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公开(公告)号：KR100246536B1
公开(公告)日：2000-03-15
申请号：KR1019970043554
申请日：1997-08-30
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G09G3/296
CPC classification number: H03K19/00315 , G09G3/22 , G09G3/28 , G09G3/296 , G09G3/30 , G09G2310/0289 , G09G2310/0291 , G09G2330/02
Abstract: 기체 플라즈마 발광 표시장치(PDP; Plasma Display Panel) 등의 평면 표시장치(FDP; Flat Display Panel) 구동용으로 사용되는 고전압 구동회로는 로직 레벨의 신호를 고전압의 신호로 변환시켜 출력시키는 기능을 한다. 일반적으로 이런 고전압 구동회로에서는 신호가 하이(high) 또는 로우(low) 상태로 유지되는 시간동안 흐르는 정적전류(static current)나 신호가 스위칭하는 과정에서 흐르는 과도전류(transient current)가 흐르게 된다. 이 두 전류의 흐름에 의하여 불필요한 전력소모가 발생하게 된다. 이러한 문제점을 해결하기 위하여 새로운 회로가 많이 개발되어 있으나 지금까지의 회로는 대부분 정적전류를 줄이기 위하여 고안되었다.
그러나, 본 발명에서는 이 구동회로 내에서 인가되는 상보(complementary)형 두 신호의 스위칭 시간을 조절하는 회로를 부가함으로써 과도전류의 흐름을 제거하였다.-
公开(公告)号：KR100241346B1
公开(公告)日：2000-02-01
申请号：KR1019970052164
申请日：1997-10-10
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G09G3/296
Abstract: 본 발명은 평판 디스플레이를 구동시키는 저 소비전력 고전압 디지털 신호 출력회로에 관한 것으로서, 종래의 고전압 디지털 신호출력회로의 레벨변환회로에 부가적인 보완회로로서, N형 및 P형 고전압 소자 모두 동일한 수백 Å의 얇은 게이트 산화막을 사용하는 수평형 이중확산 고전압 소자를 하나씩 더 추가하고, 제 1, 제 2 제너다이오드의 정적 동작전류 제한 및 과도전류의 감소를 위한 전류제한저항과, 상기 전류제한저항에서 제한된 과도전류를 보상하여 스위칭 특성을 개선하는 제 1, 제 2 스피드-업 콘덴서를 더 구성함으로써, 공정 비용을 감소시키고, 소비전력의 감소 및 고속의 스위칭을 할 수 있도록 하여, 고전압 출력회로와 저전압 기능 회로와의 집적화를 더욱 가속화하고, 평판 디스플레이 시스템 및 기타 적용 시스템의 성능을 보다 우수 하게 구현할 수 있고, 더욱 간략한 회로를 구현할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019990050403A
公开(公告)日：1999-07-05
申请号：KR1019970069522
申请日：1997-12-17
IPC: H03B5/02
Abstract: 본 발명은 발진 주파수의 조절범위를 확장할 수 있는 LC 공진형 전압조절 발진기에 관한 것이다. 그 목적은 발진 주파수의 조절범위를 확장할 수 있는 LC 공진형 전압조절 발진기를 제공하는 데에 있다. 그 특징은 자신의 일단이 공급전원에 연결되어 있는 제 1 및 제 2 인덕터와, 자신의 드레인이 그 제 1 인덕터의 타단에 연결되어 있는 제 1 능동소자와, 자신의 드레인이 그 제 2 인덕터의 타단과 그 제 1 능동소자의 게이트에 연결되어 있고, 자신의 게이트가 그 제 1 능동소자의 드레인에 연결되어 있는 제 2 능동소자 및 그 제 1 능동소자와 그 제 2 능동소자 각각의 소스에 자신의 일단이 연결되어 있는 전류전원을 포함하는 LC 공진형 전압조절 발진기에 있어서, 자신의 게이트가 상기 제 1 인덕터의 타단에 연결되어 있고, 자신의 소스와 드레인이 제어전압에 연결되어 있는 제 3 능동소자 및 자신의 게이트가 상기 제 2 인덕터의 타단에 연결되어 있고, 자신의 소스와 드레인이 상기 제어전압에 연결되어 있는 제 4 능동소자를 포함하는 데에 있다. 그 효과는 면적을 줄이고 외부부품의 수를 줄여 가격절감을 이룰 수 있으며, PLL 등에 이용했을 경우 공정변이로 전압조절 발진기의 자체 발진 주파수가 어느 정도 이동하여도 조절할 수 있는 주파수 영역이 넓어 생산성을 높일 수 있다는 데에 그 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR1019990027564A
公开(公告)日：1999-04-15
申请号：KR1019970050032
申请日：1997-09-30
IPC: G11C29/00
Abstract: 본 발명은 집적회로의 바이어스 회로에 관한 것으로서, 최근 CMOS 소자의 디자인 룰이 낮아지면서 아날로그와 많은 디지털 기능이 함께 집적되고, 이러한 이러한 회로에서는 디지털 회로에서 발생하는 잡음에 강하도록 아날로그 회로를 꾸미고 있으며, 그 중 하나를 잡음이 두 입력에 동등하게 작용하여 출력에서는 상쇄가 되는 차동 구조를 갖도록 구성함으로써, 복잡한 궤환 회로를 사용하지 않고도 간단한 저항과 트랜지스터의 매칭 특성을 이용하여 차동회로의 출력 바이어스 전압을 정할 수 있고, 궤환 회로를 사용하지 않기 때문에 회로 크기를 최소화 할 수 있으며, 궤환 회로를 사용하지 않기 때문에 회로의 안정도를 높일 수 있는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR1019980049370A
公开(公告)日：1998-09-15
申请号：KR1019960068071
申请日：1996-12-19
Abstract: 본 발명은 ATM 셀 전송에 기초한 동기식 디지털 계층(SDH)을 집적회로로 구현하는데 효과적인 헤더오류정정(HEC)의 구조에 관한 것으로서, 종래의 155Mbps SDH에서 HEC의 기본적인 구조는 8비트로 구성된 ATM셀을 처리하도록 되었지만 622Mbps SDH에서 ATM셀은 16비트 구조를 가지고 있어 16비트로 구성된 HEC 구조가 필요한 문제가 있으므로 상기 문제점을 해결하기 위해 본 발명의 HEC는 ATM 셀의 헤더 5바이트에서 발생하는 오류를 정정하기 위하여 부호화하고 복호화하는 기능을 수행하며, 이 때 생성다항식 g(x)=x
8 +x
2 +x+1 을 사용함으로써, 5바이트의 셀 헤더에서 발생하는 오류 중 1비트를 정정할 수 있고 다중오류를 검출할 수 있는 능력을 가지고 있으므로 16비트로 구성된 ATM 셀을 처리하기 위한 새로운 HEC 구조를 제시하여 ATM 셀 동기를 맞추는데 효율적인 구조를 가 지고 있다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019980039916A
公开(公告)日：1998-08-17
申请号：KR1019960059034
申请日：1996-11-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03K3/03
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
글리치가 없는 D 플립플롭회로.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
입력신호의 전환시에도 글리치가 발생하지 않도록 하고자 함.
3. 발명의 해결방법의 요지
입력되는 클럭의 제어를 받아 입력된 데이타 값을 반전시키는 입력데이타 래치수단과, 상기 래치수단의 출력 값과 입력되는 클럭의 제어를 받아 출력 데이타 값을 제어하는 제어 신호를 출력하는 수단, 및 상기 제어신호 출력수단의 제어에 의해 저장된 값을 출력하는 수단을 구비한 D 플립플롭회로에 있어서, 상기 래치수단의 출력값이 하이인 경우에 상기 제어신호 출력수단의 출력값에 영향을 미치지 않도록 채널을 차단하고, 상기 래치수단의 출력 값이 로우이고, 입력된 클럭이 로우이면 상기 제어신호 출력수단의 출력값을 하이로 변환시키기 위한 전압값을 제공하는 수단을 더 포함하여 이루어짐.
4. 발명의 중요한 용도
D 플립플롭회로.-
公开(公告)号：KR1019980039485A
公开(公告)日：1998-08-17
申请号：KR1019960058509
申请日：1996-11-27
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G11C5/14
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
집적회로 내장형 공급전원 지연회로.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
그 구조가 단순하고, 커패시턴스 또는 MOS 커패시턴스에서의 전류 방전에 의한 지연 및 음 되돌림(negative feedback)에 의한 재생 동작으로 일정 시점후 매우 안정된 공급전원을 인가하도록 하고자 함.
3. 발명의 해결방법의 요지
공급전압을 충전하는 수단과 전류를 공급하는 수단과 충전수단의 출력값을 반전시키는 수단과 반전수단의 출력 값에 의해 제어되어 전류공급수단의 출력을 스위칭하는 수단과 스위칭수단의 제어를 받아 충전수단의 출력 값을 방전시키는 전류반복수단과 반전수단의 출력값에 의해 제어되어 충전수단의 출력 값을 접지전위로 변환시키는 전위값 변환수단, 및 반전수단의 출력값을 입력받아 반전, 비반전된 신호를 출력하는 버퍼링수단을 구비함
4. 발명의 중요한 용도
안정된 공급전원을 요하는 집적회로에 이용됨.-
公开(公告)号：KR1019960039598A
公开(公告)日：1996-11-25
申请号：KR1019950009259
申请日：1995-04-19
Applicant: 한국전자통신연구원
Inventor： 송원철
IPC: H03F3/00
Abstract: 본 발명은 고주파 회로의 설계시 제공되는 바이어스 회로에 관한 것으로 특히, 고주파 증폭기를 구성하는 트랜지스터(M3)의 게이트단에 게이트단이 연결되고 소스단이 접지단과 연결되어 상기 트랜지스터(M3)에 바이어스 전압을 제공하는 제2트랜지스터(M2)와, 상기 제2트랜지스터(M2)의 드레인단에 일단이 연결되어 바이어스 전압의 크기를 자신의 저항값으로 설정하는 제2저항(R2)과, 상기 제2트랜지스터(M2)의 드레인단이 비반전입력단에 연결되고 출력단이 상기 제1저항(R1)과 제2저항(R2)의 다른 일단에 연결되어지고 상기 제2트랜지스터(M2)의 게이트단에 연결되는 OP 앰프(OP)와, 상기 OP 앰프(OP)의 출력단에 일단이 연결되는 매우 큰 저항값을 갖는 제1저항(R1) 및 소스단이 접지단과 연결되고 드레인과 게이트단이 공통으로 연결되어 있으며 상기 제1저항(R1) 다른 일단이 연결되어 있는 상기 드레인단이 상기 OP 앰프(OP)의 반전입력단에 연결되어 제1저항(R1)을 통하여 미소의 바이어스 전류를 공급받아 상기 OP 앰프(OP)의 문턱전압을 제공하는 제1트랜지스터(M1)를 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 바이어스 회로를 제공하여 상기 제2저항(R2)을 외부 저항으로 사용하는 경우 매우 정밀하게 AC 임피던스를 조정할 수 있다는 사실을 알 수 있다.
또한, △V를 발생시키는 회로가 두개의 MOS 트랜지스터를 사용하여 구성하기 때문에 온도의 변화나 제조공정의 변화에 별 영향을 받지 않기 때문에 외부변화에도 강한 특성을 갖는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1019960027315A
公开(公告)日：1996-07-22
申请号：KR1019940036368
申请日：1994-12-23
IPC: H03K19/00
Abstract: 본 발명은 따른 전류형 차동 논리회로는 전류원, 두개의 NMOS회로 및 부하로 구성된다.
두개의 NMOS회로 중 하나는 일반적인 스태틱 CMOS논리회로의 NMOS부분과 동일하며, 다른 하나는 일반적인 스태틱 CMOS논리회로의 PMOS를 동일한 기능을 갖도록 NMOS로 대치한 것이다.
부하로 저항 혹은 PMOS 등으로 구성되며 논리신호는 차동신호이다.
전류형 차동 논리회로에서 V
DD 전원에서 V
SS 로 전류원에 의한 일정한 전류가 흐르기 때문에 출력단의 상태 변화시 전류 스파이크가 종래의 회로에 비해 매우 개선된다.-
公开(公告)号：KR1019960027259A
公开(公告)日：1996-07-22
申请号：KR1019940035159
申请日：1994-12-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03G3/20
Abstract: 본 발명은 고주파수에서 큰 가변 이득을 갖는 증폭기 설계에 있어서 비교적 높은 주파수 대역(수백 MHz-수GHz)에서 큰 가변 이득을 갖고 있어서 자동전압제어(AGC)의 가변 증폭부에 이용될 수 있는 고주파수 가변이득 제어 증폭기에 관한 것으로, 증폭기의 바이어스 소오스를 위한 전류 소오스와 연결된 트랜지스터와 AC 커플링용 캐패시터와 이득 제어용 소자 저항 및 가변 이득용 트랜지스터로 구성되어 자동전압제어회로의 가변이득 증폭부 회로에 응용될 수 있을 뿐만 아니라, 다단 증폭부에서 각 단 증폭부 사이에 AC 결합용 캐패시터를 삽입할 필요가 없으며, 또한 종래의 회로를 사용시 DC 증폭의 포화 상태를 저지하기 위한 DC 피드백 회로가 필요없으므로 외부의 연결해야 할 비교적 용량이 큰 소자들의 수를 감소시켜 주변 회로없이 직접 각 단을 다단 속 연결하여 설계할 수 있는 효과로 인하여 직접회로에서 고주파수 가변 증폭 회로에 이용되어 간단하게 구현될 수 있게 되었다.
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