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公开(公告)号：KR1020040088837A
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：KR1020030023213
申请日：2003-04-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/10
CPC classification number: H01L45/06 , H01L45/1226 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1683 , H01L45/1691
Abstract: PURPOSE: A phase change memory element and a method for manufacturing the same are provided to accomplish low power operation and to improve uniformity by controlling the volume of a phase change region according to the thickness of the first electrode. CONSTITUTION: Electrode patterns(20,30) are formed on the first insulating layer(10). The second insulating layer(50) is formed on the electrode patterns. A contact hole is formed to isolate the first electrode(41) for using the electrode pattern as a heating layer and the second electrode(42) through the second insulating layer and the electrode pattern. A memory layer(65) made of phase change material is formed to contact the sides of the first and second electrode in the contact hole.
Abstract translation: 目的：提供相变存储元件及其制造方法，以通过根据第一电极的厚度控制相变区域的体积来实现低功率操作和改善均匀性。 构成：在第一绝缘层（10）上形成电极图案（20,30）。 第二绝缘层（50）形成在电极图案上。 形成接触孔，以将第一电极（41）用作电极图案作为加热层，而第二电极（42）穿过第二绝缘层和电极图案。 形成由相变材料制成的记忆层（65），以与接触孔中的第一和第二电极的侧面接触。
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公开(公告)号：KR100377183B1
公开(公告)日：2003-03-26
申请号：KR1020000063959
申请日：2000-10-30
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G11C11/22
Abstract: PURPOSE: A single transistor ferroelectric memory and a method for driving the same are provided to prevent a write disturbing effect of a non-selected cell by a word line. CONSTITUTION: A main control portion(50) is used for generating basic control signals of a single transistor ferroelectric memory. A word line control portion(52) and a source line control portion(53) are used for selecting particular cells according to input addresses and generating voltages for selected cells. A read voltage generation portion(51) is used for generating a read voltage when a read operation is performed. A word line selection portion(54) is used for applying selectively the voltage to the selected word line. A multitude of word line, a multitude of bit line, a source line, and a ferroelectric transistor are formed on a memory cell array(55). A bit line control portion(56) is used for determining a type of memory output. A sense amplifier portion(57) is used for sensing the voltage of the selected cell and the voltage of non-selected cell when the read operation is performed.
Abstract translation: 目的：提供一种单晶体管铁电存储器及其驱动方法，以防止字线对非选择单元的写入干扰效应。 构成：主控制部分（50）用于产生单个晶体管铁电存储器的基本控制信号。 字线控制部分（52）和源极线控制部分（53）用于根据输入地址选择特定的单元并为所选单元产生电压。 读取电压产生部分（51）用于在执行读取操作时产生读取电压。 字线选择部分（54）用于选择性地向所选字线施加电压。 在存储单元阵列（55）上形成多个字线，多个位线，源极线和铁电晶体管。 位线控制部分（56）用于确定存储器输出的类型。 感测放大器部分（57）用于在执行读取操作时感测所选单元的电压和未选单元的电压。
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公开(公告)号：KR1020010056537A
公开(公告)日：2001-07-04
申请号：KR1019990058026
申请日：1999-12-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G11C11/22
CPC classification number: G11C11/2275 , G11C5/063 , G11C11/2253
Abstract: PURPOSE: A ferroelectric memory device having a unit ferroelectric transistor is provided to select and program one unit cell independently when the unit memory cell is to be programmed to "the first state" or to "the second state". CONSTITUTION: The ferroelectric memory device includes a plurality of unit memory cells(10,20,30,40,50,60) which are arranged in a matrix formation with the plurality of word lines(WL1...WLn) in a column direction and the plurality of bit lines(BL1...BLm) and source lines(SL1...SLm) is row direction are interconnected. Each of the unit memory cell includes a unit ferroelectric transistor which is coupled between the source line and the bit line and whose gate is coupled with the word line. The well of the unit ferroelectric transistor is coupled with one common well line in a row direction and connected in a way to be electrically isolated from another common well line of other adjacent wells. The source or drain of the unit ferroelectric transistor is coupled in common with the bit line or the source line in a row direction.
Abstract translation: 目的：提供具有单位铁电晶体管的铁电存储器件，以在单元存储器单元被编程为“第一状态”或“第二状态”时独立地选择和编程一个单位单元。 构成：铁电存储器件包括多个单元存储单元（10,20,30,40,50,60），其以列方向与多个字线（WL1 ... WLn）以矩阵形式布置 并且多个位线（BL1 ... BLm）和源极线（SL1 ... SLm）是行方向互连。 每个单元存储单元包括单元铁电晶体管，其耦合在源极线和位线之间，并且其栅极与字线耦合。 单元铁电晶体管的阱与行方向上的一条公共井线连接，并以与其它相邻井的另一条公用井线电隔离的方式连接。 单位铁电晶体管的源极或漏极与位线或源极线在行方向上共同耦合。
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公开(公告)号：KR102231471B1
公开(公告)日：2021-03-25
申请号：KR1020160101507
申请日：2016-08-09
Applicant: 고려대학교 산학협력단 , 한국전자통신연구원
Abstract: 메타물질구조체는제1 나노입자(nano particle), 및제1 나노입자와다른물질을포함하는제2 나노입자를포함하되, 제1 및제2 나노입자들은서로인접하여, 서로전자기적으로커플링된다.
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公开(公告)号：KR1020170124946A
公开(公告)日：2017-11-13
申请号：KR1020160164670
申请日：2016-12-05
Abstract: 금속재료토출장치는그 내부에고체금속재료가제공되는수용공간을갖는실린더, 실린더의하단으로부터연장되는노즐, 실린더의외측면상에제공되고, 고체금속재료를용융시켜액체금속재료를형성하는상부코일, 및노즐의외측면상에제공되어, 액체금속재료의토출형상을제어하는제1 하부코일을포함한다.
Abstract translation: 金属材料喷射装置具有上部线圈以形成液态金属喷嘴，设置在所述滚筒的外表面上，以熔化从气缸延伸的实心金属材料，其具有容纳空间的圆筒的下端，其中固体金属材料设置在其中 设置在喷嘴外表面上的第一下线圈用于控制液态金属材料的排出形状。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170040070A
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：KR1020160026587
申请日：2016-03-04
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/027 , H01L21/768 , H01L21/02 , H01L21/288 , G03F7/00
Abstract: 금속스탬프제조방법은패터닝된기판의상면상에금속입자를포함하는나노잉크를코팅하는것, 나노잉크를경화하여, 시드막을형성하는것, 및시드막상에전기도금공정을이용하여스탬프몸체를형성하는것을포함하되, 코팅공정은대기압하에서수행되고, 시드막은전기도금공정의시드층이다.
Abstract translation: 金属冲压制造方法包括haneungeot涂布含有所述图案化衬底的服装的一侧上的金属颗粒中的纳米油墨，以固化纳米油墨，使用电镀工艺来形成haneungeot氧化膜，氧化膜形成的印章本体 涂覆过程在大气压力下进行，并且种子膜是电镀过程的种子层。
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公开(公告)号：KR1020160121771A
公开(公告)日：2016-10-20
申请号：KR1020150188759
申请日：2015-12-29
Abstract: 3D 프린팅용금속소재는공융금속(eutectic metal)을포함하는얼로이(alloy), 및금속입자를포함하며, 얼로이의융점은 100 ℃내지 300 ℃이며, 금속입자의융점은 300 ℃초과이다.
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公开(公告)号：KR1020160119310A
公开(公告)日：2016-10-13
申请号：KR1020150046855
申请日：2015-04-02
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 기판, 및상기기판상에교대로반복적층된금속층들및 절연층들을포함하는메타물질구조체들을포함하는광필터를제공한다. 상기메타물질구조체들은서로동일한폭을가지며, 일방향을따라서로동일한간격으로상호이격될수 있다. 상기메타물질구조체들각각은여과하고자하는주파수대역에서음의굴절률을갖도록구성될수 있다.
Abstract translation: 提供了一种光学滤波器，其包括基板和在基板上交替重复分层的金属层和绝缘层的超常材料结构。 超材料结构具有相同的宽度并且可以沿着一个方向以相等的间隔彼此间隔开。 每个超材料结构可以被配置为在待滤波的频带中具有负折射率。
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公开(公告)号：KR1020160092324A
公开(公告)日：2016-08-04
申请号：KR1020150012812
申请日：2015-01-27
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본발명은전극제조방법및 그전극을이용한커패시터제조방법에관한것이다. 본발명의실시예에따르면, 제1 기판상에적층된그래핀막들을형성하는단계, 상기그래핀막들을상기제1 기판에서분리하는단계, 상기그래핀막들을절단하여그래핀전극부들을형성하는단계, 및상기그래핀전극부들을제2 기판에전이시키는단계를포함하고, 상기그래핀전극부들은상기제2 기판의상부면과교차하는전극제조방법이제공될수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及电极的制造方法以及使用该电极的电容器的制造方法。 根据本发明的实施例，电极的制造方法包括：形成层叠在第一基板上的石墨烯层的步骤，将石墨烯层与第一基板分离的工序;通过切断石墨烯电极部件的工序; 石墨烯层，以及将石墨烯电极部分传输到第二基板的步骤。 石墨烯电极部分与第二基板的上表面交叉。 因此，可以提供具有优异电化学特性的电容器。
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公开(公告)号：KR1020160071511A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：KR1020140178242
申请日：2014-12-11
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본발명은자외선차단필름및 그의제조방법을제공한다. 본발명에따른자외선차단필름은투명기판, 상기투명기판상에형성된자외선흡수층및 상기자외선흡수층상에형성된나노구조를포함할수 있다. 상기자외선흡수층과상기나노구조는같은물질일수 있다.
Abstract translation: 提供一种UV保护膜及其制造方法。 根据本发明，UV保护膜包括：透明基板; 形成在所述透明基板上的紫外线吸收层; 以及形成在UV吸收层上的纳米结构。 UV吸收层和纳米结构可以由相同的材料制成。 本发明提供了一种紫外线保护膜，其保护用户免受紫外线的影响，并且在一定范围内具有低反射率和高透光率的光。
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