公开(公告)号：WO2019091774A1

公开(公告)日：2019-05-16

申请号：PCT/EP2018/078984

申请日：2018-10-23

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STOLL, Ion ,  PUST, Philipp

IPC: C09K11/08 ,  C09K11/77 ,  H01L33/50

CPC classification number: C09K11/7734 ,  C09K11/0883 ,  C09K11/616 ,  F21V9/40 ,  H01L33/504

Abstract: Es wird eine Beleuchtungsvorrichtung zur Emission einer roten Gesamtstrahlung angegeben. Die Beleuchtungsvorrichtung weist auf : - eine Halbleiterschichtenfolge, die zur Emission von elektromagnetischer Primärstrahlung eingerichtet ist; - ein Konversionselement, das einen ersten Leuchtstoff der Formel Sr [AI 2 Li 2 O 2 N 2 ] : Eu, in der tetragonalen Raumgruppe P4 2 /m kristallisiert, umfasst und zumindest teilweise die elektromagnetische Primärstrahlung in eine elektromagnetische Sekundärstrahlung im roten Bereich des elektromagnetischen Spektrums konvertiert, wobei - das Konversionselement einen zweiten Leuchtstoff umfasst, der zumindest teilweise die elektromagnetische Primärstrahlung in eine elektromagnetische Sekundärstrahlung im roten Bereich des elektromagnetischen Spektrums konvertiert und/oder - die Beleuchtungsvorrichtung eine über dem Konversionselement angeordneten Spiegel oder Filter umfasst.

公开(公告)号：WO2018192922A3

公开(公告)日：2018-10-25

申请号：PCT/EP2018/059773

申请日：2018-04-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STOLL, Ion ,  BAUMGARTNER, Alexander ,  WILM, Alexander

IPC: H01L33/50 ,  C09K11/77

Abstract: Es wird ein strahlungsemittierendes optoelektronisches Bauelement (1) angegeben. Das Bauelement (1) umfasst einen Halbleiterchip (2) oder einen Halbleiterlaser, der im Betrieb des Bauelements eine Primärstrahlung im UV-Bereich oder im blauen Bereich des elektromagnetischen Spektrums emittiert und ein Konversionselement (3) umfassend - einen ersten Leuchtstoff, der dazu eingerichtet ist die Primärstrahlung zumindest teilweise in eine erste Sekundärstrahlung mit einer Peakwellenlänge im grünen Bereich des elektromagnetischen Spektrums zwischen einschließlich 475 nm bis einschließlich 500 nm zu konvertieren und wobei der erste Leuchtstoff aus einer Gruppe ausgewählt ist, die BaSi 4 Al 3 N 9 , SrSiAl 2 O 3 N 2 , BaSi 2 N 2 O 2 , ALi 3 XO 4 , M* (1-x*-y*-z*) Z* z* [A* a *B* b *C* c* D* d* E* e* N 4-n* O n* ] und Kombinationen daraus umfasst.

公开(公告)号：WO2016180930A1

公开(公告)日：2016-11-17

申请号：PCT/EP2016/060720

申请日：2016-05-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STOLL, Ion ,  LUGAUER, Hans-Jürgen ,  BERGBAUER, Werner ,  SCHULTEN, Dominik ,  KUNZ, Thorsten ,  HUCKENBECK, Barbara ,  STÖPPELKAMP, Vera ,  LANGE, Stefan

IPC: F21K99/00 ,  C09K11/77 ,  H01L33/50 ,  C09K11/08

CPC classification number: H01L33/504 ,  C04B35/44 ,  C04B35/5154 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/444 ,  C04B2235/445 ,  C09K11/665 ,  C09K11/7734 ,  C09K11/7739 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: Es wird ein strahlungsemittierendes optoelektronisches Bauelement angegeben,umfassend einen ersten Halbleiterchip, der im Betrieb des Bauelements eine Primärstrahlung im UV- Bereich des elektromagnetischen Spektrums emittiert und ein Konversionselement umfassend - einen ersten Leuchtstoff der Formel (M 1 -x Eu x ) 10 (PO 4 ) 6 (Cl,F) 2 , wobei M= Sr oder M = Srund ein oder mehrere Elemente, die aus einer Gruppe ausgewählt sind, die Mg, Ca und Ba umfasst undx = 0,01-0,12 oder einen ersten Leuchtstoff der Formel M 1 -y Eu y MgAl 10 O 17 , wobei M = Ba oder M = Ba und ein oder mehrere Elemente, die aus einer Gruppe ausgewählt sind, die Mg, Ca und Sr umfasst und y = 0,01-0,9,der die von dem Halbleiterchip emittierte Primärstrahlung im Betrieb des Bauelements teilweise in eine erste Sekundärstrahlung im blauen Bereich des elektromagnetischen Spektrums konvertiert, -einenzweiten Leuchtstoff der Formel M 1 -p Eu p (Mg 1-z Mn z )Al 10 O 17 , wobei M = Ba oder M = Ba und ein oder mehrere Elemente, die aus einer Gruppe ausgewählt sind, die Mg, Ca und Sr umfasst mit p = 0,01-0,7 und z = 0,05-0,5, der die von dem Halbleiterchip emittierte Primärstrahlung im Betrieb des Bauelements teilweise in eine zweite Sekundärstrahlung im grünen Bereich des elektromagnetischen Spektrums konvertiert, - einen dritten Leuchtstoff der Formel Mg 4 Ge 1-q Mn q (O,F) 6 mit q = 0,001-0,06, der die von dem Halbleiterchip emittierte Primärstrahlung im Betrieb des Bauelements teilweise in eine dritte Sekundärstrahlung im roten Bereich des elektromagnetischen Spektrums konvertiert.

Abstract translation: 本发明提供一种发射辐射的光电子器件，其包括发射在装置和包括转换元件的操作的电磁光谱的UV范围内的初级辐射的第一半导体芯片 - 下式的第一磷光体（M1-X的Eu x）的10（PO 4） 6（为Cl，F）2，其中M = Sr或Sr和M =一个或选自Mg，Ca和Ba组成的组中选择的多种元素包括和X = 0.01-0.12，或下式的第一荧光体 M1-Y铕ý的MgAl 10 O 17，其中M = Ba或Ba和M =一种或从包含Mg，Ca和Sr，且y = 0.01-0.9，所述的组中选择多种元素 转换部分地在电磁光谱的蓝色区域中的第一次级辐射的装置的操作期间从半导体芯片主辐射发射的光，式M1 p铕p（Mg的1-Z的Mn Z）的Al 10 O 17，其中M = Ba中-einenzweiten荧光体 或M = Ba和一种或多种元素 即，从由Mg，Ca的组中选择的和Sr与包括部分在装置的操作期间p值= 0.01-0.7，并且z = 0.05-0.5，由半导体芯片的初级辐射发射的辐射的 在电磁光谱的绿色区域中的第二次级辐射转换， - 下式的第三发光材料的Mg 4的Ge 1-q中的Mn q（O，F）6其中q = 0.001〜0.06，的操作期间从半导体芯片主辐射发射的光的 部件在电磁光谱的红色区域部分转化为三分之一次级辐射。

公开(公告)号：WO2015024801A1

公开(公告)日：2015-02-26

申请号：PCT/EP2014/067098

申请日：2014-08-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GÖÖTZ, Britta ,  STOLL, Ion ,  VON MALM, Norwin

IPC: H01L33/50 ,  C09K11/00 ,  C09K11/02 ,  C25D13/02 ,  C25D5/02

CPC classification number: H01L25/167 ,  C25D13/02 ,  C25D13/12 ,  C25D13/22 ,  H01L27/156 ,  H01L33/42 ,  H01L33/502 ,  H01L33/504 ,  H01L33/505 ,  H01L33/56 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0025 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips mit den folgenden Schritten angegeben: - Bereitstellen eines Halbleiterkörpers (1) mit einem Pixelbereich (2), der mindestens zwei verschiedene Subpixelbereiche (3) aufweist, - Aufbringen einer elektrisch leitenden Schicht (18) auf die Strahlungsaustrittsfläche (9) zumindest eines Subpixelbereichs (3), wobei die elektrisch leitende Schicht (18) dazu geeignet ist, mit einem protischen Reaktionspartner zumindest teilweise ein Salz auszubilden, - Abscheiden einer Konversionsschicht (19, 19') auf der elektrisch leitenden Schicht (18) durch einen Elektrophoreseprozess.

Abstract translation: 公开的是用于制造光电子半导体芯片，包括以下步骤的方法： - 提供（1）的像素区域（2），其具有半导体主体上的至少两个不同的子像素（3）， - 在沉积导电层（18） 辐射出射表面（9）至少部分地形成至少一个Subpixelbereichs（3），其中，所述导电层（18）适于与质子反应配偶配合的盐， - 沉积所述导电层上的转换层（19，19“）（18 ）通过电泳过程。

公开(公告)号：WO2014139834A1

公开(公告)日：2014-09-18

申请号：PCT/EP2014/054147

申请日：2014-03-04

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHMIDTKE, Kathy ,  STOLL, Ion ,  ALBRECHT, Tony ,  KLEIN, Markus

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/50 ,  H01L33/00 ,  H01L33/56

CPC classification number: H01L33/502 ,  H01L33/005 ,  H01L33/44 ,  H01L33/483 ,  H01L33/501 ,  H01L33/505 ,  H01L33/507 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0025 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2924/00

Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement umfassend einen Träger (10), eine Halbleiterschichtenfolge (20), die zur Emission von elektromagnetischer Primärstrahlung eingerichtet und auf dem Träger (10) angeordnet ist, wobei die Halbleiterschichtenfolge (20) eine dem Träger (10) abgewandte Strahlungshauptseite (21) aufweist, eine Verbindungsschicht (30), die zumindest auf der Strahlungshauptseite (21) der Halbleiterschichtenfolge (20) direkt aufgebracht ist, ein Konversionselement (40), das zur Emission von elektromagnetischer Sekundärstrahlung eingerichtet und direkt auf der Verbindungsschicht (30) angeordnet ist, wobei das Konversionselement (40) als vorgefertigter Körper ausgeformt ist, wobei die Verbindungsschicht (30) zumindest einen anorganischen Füllstoff (31), eingebettet in einem Matrixmaterial (32), aufweist, wobei die Verbindungsschicht (30) mit einer Schichtdicke von kleiner oder gleich 2 μm ausgeformt ist, wobei der vorgefertigte Körper mittels der Verbindungsschicht (30) an der Halbleiterschichtenfolge (20) befestigt ist, wobei die Verbindungsschicht (30) derart eingerichtet ist, einen kurzwelligen Anteil der elektromagnetischen Primärstrahlung herauszufiltern.

Abstract translation: 本发明涉及包括适于电磁初级辐射的发射和在该载体基片（10），半导体层序列（20）的光电元件（10）被布置，其中，所述半导体层序列（20）远离所述载体（10）辐射的主侧 （21），至少一个粘接层（30）上的半导体层序列（20）的辐射主侧面（21）被直接施加，一个转换元件（40），其设置适于电磁二次辐射的发射和连接层（30）上 ，其中所述转换元件（40）形成为预制体，其特征在于，所述连接层（30）包括嵌入基体材料（32）至少一种无机填料（31），其特征在于，具有以下的层厚度比连接层（30）或 等于2微米形成，其中，所述预制体由Ve的 是附着到半导体层序列（20），其中所述连接层（30）被布置成过滤掉电磁初级辐射的短波部分rbindungsschicht（30）。

公开(公告)号：WO2014019988A1

公开(公告)日：2014-02-06

申请号：PCT/EP2013/065916

申请日：2013-07-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STOLL, Ion ,  SCHMIDTKE, Kathy

IPC: H01L33/56

CPC classification number: H01L33/56 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0091

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) beschrieben, welches wenigstens einen Halbleiterchip (2) zur Abstrahlung elektromagnetischer Strahlung, insbesondere Licht, und eine den wenigstens einen Halbleiterchip (2) umgebende Vergussmasse (3) aufweist. Die Vergussmasse (3) ist im Strahlengang der emittierten Strahlung angeordnet. Die Vergussmasse (3) weist ein strahlungsdurchlässiges Material (4) und einen anorganischen Füllstoff (5) auf, wobei der anorganische Füllstoff (5) derart ausgebildet und im strahlungsdurchlässigen Material (4) angeordnet ist, dass die Vergussmasse (3) einen gezielt graduell eingestellten Gesamtbrechungsindex aufweist. Ferner wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements (1) angegeben.

Abstract translation: 它被描述（1）具有的光电子半导体器件，用于发射电磁辐射，尤其是光;以及围绕所述至少一个半导体芯片（2）密封剂的至少一个半导体芯片（2）（3）。 密封化合物（3）被布置在所发射的辐射的光路中。 密封化合物（3）具有一个辐射 - 透射材料（4）和无机填料（5），其中所述无机填料（5）被构造和布置成在辐射可透过的材料（4），所述密封化合物（3）特别是逐步建立一个 包括总折射率。 此外，被指定用于制造光电子半导体部件（1）的方法。

公开(公告)号：WO2014001149A1

公开(公告)日：2014-01-03

申请号：PCT/EP2013/062618

申请日：2013-06-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STOLL, Ion

IPC: H01L33/50

CPC classification number: H01L33/50 ,  C25D13/02 ,  C25D13/12 ,  H01L33/44 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2924/00014

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Abscheidung einer elektrophoretischen Schicht (11) mit den folgenden Schritten angegeben : Bereitstellen eines Substrates (1), zumindest teilweises Aufbringen einer elektrisch leitenden Schicht (7) auf das Substrat (1), die dazu geeignet ist, mit einem protischen Reaktionspartner (12) zumindest teilweise ein Salz auszubilden, Abscheiden einer elektrophoretischen Schicht (11) auf der elektrisch leitenden Schicht (7) in einem Elektrophoresebad (8), und Einbringen zumindest der elektrisch leitenden Schicht (7) in den protischen Reaktionspartner (8), so dass die elektrisch leitende Schicht (7) zumindest teilweise ein Salz mit dem protischen Reaktionspartner (12) ausbildet. Weiterhin werden ein optoelektronisches Bauelement und ein optisches Element angegeben.

Abstract translation: 本发明提供一种方法用于沉积包括以下步骤的电泳层（11）：提供衬底（1），至少在基板（1），其能够质子与上部分地施加导电层（7） 反应伙伴（12）至少部分地形成的盐，在电泳浴中的导电层（7）上沉积的电泳层（11）（8），并在质子反应物（8）将至少一部分所述导电层（7）， 使得导电层（7）至少部分地形成与质子反应物（12）的盐。 此外，光电器件和光学元件可以给出。

公开(公告)号：WO2013174977A1

公开(公告)日：2013-11-28

申请号：PCT/EP2013/060737

申请日：2013-05-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GALLMEIER, Hans-Christoph ,  JURENKA, Claudia ,  STOLL, Ion

IPC: B05B5/00 ,  H01L33/50

CPC classification number: H01L33/50 ,  B05B5/00 ,  B05B5/005 ,  B05B5/006 ,  B05B5/0255 ,  B05B5/1608 ,  B05B5/1675 ,  H01L2933/0041

Abstract: Verfahren zum Herstellen optoelektronischer Bauelemente und Vorrichtung zum Herstellen optoelektronischer Bauelemente In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Verfahren zum Herstellen optoelektronischer Bauelemente bereitgestellt, das Verfahren aufweisend: Sprühen einer Leuchtstoffschicht eines optoelektronischen Bauelementes auf ein Substrat (104), wobei der Stoff oder das Stoffgemisch der Leuchtstoffschicht beim Aufsprühen eine elektrische Ladung aufweist und wobei der elektrisch geladene Stoff oder das wenigstens teilweise elektrisch geladene Stoffgemisch beim Aufsprühen der Leuchtstoffschicht ein größeres elektrisches Potential aufweist als wenigstens ein Bereich des Substrates (104); und wobei die Dicke der Leuchtstoffschicht des aufgesprühten Leuchtstoffes mittels eines elektrischen Potentialgradientens auf dem Substrat (104) während des Aufsprühens der Leuchtstoffschicht lokal eingestellt wird. Signifikante Figur

Abstract translation: 制造用于制造光电器件在各种实施方式的光电子器件和设备的方法，提供了一种制造光电器件的方法，该方法包括：在衬底（104）上喷射的光电子器件的荧光体层，其中所述物质或者在荧光体层的物质混合物喷 带有电荷，并且其中所述磷光体层的喷涂期间带电物质或至少部分带电荷的材料混合物具有更大的电势比基板（104）的至少一部分上; 并且其中，所述喷洒荧光体的荧光体层由荧光体层的喷涂过程中在衬底（104）上的电Potentialgradientens的装置厚度局部调整。 显著图

公开(公告)号：WO2013004496A2

公开(公告)日：2013-01-10

申请号：PCT/EP2012/061822

申请日：2012-06-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  STOLL, Ion ,  CUI, Hailing

Inventor： STOLL, Ion ,  CUI, Hailing

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/50

CPC classification number: H01L33/50 ,  H01L25/0753 ,  H01L27/153 ,  H01L33/504 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein Halbleiterbauelement (10) angegeben, das einen ersten Halbleiterchip (1a) und einen zweiten Halbleiterchip (1b) umfasst. Der erste und zweite Halbleiterchip (1a, 1b) weisen jeweils eine zur Strahlungserzeugung geeignete aktive Schicht (1a, 1b) auf. Dem ersten Halbleiterchip (1a) ist ein erster Konverter (3a) nachgeordnet, der einen gelben Leuchtstoff mit Zusatz eines roten Leuchtstoffs umfasst. Dem zweiten Halbleiterchip (1b) ist ein zweiter Konverter (3b) nachgeordnet, der einen gelben Leuchtstoff mit Zusatz eines grünen Leuchtstoffs umfasst. Weiter ist ein Modul mit einer Mehrzahl derartiger Bauelemente (10) angegeben.

Abstract translation: 本发明公开了包括第一半导体芯片（1a）和第二半导体芯片（1b）中的半导体器件（10）。 所述第一和第二半导体芯片（1A，1B）的每一个包括适合于产生辐射有源层的装置（1A，1B）。 在第一半导体芯片（1a）的后面是一第一转换器（3a）中，其包含黄色磷光体与另外的红色荧光体的。 所述第二半导体芯片（1b）的后面是一第二转换器（3b）中，其包含黄色磷光体与另外的绿色荧光体的。 此外，具有多个这样的装置（10）的模块中指定。

公开(公告)号：WO2019048415A1

公开(公告)日：2019-03-14

申请号：PCT/EP2018/073704

申请日：2018-09-04

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： TÅNGRING, Ivar ,  STOLL, Ion

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/00 ,  A01G7/04 ,  H01L33/48

CPC classification number: H01L33/504 ,  A01G7/045 ,  H01L33/0008 ,  H01L33/486 ,  H01L33/505 ,  H01L2933/0041

Abstract: Eine Leuchtdiode (100) weist einen optoelektronischen Halbleiterchip (1) und ein Konverterelement (2) auf. Der Halbleiterchip und das Konverterelement sind so eingerichtet, dass im bestimmungsgemäßen Betrieb der Halbleiterchiperste Strahlung emittiert. Das Konverterelement konvertiert einen Teil der von dem Halbleiterchip emittierten ersten Strahlung in zweite Strahlung. Die Leuchtdiode emittiert Mischstrahlung aus der nicht konvertierten ersten Strahlung und der zweiten Strahlung. Die Mischstrahlung weist ein Spektrum mit einem ersten und einem zweiten lokalen Intensitätsmaximum auf. Das erste Intensitätsmaximum liegt in einem ersten Spektralbereich (31) zwischen einschließlich 630 nm und 690 nm, das zweite Intensitätsmaximum liegt in einem zweiten Spektralbereich (32) zwischen einschließlich 700 nm und 760 nm. Der im zweiten Spektralbereich liegende Anteil der Mischstrahlung beträgt zumindest 10 % und höchstens 40 % des im ersten Spektralbereich liegenden Anteils der Mischstrahlung.