기입력스타커플러에서상기입력도파로를향하는방향으로테이퍼진제 2 부분을포함한다.
Abstract translation: 本发明提供能够输出平顶模式的平板模式控制器。 平面模式控制器包括输入波导，连接到输入波导的双锥形结构和连接到双锥形结构的输入星形耦合器。 双锥形结构包括第一部分，其具有与输入波导和输入星形耦合器的高度相同的第一高度，并且从平面看，形成在第一部分中的第二部分具有低于 第一高度，并从输入星形耦合器到输入波导变细。
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公开(公告)号：KR1020160089927A
公开(公告)日：2016-07-29
申请号：KR1020150009304
申请日：2015-01-20
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L31/022416 , H01L31/03529 , H01L31/1075 , H01L31/1808 , Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/02027 , H01L31/18
Abstract: 본발명은광수신소자에관한것이다. 본발명의실시예에따르면, 기판, 상기기판의상부의제1 도핑영역, 상기기판내에제공되고, 상기제1 도핑영역을둘러싸고상기제1 도핑영역의측면과옆으로이격된링 구조의제2 도핑영역, 상기제1 도핑영역상의광 흡수층, 상기광 흡수층상의컨택층, 상기컨택층상의제1 전극, 및상기제2 도핑영역상의제2 전극을포함하는광 수신소자가제공될수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种光接收装置。 根据本发明的实施例，提供了一种光接收装置，其包括：基板; 在所述基板的上部的第一掺杂区域; 设置在所述衬底中的环结构的第二掺杂区域，被配置为围绕所述第一掺杂区域并且与所述第一掺杂区域的侧表面横向分离; 在第一掺杂区域上的光吸收层; 光吸收层上的接触层; 接触层上的第一电极; 和第二掺杂区上的第二电极。
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公开(公告)号：KR1020140079540A
公开(公告)日：2014-06-27
申请号：KR1020120146842
申请日：2012-12-14
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G02B6/4249 , G02B6/4204 , G02B6/4214
Abstract: An optical receiver module according to the present invention comprises: a demultiplexer for separating a plurality of multiplexed optical signals into respective optical signals; an optical device including a right-angled mirror reflecting individual optical signals transmitted from the demultiplexer, in a perpendicular direction, and a plurality of lenses receiving the reflected optical signals; and a plurality of photodetectors which is spaced apart from the plurality of lenses by a predetermined distance, and converts the individual optical signals into electrical signals. The optical device and the demultiplexer are formed into a combined structure. The distance between the lenses is equal to the distance between the photodetectors.
Abstract translation: 根据本发明的光接收机模块包括：解复用器，用于将多个复用的光信号分离成各自的光信号; 光学装置，其包括反射从多路分解器在垂直方向发送的各个光信号的直角镜和接收反射光信号的多个透镜; 以及与多个透镜间隔开预定距离的多个光电检测器，并将各个光信号转换为电信号。 光学器件和解复用器形成为组合结构。 透镜之间的距离等于光电检测器之间的距离。
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公开(公告)号：KR1020140048463A
公开(公告)日：2014-04-24
申请号：KR1020120114259
申请日：2012-10-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/02
CPC classification number: H01S5/3031 , G02B6/12004 , H01S5/021 , H01S5/026 , H01S5/0425 , H01S5/3223 , Y10S438/933
Abstract: A semiconductor laser and a method of manufacturing the same are provided. A method of manufacturing a semiconductor laser includes providing a substrate which includes a burying oxide layer; forming patterns having an opening part which exposes the substrate by etching the burying oxide layer; forming a Ge single crystal layer in the opening part; and forming an optical coupler which is adjacent to the Ge single crystal layer on the substrate.
Abstract translation: 提供半导体激光器及其制造方法。 制造半导体激光器的方法包括提供包括掩埋氧化物层的衬底; 形成具有通过蚀刻所述掩埋氧化物层而露出所述基板的开口部的图案; 在开口部分形成Ge单晶层; 以及形成与基板上的Ge单晶层相邻的光耦合器。
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