公开(公告)号：CN102401693B

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201110272018.3

申请日：2011-09-13

Applicant: 横河电机株式会社

Inventor： 吉田隆司

IPC: G01H11/06

CPC classification number: G01L9/0019 ,  B81B3/001 ,  B81B2201/025 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0285 ,  B81B2203/0118 ,  G01L1/106 ,  G01L9/0013 ,  H03H9/2457 ,  H03H2009/02496

Abstract: 本发明提供一种振动传感器，其包括：设置在单晶硅衬底之上的单晶硅振动梁，该振动梁的断面形状在垂直于单晶硅衬底表面的方向上比在平行于单晶硅衬底表面的方向上长；由硅制成的壳体，围绕振动梁具有间隙，并且与单晶硅衬底一起形成真空室；板状第一电极板，与单晶硅衬底的表面平行布置，第一电极板的一端连接到振动梁；板状第二和第三电极板，与单晶硅衬底的表面平行布置，并且彼此相对，振动梁置于其间；以及形成在振动梁与第二和第三电极板的相对侧表面上的粗糙。

公开(公告)号：CN102381677B

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201110037693.8

申请日：2011-02-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周正三

IPC: B81C1/00 ,  B81C3/00 ,  B81B7/00

CPC classification number: B81B7/0032 ,  B81B2201/025 ,  B81C1/00246 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/0714 ,  H01L2224/83805

Abstract: 本发明公开了一种复合晶片半导体元件，其包含第一晶片和第二晶片。第一晶片具有第一侧与第二侧，而第二侧是实质相对于第一侧。复合晶片半导体元件亦包含隔离组与自由空间，其中隔离组是形成于第一晶片的第一侧，且于隔离组中蚀刻出上述自由空间。第二晶片接合至上述隔离组。形成如惯性感测元件的浮动结构于上述自由空间之上的第二晶片之中。在一实施例中，表面接合垫形成于第一晶片的第二侧。接着，使用穿透硅介层窗(TSV)导体电性连结浮动结构至表面接合垫。

公开(公告)号：CN103424107A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201310177524.3

申请日：2013-05-14

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： J·克拉森 ,  M·哈塔斯 ,  D·C·迈泽尔

IPC: G01C19/56 ,  G01C25/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00134 ,  B81B3/0018 ,  B81B2201/025 ,  B81C1/00246 ,  B81C1/00333 ,  G01P15/0802

Abstract: 建议了用于提高微机械惯性传感器的测量灵敏度的措施，所述惯性传感器包括至少一个具有已处理的正面的ASIC构件（10）、一个具有微机械的传感器结构的MEMS构件（20）以及一个罩形晶片（31）。所述MEMS构件（20）的传感器结构包括至少一个振动质量（25）并且延伸在所述MEMS构件（20）的整个厚度上。所述MEMS构件（20）通过支座结构（15）装配在所述ASIC构件（10）的已处理的正面上，并且通过在所述MEMS衬底（20）中以及在所述支座结构的相邻支架（15）中的穿通接触件（22）与所述ASIC构件（10）电连接。所述罩形晶片（31）装配在所述MEMS构件（20）的微机械传感器结构上方。根据本发明，至少在所述振动质量（25）的区域中构造至少一个在所述MEMS衬底（20）中的盲孔（23），所述盲孔用与所述穿通接触件（22）相同的导电材料填充。这种导电的材料具有比所述MEMS衬底材料更高的密度。

公开(公告)号：CN103226024A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201310028223.4

申请日：2013-01-25

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： K.埃利安 ,  F-P.卡尔茨 ,  H.托伊斯

IPC: G01D5/12

CPC classification number: H01L29/84 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/025 ,  B81B2201/0292 ,  B81B2203/0361 ,  B81C1/00246 ,  G01L1/20 ,  G01P15/124

Abstract: 本发明公开了传感器器件和方法。一种传感器器件包括半导体芯片。所述半导体芯片具有对于机械载荷敏感的感测区域。柱被机械地耦合到所述感测区域。

公开(公告)号：CN102951601A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201210291267.1

申请日：2012-08-15

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： J·克拉森 ,  J·莱茵穆特 ,  S·京特 ,  P·布斯蒂安-托多罗娃

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00 ,  G01P15/00 ,  G01C19/56

CPC classification number: G01C19/5783 ,  B81B2201/025 ,  B81C1/00182 ,  G01P15/0802 ,  G01P2015/0882

Abstract: 本发明提供一种用于制造微机械结构的方法和一种微机械结构。该微机械结构包括：由第一材料制成的第一微机械功能层（3），它具有被掩埋的、具有第一端部（E1）和第二端部（E2）的通道（6'）；在第二微机械功能层（11）中的具有封罩（12，13）的微机械传感器结构（S1，S2），该第二微机械功能层设置在第一微机械功能层（3）之上；在第二微机械功能层（11）中的边缘区域（R），该边缘区域（R）包围传感器结构（S1，S2）并且定义包含传感器结构（S1，S2）的内侧（RI）和背离传感器结构（S1，S2）的外侧（RA）；其中，第一端部（E1）位于所述外侧（RA）并且第二端部（E2）位于所述内侧（RI）。

公开(公告)号：CN102530823A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110459495.0

申请日：2011-11-23

Applicant: 霍尼韦尔国际公司

Inventor： R·D·霍尔宁

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B7/02 ,  B81B7/0041 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/025 ,  B81B2207/095 ,  B81B2207/096 ,  B81C2201/019 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及用于四层芯片级MEMS器件的系统和方法。提供了一种用于微机电系统(MEMS)装置的系统和方法。在一个实施例中，一种系统包括第一双芯片，其包括第一基层；接合到第一基层的第一器件层，第一器件层包括第一组MEMS器件；以及接合到第一器件层的第一顶层，其中第一组MEMS器件被密封地隔离。该系统还包括第二双芯片，其包括第二基层；接合到第二基层的第二器件层，第二器件层包括第二组MEMS器件；以及接合到第二器件层的第二顶层，其中第二组MEMS器件被密封地隔离，其中第一顶层的第一顶表面接合到第二顶层的第二顶表面。

公开(公告)号：CN102401693A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201110272018.3

申请日：2011-09-13

Applicant: 横河电机株式会社

Inventor： 吉田隆司

IPC: G01H11/06

CPC classification number: G01L9/0019 ,  B81B3/001 ,  B81B2201/025 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0285 ,  B81B2203/0118 ,  G01L1/106 ,  G01L9/0013 ,  H03H9/2457 ,  H03H2009/02496

Abstract: 本发明提供一种振动传感器，其包括：设置在单晶硅衬底之上的单晶硅振动梁，该振动梁的断面形状在垂直于单晶硅衬底表面的方向上比在平行于单晶硅衬底表面的方向上长；由硅制成的壳体，围绕振动梁具有间隙，并且与单晶硅衬底一起形成真空室；板状第一电极板，与单晶硅衬底的表面平行布置，第一电极板的一端连接到振动梁；板状第二和第三电极板，与单晶硅衬底的表面平行布置，并且彼此相对，振动梁置于其间；以及形成在振动梁与第二和第三电极板的相对侧表面上的粗糙。

公开(公告)号：CN101639368A

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：CN200910151635.0

申请日：2009-07-20

Applicant: 泰勒斯公司

Inventor： S·帕尔博 ,  C·萨诺

IPC: G01D11/00 ,  B81B7/02 ,  B81C5/00 ,  B81C3/00

CPC classification number: B81B7/0048 ,  B81B2201/025 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种机电装置及制造方法，特别涉及一种包括封装及至少一个表面安装在封装中的组件的机电装置，其特征在于，其包括至少一个基于纳米管的用于在所述组件和封装之间进行振动和热过滤的机械接口。有利的，基于纳米管的接口可以进一步作为与封装所装备的电触头的电和/或热接口。

公开(公告)号：CN1936591A

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：CN200610154224.3

申请日：2006-09-15

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 高田良晶 ,  落合秀行 ,  西野庆一 ,  斋藤正胜

IPC: G01P15/12 ,  H01L29/84 ,  B81B7/02

CPC classification number: G01P1/023 ,  B81B2201/025 ,  B81C1/0023 ,  G01P15/0802 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 在具有用于调整板的IC芯片的位移检测器件中，在组装或使用该器件期间，硅破裂碎片可能会从松动切屑上掉落，并影响位移检测器件的性能。通过设置芯片的IC芯片晶片上的研磨迹线与IC芯片的侧脊上的垂直线所成的角度小于45度，更优选为10－45度，可以减少IC芯片的侧脊上的切屑，包括松动切屑。可避免使用在侧脊上具有松动切屑的IC芯片用于调整板，并且可以提供高度可靠的位移检测器件。

公开(公告)号：CN107850430A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680042151.0

申请日：2016-05-24

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： P·韦尔纳 ,  B·库尔曼 ,  M·哈塔斯

IPC: G01C19/5719

CPC classification number: G01C19/5733 ,  B81B2201/025 ,  G01C19/5719

Abstract: 本发明提出一种转速传感器，该转速传感器具有带有主延伸平面的衬底和至少一个相对于衬底可运动的结构，其中，该结构能够被激励而从所述结构的静止位置中以与基本上平行于所述主延伸平面的驱动方向基本上平行的运动分量振动，其中，所述转速传感器为了激励所述振动而包括至少一个被所述结构携动的梳状电极和至少一个相对于所述衬底固定的梳状电极，其中，通过所述携动的梳状电极和/或所述固定的梳状电极的电压加载能够引起所述激励，其中，所述携动的梳状电极和所述固定的梳状电极如此构造，使得能够探测由于所述转速传感器的围绕基本上垂直于所述驱动方向并且基本上垂直于所述探测方向走向的轴线的转速而以沿着基本上垂直于所述驱动方向的探测方向的力分量作用到所述结构上的力。