公开(公告)号：FR2963163A1

公开(公告)日：2012-01-27

申请号：FR1055959

申请日：2010-07-21

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： ROY FRANCOIS

IPC: H01L29/861

Abstract: Procédé de réinitialisation d'un photosite, dans lequel la réinitialisation des charges photogénérées accumulées dans le photosite comprend une recombinaison des charges photogénérées (21) avec des charges de polarité opposée (12d, 1 3d)

公开(公告)号：FR2930676B1

公开(公告)日：2011-07-22

申请号：FR0852759

申请日：2008-04-24

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： ROY FRANCOIS ,  RAMADOUT BENOIT

IPC: H01L27/146

公开(公告)号：FR2934926B1

公开(公告)日：2011-01-21

申请号：FR0855410

申请日：2008-08-05

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： ROY FRANCOIS ,  TOURNIER ARNAUD

IPC: H01L27/146

公开(公告)号：FR2930840A1

公开(公告)日：2009-11-06

申请号：FR0852950

申请日：2008-04-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： ROY FRANCOIS

IPC: H01L23/522 ,  H01L27/146

Abstract: L'invention concerne un procédé de formation, sur une face d'un substrat semiconducteur aminci, d'un contact relié à une piste métallique d'un empilement d'interconnexion formé sur la face opposée du substrat aminci, comprenant les étapes suivantes : former, du côté d'une première face d'un substrat (45), une région isolante (47) pénétrant dans le substrat et revêtue d'une région conductrice (49) et d'une couche isolante (53) traversée par des vias conducteurs (55), lesdits vias connectant une piste métallique (ml) de l'empilement d'interconnexion (M1, M2, M3) à ladite région conductrice ; coller la face externe de l'empilement d'interconnexion sur un support et amincir le substrat ; graver, la face externe du substrat aminci en s'arrêtant sur ladite région isolante (47) ; graver ladite région isolante en s'arrêtant sur ladite région conductrice (49) ; et remplir l'ouverture gravée d'un métal (71).

公开(公告)号：FR2904143A1

公开(公告)日：2008-01-25

申请号：FR0653082

申请日：2006-07-24

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： CAZAUX YVON ,  CORONEL PHILIPPE ,  FENOUILLET BERANGER CLAIRE ,  ROY FRANCOIS

IPC: H01L27/146 ,  H04N3/15

Abstract: L'invention concerne un capteur d'images comprenant des cellules photosensibles comportant des photodiodes (D) et au moins un circuit supplémentaire à forte dissipation thermique comportant des transistors (M7, M8). Le capteur d'images est réalisé de façon monolithique et comprend une couche (60) d'un matériau semiconducteur ayant des première et deuxième faces opposées (15, 16) et comprenant, du côté de la première face (15), des premières régions (34, 38) correspondant aux bornes de puissance des transistors, l'éclairage du capteur d'images étant destiné à être réalisé du côté de la deuxième face ; un empilement de couches isolantes (70) recouvrant la première face ; un renfort (78) thermiquement conducteur recouvrant l'empilement du côté opposé à la couche ; et des vias (76) thermiquement conducteurs reliant la couche au renfort.

公开(公告)号：FR3098988B1

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：FR1908191

申请日：2019-07-19

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： ROY FRANCOIS ,  SULER ANDREJ

IPC: H01L27/148

Abstract: Capteur d'image La présente description concerne un capteur d'image comprenant une pluralité de pixels (1) comportant chacun : une région photosensible (105) dopée d'un premier type de conductivité s'étendant verticalement dans un substrat semiconducteur (100) ; une région (110) de collection de charges plus fortement dopée du premier type de conductivité que la région photosensible, s'étendant verticalement dans le substrat à partir d'une face supérieure (106) du substrat et étant disposée au-dessus de la région photosensible ; et un empilement vertical comprenant une grille verticale de transfert (115) et un mur vertical d'isolation électrique (116), l'empilement traversant le substrat et étant au contact de la région de collection de charges, la grille étant disposée du côté de la face supérieure du substrat et pénétrant dans le substrat plus profondément que la région de collection de charges. Figure pour l'abrégé : Fig. 1

公开(公告)号：FR3111015A1

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：FR2005573

申请日：2020-05-27

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： BOEUF FREDERIC ,  ROY FRANCOIS

IPC: H01L27/146

Abstract: Dispositif optoélectronique La présente description concerne un dispositif optoélectronique (10) comprenant un empilement : - d'un premier étage (14) comprenant des premières photodiodes configurées pour fonctionner dans une première gamme de longueurs d'onde ; et - d'un deuxième étage (16) comprenant des deuxièmes photodiodes configurées pour fonctionner dans une deuxième gamme de longueurs d'onde, le premier étage étant situé entre des rayonnements (12) adaptés à être reçus par le dispositif et le deuxième étage (16), les portions du premier étage situées entre le deuxième étage et les rayonnements étant en des matériaux transparents aux longueurs d'onde de la première gamme de longueurs d’onde. Figure pour l'abrégé : Fig. 1

公开(公告)号：FR3098988A1

公开(公告)日：2021-01-22

申请号：FR1908191

申请日：2019-07-19

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： ROY FRANCOIS ,  SULER ANDREJ

IPC: H01L27/148

Abstract: Capteur d'image La présente description concerne un capteur d'image comprenant une pluralité de pixels (1) comportant chacun : une région photosensible (105) dopée d'un premier type de conductivité s'étendant verticalement dans un substrat semiconducteur (100) ; une région (110) de collection de charges plus fortement dopée du premier type de conductivité que la région photosensible, s'étendant verticalement dans le substrat à partir d'une face supérieure (106) du substrat et étant disposée au-dessus de la région photosensible ; et un empilement vertical comprenant une grille verticale de transfert (115) et un mur vertical d'isolation électrique (116), l'empilement traversant le substrat et étant au contact de la région de collection de charges, la grille étant disposée du côté de la face supérieure du substrat et pénétrant dans le substrat plus profondément que la région de collection de charges. Figure pour l'abrégé : Fig. 1

公开(公告)号：FR3098075A1

公开(公告)日：2021-01-01

申请号：FR1907148

申请日：2019-06-28

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： ROY FRANCOIS ,  DALLEAU THOMAS

IPC: H04N5/374 ,  H01L27/146 ,  H04N5/355

Abstract: Pixel et son procédé de commande La présente description concerne un pixel (2) comprenant : un noeud de détection (SN) ; un premier transistor (26) normalement passant connecté entre le noeud de détection (SN) et un rail (12) d'application d'un premier potentiel (VDD) ; et un deuxième transistor (23) dont la grille est connectée au noeud de détection (SN). Figure pour l'abrégé : Fig. 2

公开(公告)号：FR3085231B1

公开(公告)日：2020-09-25

申请号：FR1857634

申请日：2018-08-24

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： ROY FRANCOIS ,  HULOT STEPHANE ,  SULER ANDREJ ,  VIROLLET NICOLAS

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/30

Abstract: La présente description concerne un capteur d'images à semiconducteur. Chaque pixel du capteur comprend un substrat semiconducteur (10) ayant des faces avant et arrière opposées et délimité latéralement par un premier mur d'isolement (11) comprenant un premier coeur conducteur (12) isolé du substrat, des paires électrons-trous étant susceptibles de se former dans le substrat par suite d'un éclairement par la face arrière. Un circuit est configuré pour maintenir, pendant une première phase dans un premier mode de fonctionnement, le premier coeur conducteur à un premier potentiel et pour maintenir, pendant au moins une partie de la première phase dans un deuxième mode de fonctionnement, le premier coeur conducteur à un deuxième potentiel différent du premier potentiel.