-
公开(公告)号：CN102530823A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110459495.0
申请日：2011-11-23
Applicant: 霍尼韦尔国际公司
Inventor： R·D·霍尔宁
CPC classification number: B81B7/02 , B81B7/0041 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/025 , B81B2207/095 , B81B2207/096 , B81C2201/019 , H01L2224/48091 , H01L2924/1461 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及用于四层芯片级MEMS器件的系统和方法。提供了一种用于微机电系统(MEMS)装置的系统和方法。在一个实施例中，一种系统包括第一双芯片，其包括第一基层；接合到第一基层的第一器件层，第一器件层包括第一组MEMS器件；以及接合到第一器件层的第一顶层，其中第一组MEMS器件被密封地隔离。该系统还包括第二双芯片，其包括第二基层；接合到第二基层的第二器件层，第二器件层包括第二组MEMS器件；以及接合到第二器件层的第二顶层，其中第二组MEMS器件被密封地隔离，其中第一顶层的第一顶表面接合到第二顶层的第二顶表面。
-
公开(公告)号：CN101806812A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN201010117435.6
申请日：2010-02-20
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 押尾政宏
IPC: G01P15/125 , G01P9/04
CPC classification number: G01P1/023 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81C1/00293 , G01C19/56 , G01P2015/0814
Abstract: 本发明提供一种能够发挥各传感器元件的特性且抑制长期的特性变动的小型的复合传感器及电子设备。所述复合传感器在封装件(30)形成有压力高的空间(90)与压力低的空间(80)，在压力高的空间(90)配置有加速度传感元件(40)，因此，获得低的Q值，在压力低的空间(80)配置有振动型角速度传感器元件(50)、(60)，因此，获得高的Q值，从而能够充分发挥加速度传感元件(40)及振动型角速度传感器元件(50)、(60)的特性。
-
公开(公告)号：CN100520299C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200380109765.9
申请日：2003-12-15
Applicant: 霍尼韦尔国际公司
CPC classification number: G01C19/5719 , B81B3/0051 , B81B2201/0242
Abstract: 本发明描述了一种微机电系统(MEMS)器件(10)，其包括：一个基片(110)，该基片(110)具有至少一个锚固件；一个验证质量块(12)，该验证质量块(12)具有至少一个从该验证质量块(12)延伸出来的减速延展部(66)，或者至少一个形成于该验证质量块(12)上的减速凹槽(158)；一个马达驱动梳形件(18)；一个马达感测梳形件(20)。这种MEMS器件还包括多个悬挂装置(14)，这些悬挂装置(14)被构造成将所述验证质量块悬挂在所述基片的上方并且位于所述马达驱动梳形件与马达感测梳形件之间，这些悬挂装置(14)被锚固在所述基片上。这种MEMS器件还包括一个固连在基片上的主体(60)，和至少一个从主体(60)延伸出来的减速梁(64)。所述减速延展部被构造成与所述减速梁或者减速凹槽发生配合，并且在所述验证质量块接触所述马达驱动梳形件和马达感测梳形件之前使得所述验证质量块减速或者停止。
-
公开(公告)号：CN109641741A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201780053215.1
申请日：2017-07-05
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Inventor： J·克拉森
CPC classification number: B81C1/00309 , B81B3/0005 , B81B7/0051 , B81B7/0061 , B81B7/007 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81B2207/012 , B81C1/00301 , B81C1/00325 , B81C1/00968 , B81C2201/0125 , B81C2201/0132 , B81C2201/0178 , B81C2201/112 , B81C2203/0118 , B81C2203/0792 , H04R19/005 , H04R31/006
Abstract: 本发明涉及一种用于制造微机械传感器的方法(100)，所述方法具有以下步骤：提供具有MEMS衬底(1)的MEMS晶片(10)，其中，在所述MEMS衬底(1)中在膜片区域(3a)中构造限定数量的蚀刻沟，其中，所述膜片区域构造在第一硅层(3)中，该第一硅层以与所述MEMS衬底(1)隔开限定的间距的方式布置；提供罩晶片(20)；将所述MEMS晶片(10)与所述罩晶片(20)键合；并且通过所述MEMS衬底(1)的磨削构造通向所述膜片区域(3a)的介质入口(6)。
-
公开(公告)号：CN108117035A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201710511666.7
申请日：2017-06-27
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00238 , B81B7/0051 , B81B7/007 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0264 , B81B2203/0118 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81B2207/012 , B81B2207/07 , B81C2201/0133 , B81C2203/032 , B81C2203/035 , B81C2203/0792
Abstract: 本申请涉及堆叠裸片间具有电触点的半导体集成器件及相应制造工艺。提供一种集成器件，其具有：第一裸片；第二裸片，沿着竖直轴以堆叠的方式耦合在该第一裸片上；耦合区域，安排在第一裸片与第二裸片的沿竖直轴面向彼此并位于与竖直轴正交的水平平面内的面对表面之间，耦合区域用于机械耦合第一裸片与第二裸片；电接触元件，由第一裸片和第二裸片的这些面对表面承载，这些电接触元件沿着竖直轴成对地对准；以及导电区域，安排在由第一裸片和第二裸片的这些面对表面承载的这些电接触元件对之间，这些导电区域用于电耦合第一裸片与第二裸片。支撑元件安排在第一裸片与第二裸片之间的至少一者的面对表面处并且弹性地支撑对应的电接触元件。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108017037A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201710401428.0
申请日：2017-05-31
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Inventor： E·杜奇 , M·阿兹佩蒂亚尤尔奎亚 , L·巴尔多
CPC classification number: B81B3/0021 , B81B7/0077 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2207/012 , B81C1/00158 , B81C1/00269 , H04R19/005 , H04R19/04
Abstract: 本申请涉及换能器模块、包括该模块的装置及制造该模块的方法。制造换能器模块的方法包括以下步骤：在衬底上形成第一MEMS换能器、具体是陀螺仪以及具有悬置薄膜的第二MEMS换能器、具体是加速度计；在所述衬底上形成导电层并且将所述导电层限定为同时提供电气地耦合到所述第一换能器的至少一个导电带以及所述第二MEMS换能器的所述薄膜。
-
公开(公告)号：CN103787260B
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201310511826.X
申请日：2013-10-25
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: B81B3/00 , B81C1/00 , G01C19/5656 , G01P15/00
CPC classification number: B81C1/00285 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2207/096 , B81C2203/0118 , B81C2203/035
Abstract: 本发明涉及一种微机械构件（100），所述微机械构件具有第一腔室（1）和第二腔室（3），在所述第一腔室中设置有第一传感器（2），在所述第二腔室中设置有第二传感器（4），其中，在所述第一腔室中和所述第二腔室中存在不同的压力，其特征在于，所述两个腔室（1，3）之一通过第三腔室（5）延伸至第一格栅结构（6），所述第一格栅结构设置在所述构件（100）的边缘区域中并且基本上严密密封地封闭。
-
公开(公告)号：CN105408240B
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201480026952.9
申请日：2014-05-05
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: B81B7/02
CPC classification number: G01P1/00 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2207/012 , B81C1/00301 , G01C19/56 , G01P15/02
Abstract: 提出一种微机械装置，其具有传感器晶片、中间晶片和分析处理晶片，其中所述微机械装置具有主延伸面，其中传感器晶片、中间晶片和分析处理晶片如此重叠地布置，使得中间晶片布置在传感器晶片和分析处理晶片之间，其中分析处理晶片具有至少一个专用集成电路，其中传感器晶片和/或中间晶片包括第一传感器元件并且传感器晶片和/或中间晶片包括与第一传感器元件在空间上分离的第二传感器元件，其中第一传感器元件位于第一腔体中，第一腔体通过中间晶片和传感器晶片构成，并且第二传感器元件位于第二腔体中，第二腔体通过中间晶片和传感器晶片构成，其中第一腔体中的第一气压不同于第二腔体中的第二气压，并且中间晶片至少在一个位置处在垂直于所述主延伸面延伸的方向上具有开口。
-
公开(公告)号：CN104716050B
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201410101723.0
申请日：2014-03-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B7/007 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0264 , B81B2207/07 , B81B2207/094 , B81B2207/095 , B81C1/00301 , B81C2203/0154 , B81C2203/0771 , H01L21/568 , H01L24/19 , H01L24/97 , H01L2224/12105 , H01L2224/73267 , H01L2924/18162
Abstract: 本发明提供了一种形成具有模塑通孔的半导体器件的方法，该方法包括共晶接合覆盖晶圆和基底晶圆以形成晶圆封装件。基底晶圆包括第一芯片封装件部分、第二芯片封装件部分和第三芯片封装件部分。覆盖晶圆包括多个隔离沟槽和多个分离沟槽，相对于覆盖晶圆的相同表面，分离沟槽的深度比隔离沟槽的深度更大。该方法也包括去除覆盖晶圆的一部分以暴露第一芯片封装件部分接触件、第二芯片封装件部分接触件和第三芯片封装件部分接触件。该方法还包括分离晶圆封装件以将晶圆封装件分离成第一芯片封装件、第二芯片封装件和第三芯片封装件。本发明还提供具有模塑通孔的半导体器件。
-
公开(公告)号：CN104121935B
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201410165846.0
申请日：2014-04-23
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 高田丰
IPC: G01D5/12 , G01C19/56 , G01C19/5607
CPC classification number: B81B7/0064 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2207/07 , B81C1/00253 , G01C19/5628 , G01P1/023 , G01P15/08
Abstract: 本发明提供一种物理量传感器、电子设备以及移动体，其能够提高相对于来自外部装置的噪声的耐性、或降低与外部装置之间的阻抗的失配。物理量传感器(1)包括：传感器元件(20)；集成电路(10)，其与传感器元件(20)电连接；陶瓷封装件(30)(基体)，其搭载有集成电路(10)。在陶瓷封装件(30)的一个面上设置有用于实施与外部的电连接的第一导体图案(配线图案(61))。并且设置有与配线图案(61)电连接的第二导体图案。第二导体图案具有穿过陶瓷封装件(30)的内部的配线图案(63)、和露出于陶瓷封装件(30)的另一个面的金属化区域(70)，配线图案(63)长于陶瓷封装件(30)的一个面与另一个面之间的距离。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
1716
records
(took 0.044 seconds)
