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    Procédé de calcul convolutif intra-mémoire et circuit intégré correspondant
    31.
    发明专利
    Procédé de calcul convolutif intra-mémoire et circuit intégré correspondant 未知

    公开(公告)号：FR3113326A1

    公开(公告)日：2022-02-11

    申请号：FR2008327

    申请日：2020-08-06

    Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET ,  ST MICROELECTRONICS SRL

    Inventor： CONTE ANTONINO ,  LA ROSA FRANCESCO

    IPC: G06F17/16 ,  G06N3/04

    Abstract: Le circuit intégré pour le calcul convolutif (CNVL) comprend une matrice (ARR) de points mémoires non volatils (MPTij) comprenant chacun une cellule mémoire résistive à changement de phase (PCMij) couplée à une ligne de bit (BLj), et un transistor bipolaire de sélection (BJTij) couplé en série à la cellule et ayant une borne de base reliée à une ligne de mot (WLi), un circuit convertisseur d’entrée (INCVRT) configuré pour recevoir et convertir des valeurs d’entrée (A1-A4) en signaux de tension (V1-V4) et pour appliquer successivement les signaux de tension (V1-V4) sur des lignes de bit sélectionnées (BL1-BL4) sur des intervalles de temps respectifs (t1-t4), et un circuit convertisseur de sortie (OUTCVRT) configuré pour intégrer sur les intervalles de temps successifs (t1-t4) les courants de lecture (IWL) résultant des signaux de tension (V1-V4) qui polarisent les cellules mémoires résistives à changement de phase respectives (PCMij) et circulant dans des lignes de mots sélectionnées, et pour convertir les courants de lecture intégrés (IWL) en valeurs de sortie (Bi). Figure de l’abrégé : Fig 4

    34.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：ITUB20155867A1

    公开(公告)日：2017-05-24

    申请号：ITUB20155867

    申请日：2015-11-24

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL ,  ST MICROELECTRONICS ROUSSET

    Inventor： CONTE ANTONINO ,  LA ROSA FRANCESCO

    IPC: H03F3/45

    Abstract: A sense-amplifier circuit (10) of a non-volatile memory device (1), provided with: a biasing stage (11), which biases a bitline (BL) of a memory array (2) for pre-charging it during a pre-charging step of a reading operation of a datum stored in a memory cell (3); a current-to-voltage converter stage (12), with differential configuration and a first circuit branch (12a) and a second circuit branch (12b), which receive on a respective comparison input (IN a , IN b ), during a reading step of the datum subsequent to the pre-charging step, a cell current (I cell ) and a reference current (I ref ), each having a respective amplification module (22a, 22b), which generates a respective amplified voltage (V a , V b ), an output voltage (V out ) being a function of the difference between the amplified voltages (V a , V b ) and indicative of the value of the datum. A capacitive compensation module (26) detects and stores an offset between the first and second circuit branches during the pre-charging step, and compensates this offset in the output voltage (V out ) during the reading step of the datum.

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