公开(公告)号：DE102013110114A1

公开(公告)日：2015-04-02

申请号：DE102013110114

申请日：2013-09-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MOOSBURGER JÜRGEN ,  STOLL ION ,  SCHWARZ THOMAS ,  SINGER FRANK ,  DIRSCHERL GEORG ,  HÖPPEL LUTZ

IPC: H01L33/60 ,  H01L33/52

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauteil angegeben, mit – einem optoelektronischen Halbleiterchip (1) umfassend einen lichtdurchlässigen Träger (10), eine Halbleiterschichtenfolge (11) auf dem lichtdurchlässigen Träger (10) und elektrische Anschlussstellen (12) an der dem lichtdurchlässigen Träger (10) abgewandten Unterseite der Halbleiterschichtenfolge (11), – einem lichtdurchlässigen Umhüllungsmaterial (3), das den optoelektronischen Halbleiterchip (1) stellenweise umschließt, und – Partikeln (41) eines lichtstreuenden und/oder lichtreflektierenden Materials, wobei – die Unterseite der Halbleiterschichtenfolge (11) frei vom lichtdurchlässigen Umhüllungsmaterial (3) ist, und – die Partikel (41) die Unterseite der Halbleiterschichtenfolge (11) und eine Außenfläche des Umhüllungsmaterials (3) stellenweise bedecken.

公开(公告)号：DE102013104195A1

公开(公告)日：2014-10-30

申请号：DE102013104195

申请日：2013-04-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： DIRSCHERL GEORG

IPC: H01L33/56 ,  H01L33/58

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Erzeugen einer ersten Lage eines polymeren Materials, zum Aufbringen von Kristallen auf eine Oberfläche der ersten Lage, und zum Erzeugen einer zweiten Lage eines polymeren Materials auf der Oberfläche der ersten Lage.

公开(公告)号：DE102012217776A1

公开(公告)日：2014-06-12

申请号：DE102012217776

申请日：2012-09-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERRMANN SIEGFRIED ,  DIRSCHERL GEORG ,  HAHN BERTHOLD

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/44

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements (201), umfassend: – Bereitstellen (101) eines Aufwachssubstrats (301), auf welchem eine Halbleiterschichtenfolge (203) umfassend eine aktive Zone (205) zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung angeordnet ist, – Anordnen (103) eines Hilfsträgersubstrats (321) einer dem Aufwachssubstrat (301) gegenüberliegenden ersten Oberfläche (320) der Halbleiterschichtenfolge (203), – Entfernen (105) des Aufwachssubstrats (301), – Bilden (107) einer die Halbleiterschichtenfolge (203) mechanisch stabilisierende Konverterschicht (207) zum Konvertieren einer Wellenlänge zumindest eines Teils der mittels der aktiven Zone (205) erzeugten elektromagnetischen Strahlung in eine von der Wellenlänge verschiedenen anderen Wellenlänge auf einer der ersten Oberfläche gegenüberliegenden zweiten Oberfläche (326) der Halbleiterschichtenfolge (203) und – Entfernen (109) des Hilfsträgersubstrats (321). Die Erfindung betrifft ferner ein optoelektronisches Bauelement (201).