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公开(公告)号：KR101408096B1
公开(公告)日：2014-06-17
申请号：KR1020100070106
申请日：2010-07-20
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명에 따른 통신 시스템의 자동 이득 제어 방법은, 제 1 송수신기 및 제 2 송수신기 사이의 통신 거리를 측정하는 단계, 및 상기 측정된 통신 거리에 따라 상기 제 1 및 제 2 송수신기들 각각의 송수신단의 이득 값을 제어하는 단계를 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020100088122A
公开(公告)日：2010-08-06
申请号：KR1020100070106
申请日：2010-07-20
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H04B1/14 , H03G3/20 , H04B17/318
Abstract: PURPOSE: An automatic gain controller, transmitter having its, and automatic gain controlling method thereof are provided to control a variable gain amplifier through using communications distance. CONSTITUTION: The communications distance between a second transceiver(200) and a first transceiver(100) are measured. The gain values of a transmitting terminal and a receiving terminal in the first and second transceivers are controlled the measured communications distance. The measured communications distance is calculated by using a transmission time of a distance measurement signal.
Abstract translation: 目的：提供自动增益控制器，发射机及其自动增益控制方法，以通过使用通信距离来控制可变增益放大器。 构成：测量第二收发器（200）和第一收发器（100）之间的通信距离。 第一和第二收发器中的发送终端和接收终端的增益值被控制在测量的通信距离。 通过使用距离测量信号的传输时间来计算测量的通信距离。
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公开(公告)号：KR100687706B1
公开(公告)日：2007-02-27
申请号：KR1020030097756
申请日：2003-12-26
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03F3/45
CPC classification number: H03F3/45188 , H03F3/45659 , H03F3/45717 , H03F2203/45356 , H03F2203/45394 , H03F2203/45574
Abstract: 본 발명은 신호의 DC옵셋성분이 제거되고 비대칭성이 개선되는 트랜스컨덕터에 관한 것이다. 간단한 회로구성의 증폭기들과 공통모드제어 DC옵셋제거회로에 의해서 상기 목적은 달성된다. 본 발명의 트랜스컨덕터는, 이전단에서 발생된 DC옵셋신호나 설계회로의 비대칭성으로 인한 신호의 비대칭으로 때문에 입출력노드에 걸리는 DC전압이 안정화되지 않고 과포화상태를 만들기 때문에 신호왜곡을 초래하거나 회로 오동작을 유발하게 된다. 이를 방지하기 위하여 본 DC옵셋 영향이 작은 트랜스컨덕터는 입출력 전압을 입력받아 전류공급과 출력DC값을 일정한 값으로 안정화하는 공통모드제어 DC옵셋제거회로부 트랜스컨덕터 회로내 비대칭성을 줄이고 출력저항 증가를 목적으로 하는 제1증폭부, 제2증폭부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
OTA, 고선형, 고출력저항, DC옵셋전압, 비대칭성-
公开(公告)号：KR100652899B1
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：KR1020030097262
申请日：2003-12-26
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04B1/40
Abstract: 본 발명은 RF 프론트-앤드(front-end) 송수신기에 관한 발명이다. 특히, 주파수 합성기 제어에 의해 신호처리 주파수 밴드의 재구성이 가능한 직접 변환 RF 프론트-앤드 송수신기 및 그 구성요소들에 관한 것이다.
본 발명은 RF 프론트-앤드 수신기, 기저대역 처리기 및 RF 프론트-앤드 송신기를 포함하는 송수신기에 있어서, 상기 RF 프론트-앤드 수신기는 발진기, 수신 증폭기 및 수신 믹서를 포함하고, 상기 RF 프론트-앤드 송신기는 송신 믹서 및 송신 증폭기를 포함하고, 상기 발진기는 주파수 제어신호에 의하여 출력 주파수가 제어되고, 상기 수신 증폭기, 수신 믹서, 송신 믹서, 송신 증폭기 중 적어도 하나는 상기 주파수 제어신호에 의하여 공진 주파수가 제어되는 송수신기를 제공한다. 또한 이 송수신기에 사용될 수 있는 구성요소들을 제공한다.
본 발명에 의한 직접 변환 RF 프론트-앤드 송수신기 및 그 구성요소들은 안테나로부터 입력되는 여러 주파수 대역에 대해서 공진 주파수를 가변할 수 있도록 함으로써, 한 개의 시스템 하드웨어로 멀티 밴드 또는 광대역의 신호 주파수를 처리할 수 있 한다는 장점이 있다.
송수신기, 직접 변환, 증폭기, 믹서, RF 프론트-앤드.-
公开(公告)号：KR100613180B1
公开(公告)日：2006-08-17
申请号：KR1020010038011
申请日：2001-06-29
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/04
Abstract: 본 발명은 주파수 대역에서 직렬 저항 손실이 적고, 기판으로의 손실을 저감시키고, 저 잡음 증폭기나 전압제어 발진기나 정합 회로, 대역 통과 회로에 사용함에 있어 높은 충실도로 인해 낮은 잡음 지수나 원하지 않는 신호를 감쇄시키므로, 집적화되지 못한 부품들을 다른 회로들과 같이 집적화할 수 있어 높은 성능을 가지면서 가격의 부담을 낮출 수 있는 다층 금속 인덕터에 관한 것이다.
본 발명은 반도체 기판 상의 제1 절연층에 형성되고 외부와 전기적으로 연결되는 제 1 금속 배선; 상기 제 1 절연층 상의 제 2 절연층에 형성되고, 상기 제 1 금속 배선과 비아 홀(Via Hole)로 연결되는 제 2 금속 배선; 및 상기 제 2 금속 배선과 동일한 형태를 가지고, 상기 제 2 금속 배선 상에 순차적으로 적층되며, 각각이 비아 홀로 연결되는 하나 이상의 금속 배선; 을 포함하고, 상기 제 2 금속 배선의 폭은 상기 하나 이상의 금속 배선의 폭보다 좁은 것을 특징으로 하는 다층 금속 인덕터를 제공한다.
인덕터, 금속층, 배선폭, 직렬저항, 고주파 집적회로-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100576542B1
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：KR1020010047547
申请日：2001-08-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01F27/25
Abstract: 본 발명은 높은 충실도(Quality; Q)를 갖는 집적형 인덕터에 관한 것으로, 본 발명의 집적형 인덕터는 일방향으로 감긴 나선형 제 1 라인과 접점을 통해 상기 제 1 라인에 접속되며 상기 제 1 라인에 인접하여 역방향으로 감긴 나선형 제 2 라인으로 이루어진 하나의 금속배선으로 구성되며, 상기 제 1 라인과 제 2 라인에 서로 다른 반대 방향의 전류가 흐르도록 하여 반대 방향의 자기장이 발생하므로 전체적인 인덕터의 자기장이 상쇄되어 기판으로 영향을 주는 자기장의 성분이 감소한다.
인덕터, 금속배선, 충실도, 나선형, 자기장-
公开(公告)号：KR100528145B1
公开(公告)日：2005-11-15
申请号：KR1020020081680
申请日：2002-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03L7/097
Abstract: 본 발명은 전압제어발전기가 내장되어 저전력을 구현하면서도 다중밴드 시스템에 적합한 주파수 합성기를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 다중밴드용 주파수 합성기는 주파수/위상 검출기, 전하펌프 회로, 저역통과필터, 전압제어발진기, 밴드선택용 나누기 회로, 채널선택용 나누기 회로를 포함한다.
밴드선택용 나누기회로는 전압제어 발진기의 전압제어 주파수를 밴드 선택비로 나누어 원하는 밴드 주파수를 출력하고, 채널선택용 나누기 회로는 밴드 선택용 나누기 회로로부터 출력되는 밴드 주파수를 채널 선택비로 나누어 주파수/위상 검출기에 입력되는 피드백 주파수를 생성한다.-
公开(公告)号：KR100507522B1
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：KR1020020081679
申请日：2002-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03L7/08
Abstract: 본 발명은 주파수/위상 검출기의 리셋을 위한 지연신호에 삽입되는 지연시간을 최소화하기 위해, 제작 공정이나 온도 등 여러 가지 변화 조건에 따라 주파수/위상 검출기와 전하펌프 회로의 전달 지연 시간이나 전류 스위칭 시점 등의 변화를 정확히 예측하여 주파수/위상 검출기의 리셋을 위한 지연신호에 삽입되는 지연 시간을 반영한다. 본 발명의 따른 주파수 합성기는 기준 주파수와 전압제어발진기로부터 피드백되어 입력되는 제1 주파수를 수신하여, 기준 주파수와 제1 주파수에 대응하여 제1 제어신호 및 제2 제어신호를 출력하는 주파수/위상 검출기; 주파수/위상 검출기로부터 출력되는 제1 제어신호 및 제2 제어신호에 응답하여, 저역통과필터로 들어가는 제1 전류와 저역통과필터로부터 나오는 제2 전류를 출력하는 전하펌프 회로; 및 전하펌프 회로의 제1 전류와 제2 전류가 동시에 흐르는 시점을 검출하고, 검출된 시점에 주파수/위상 검출기를 리셋시키기 위한 지연신호를 주파수/위상검출기에 출력하는 전류검출기를 포함하며, 상기 전하펌프 회로는, 제1 전류 및 제2 전류를 흐르게 하는 전류 셀; 및 전류 셀에 흐르는 제1 전류와 제2 전류를 복제한 전류 복제 회로를 포함한다.
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9.发明公开
公开(公告)号：KR1020050026668A
公开(公告)日：2005-03-15
申请号：KR1020030063402
申请日：2003-09-09
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03F3/45
CPC classification number: H03F1/3211 , H03F2200/331
Abstract: A high linearity and low distortion method of a triode region type transconductor and a triode region type transconductor circuit adopting the high linearity and low distortion method are provided to reduce signal distortion by maintaining a constant transconductance in a linear region through MOS(Metal Oxide Semiconductor) transistors connected to each other through their source terminals. A first transconductor circuit is comprised of a first MOS transistor(M1), a third MOS transistor(M3) connected in serial to the first MOS transistor(M1), a first current source(514) connected to the third MOS transistor(M3), and a first resistor arranged between the first MOS transistor(M1) and a ground. The first MOS transistor(M1) operates in a triode region by an input voltage inputted through a gate terminal. A second transconductor circuit is comprised of a second MOS transistor(M2), a fourth MOS transistor(M4) connected in serial to the second MOS transistor(M2), a second current source(524) connected to the fourth MOS transistor(M4), and a second resistor arranged between the second MOS transistor(M2) and a ground. The second MOS transistor(M2) operates in the triode region by an input voltage inputted from a gate terminal.
Abstract translation: 提供采用高线性和低失真方法的三极管型跨导体和三极管型跨导体电路的高线性度和低失真方法，以通过MOS（金属氧化物半导体）在线性区域中保持恒定的跨导来减少信号失真， 晶体管通过其源极端子彼此连接。 第一跨导电路包括与第一MOS晶体管（M1）串联连接的第一MOS晶体管（M1），第三MOS晶体管（M3），连接到第三MOS晶体管（M3）的第一电流源（514） 以及布置在第一MOS晶体管（M1）和地之间的第一电阻器。 第一MOS晶体管（M1）通过通过栅极端子输入的输入电压在三极管区域中工作。 第二跨导电路包括与第二MOS晶体管（M2）串联连接的第二MOS晶体管（M2），第四MOS晶体管（M4），连接到第四MOS晶体管（M4）的第二电流源（524） 以及布置在第二MOS晶体管（M2）和地之间的第二电阻器。 第二MOS晶体管（M2）通过从栅极端子输入的输入电压在三极管区域中工作。
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公开(公告)号：KR1020040080727A
公开(公告)日：2004-09-20
申请号：KR1020030015684
申请日：2003-03-13
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01F21/00
Abstract: PURPOSE: A variable inductor is provided to allow the inductor to be adopted to a matching circuit network or an LC resonance circuit network by continuously varying inductance values in accordance with a control signal or a variable signal. CONSTITUTION: A variable inductor comprises an input terminal(110) and an output terminal(150) formed on a substrate(100); inductors(210,230) interposed between the input terminal and the output terminal on the substrate; main paths(190) for serially connecting the inductors; sub paths(300) for directly connecting the main paths between the inductors and the input and output terminals, respectively; and MOSFET switches(350) interposed between the main paths and the sub paths, and which continuously vary inductance values in accordance with the on/off variation of a control voltage.
Abstract translation: 目的：提供可变电感器，以通过根据控制信号或可变信号连续改变电感值，使电感器被采用到匹配电路网络或LC谐振电路网络。 构成：可变电感器包括形成在基板（100）上的输入端子（110）和输出端子（150）。 插入在基板上的输入端子和输出端子之间的电感器（210,230） 用于串联连接电感器的主路径（190） 子路径（300），用于分别直接连接电感器和输入和输出端子之间的主路径; 和MOSFET开关（350），其插入在主路径和子路径之间，并且根据控制电压的开/关变化连续地改变电感值。
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