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    CAPTEUR ECLAIRE PAR LA FACE ARRIERE A ISOLEMENT PAR JONCTION
    31.
    发明专利
    CAPTEUR ECLAIRE PAR LA FACE ARRIERE A ISOLEMENT PAR JONCTION 未知

    公开(公告)号：FR2974240A1

    公开(公告)日：2012-10-19

    申请号：FR1153183

    申请日：2011-04-12

    Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： MARTY MICHEL ,  PRIMA JENS ,  ROY FRANCOIS

    IPC: H01L27/146

    Abstract: L'invention concerne un procédé de réalisation d'un capteur d'images (31) à éclairement par la face arrière comportant les étapes suivantes : a) former, depuis la face avant, des régions (35) de silicium polycristallin dopé, de type de conductivité opposé à celui du substrat (33), s'étendant en profondeur orthogonalement à ladite face avant ; b) amincir le substrat par sa face arrière jusqu'à atteindre les régions (35) de silicium polycristallin ; c) déposer, sur la face arrière du substrat aminci, une couche de silicium amorphe (41) dopé, de type de conductivité opposé à celui du substrat ; et d) recuire à une température adaptée à transformer la couche de silicium amorphe en une couche (43) cristallisée.

    32.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：FR2969385A1

    公开(公告)日：2012-06-22

    申请号：FR1005005

    申请日：2010-12-21

    Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： ROY FRANCOIS ,  HIRIGOYEN FLAVIEN ,  MICHELOT JULIEN

    IPC: H01L27/146

    Abstract: A method of fabricating an image sensor includes the steps of: forming at least two photosites in a semiconductor substrate; forming a trench between the photosites; forming a thin liner on at least the sidewalls of the trench; depositing a conductive material having a first refractive index in the trench; and forming a region surrounded by the conductive material and having a second refractive index lower than the first index of refraction within the conductive material in the trench.

    35.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：FR2910713B1

    公开(公告)日：2009-06-12

    申请号：FR0611350

    申请日：2006-12-26

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： ROY FRANCOIS

    IPC: H01L31/103 ,  H01L27/146 ,  H01L27/148 ,  H01L31/18

    Abstract: In a photodiode formed by a region of a first type inside a region of a second type, of a semiconductor substrate, the region of the first type includes a first zone including a dopant of the first type having a first concentration and a first depth. The region of the first type also has a second zone adjacent to the first zone in the dopant of the first type has a second concentration higher than the first concentration and a second depth smaller than the first depth. A method for making such a diode is also disclosed.

    CAPTEUR D'IMAGE COMPRENANT DES PIXELS A UN TRANSISTOR
    36.
    发明专利
    CAPTEUR D'IMAGE COMPRENANT DES PIXELS A UN TRANSISTOR 未知

    公开(公告)号：FR2911007A1

    公开(公告)日：2008-07-04

    申请号：FR0656033

    申请日：2006-12-28

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： TOURNIER ARNAUD ,  ROY FRANCOIS

    IPC: H01L27/146 ,  H01L31/10 ,  H01L31/18

    Abstract: L'invention concerne un pixel comportant un substrat semiconducteur (1) d'un premier type de dopage ; une première couche du second type de dopage recouvrant le substrat ; une seconde couche (33, 34) du premier type de dopage recouvrant la première couche ; et un transistor de type MOS (Tl, T2) formé dans la seconde couche et ayant une zone de drain (15, 25) et une zone de source (14, 24) du second type de dopage. Le pixel comprend une première zone (32) du second type de dopage, plus fortement dopée que la première couche, traversant la seconde couche et s'étendant jusque dans la première couche, et reliée à la zone de drain ; et une seconde zone (40, 41) du premier type de dopage, plus fortement dopée que la seconde couche et bordant la zone de source.

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