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公开(公告)号:CN104024144B
公开(公告)日:2016-09-28
申请号:CN201280065850.9
申请日:2012-11-02
Applicant: 大陆-特韦斯贸易合伙股份公司及两合公司
CPC classification number: G01P15/0888 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0264 , B81B2201/0278 , B81C1/0023 , Y10T29/49002
Abstract: 本发明涉及一种微机械元件(123a)、一种具有微机械元件(123a)的部件(100)和一种用于制造部件(100)的方法。在此,微机械元件(123a)具有多个单独传感器元件(1'a、2'a、3'a、23a),其中,通过第一单独传感器元件(1'a、2'a、3'a、23a)能够测量第一物理测量参数,并且通过第二单独传感器元件(1'a、2'a、3'a、23a)能够测量第二物理测量参数。
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公开(公告)号:CN105940288A
公开(公告)日:2016-09-14
申请号:CN201580006679.8
申请日:2015-01-29
Applicant: 纳米技术分析责任有限公司
Inventor: 詹皮耶罗·门萨
CPC classification number: G01L27/002 , B81B3/0021 , B81B2201/0264 , C07F9/65586 , G01L9/0008 , G01L15/00 , G01L27/007
Abstract: 描述了一种用于压力测量的机电微型装置1,该装置包括:至少一个第一机电微型压力传感器元件11,其被配置成检测相应的第一压力值P1并且生成表示所述第一压力值P1的第一电信号S1;并且进一步包括至少一个第二机电微型压力传感器元件12,其被配置成检测相应的第二压力值P2并且生成表示所述第二压力值P2的第二电信号S2。第二传感器元件12设置在适合于密封其的壳体13内。所述装置1进一步包括电子处理装置10,其可操作地连接至第一传感器元件11和第二传感器元件12,并且被配置成基于所述第一电信号S1和第二电信号S2,确定测量的压力值P;并且最后包括接口装置15,其可操作地连接至电子处理装置10,并且被配置成在输出时提供所述测量的压力值P。第一传感器元件11和第二传感器元件12、电子处理装置10以及接口装置15包含在单个集成装置内。
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公开(公告)号:CN103717526B
公开(公告)日:2016-08-17
申请号:CN201280034778.3
申请日:2012-07-12
Inventor: 罗曼·维亚德 , 阿波德尔克里姆·泰勒比 , 菲利浦·雅克·潘诺德 , 阿兰·默伦 , 弗拉基米尔·普雷奥布拉日恩斯基
IPC: G01F1/688
CPC classification number: G01F1/688 , B81B3/0081 , B81B2201/0264 , B81B2201/0292 , B81B2203/0109 , G01F1/6845 , G01F1/6882 , G01L21/12 , H01L41/316 , H01L41/332
Abstract: 本发明涉及一种包括加热元件的微型传感器(1),并且涉及一种与该微型传感器相关联的制造方法。所述传感器(1)包括基板(2)、腔(20)以及热绝缘结构(4),所述热绝缘结构(4)通过连接至该基板(2)的区域(31、32)悬置在腔(20)的上方。本发明的特征在于,热绝缘结构(4)包括延伸越过腔(20)的至少两个桥部(33、34),加热元件通过相对于所述桥部(33、34)横向地延伸而由所述桥部(33、34)支撑。
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公开(公告)号:CN105776122A
公开(公告)日:2016-07-20
申请号:CN201410784817.2
申请日:2014-12-17
Applicant: 财团法人工业技术研究院
CPC classification number: B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81B2203/04 , B81C2203/0109
Abstract: 本发明公开一种具多重气密空腔的微机电装置及其制作方法,可将多种感测元件整合在单一装置中。例如,本发明的微机电装置可提供具有不同的气压的两个气密空腔,以分别使微机电气压计及微机电加速度计能在最佳的气压环境下进行操作。
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公开(公告)号:CN105609433A
公开(公告)日:2016-05-25
申请号:CN201510755359.4
申请日:2015-11-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/60 , B81C3/00 , H01L21/8238
CPC classification number: B81C1/00238 , B81B3/001 , B81B7/007 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0264 , B81B2203/0315 , B81B2207/012 , B81B2207/07 , B81C2201/0132 , B81C2203/035 , B81C2203/037 , B81C2203/0792 , H01L2224/16 , H01L24/83 , B81C3/00 , H01L21/8238
Abstract: 本发明涉及形成MEMS器件的方法以缓解上述困难。在一些实施例中,本发明涉及形成MEMS器件的方法,该方法在载体衬底的第一侧内形成一个或多个腔体。然后将载体衬底的第一侧接合至设置于微机电系统(MEMS)衬底上的介电层,并且随后图案化MEMS衬底以限定位于一个或多个腔体上方的软机械结构。然后,使用干蚀刻工艺选择性地去除介电层以释放一个或多个软机械结构。使用低温接合工艺,通过设置在CMOS衬底和MEMS衬底之间的接合结构将CMOS衬底接合至MEMS衬底的第二侧。本发明还提供一种集成芯片。
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公开(公告)号:CN105531220A
公开(公告)日:2016-04-27
申请号:CN201480027801.5
申请日:2014-03-12
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: H04R19/04 , B81B7/02 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81C1/00246 , B81C2201/014 , B81C2203/0714 , H04R19/005 , H04R31/00
Abstract: 一种微机电系统(MEMS)麦克风具有包含背侧沟槽的衬底,和沉积在该衬底上的在背侧沟槽之上延伸的柔性膜。柔性膜包含第一电极。硅隔板层被沉积在柔性膜的周围部分上。隔板层限定在膜和背侧沟槽上方的声学腔。富硅氮化硅(SiN)背板层被沉积在硅隔板层的顶上,该富硅氮化硅(SiN)背板层在声学腔之上延伸。背板将多个开口限定在声学腔中并且包含用作第二电极的金属化。
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公开(公告)号:CN105519137A
公开(公告)日:2016-04-20
申请号:CN201480049062.X
申请日:2014-06-30
Applicant: 思睿逻辑国际半导体有限公司
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B7/0061 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81B2203/04 , H04R7/10 , H04R19/005 , H04R19/04 , H04R2201/003
Abstract: 本申请描述对(MEMS)换能器(100)的改进,所述MEMS换能器具有一个柔性膜(301),该柔性膜(301)带有膜电极(302),尤其其中该膜是晶体或多晶且该膜电极是金属或金属合金。这样的换能器典型地可以包括一个具有被耦合至一个背板电极(303)的至少一个背板层(304)的背板,其中该背板电极中的多个孔(314)对应于穿过该背板的多个背板孔(312)。在本发明的实施方案中,该膜电极具有在该膜电极中的至少一个开口(313),其中所述开口的区域的至少一部分在垂直于该膜的方向上对应于至少一个背板孔的区域,并且在该膜电极中的所述开口处该柔性膜中没有孔。可以有多个这样的开口。所述开口有效地允许减少膜电极材料(例如,金属)的量,该膜电极材料可以经历塑性变形且使该膜永久变形。所述开口至少部分地与背板孔对准以减少任何电容损失。
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公开(公告)号:CN105329837A
公开(公告)日:2016-02-17
申请号:CN201410242793.8
申请日:2014-06-03
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
CPC classification number: B81B3/0081 , B81B2201/0264 , G01L9/0047 , G01L9/0048 , G01L9/005 , G01L9/0073 , G01L19/04
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及电子装置,所述半导体器件包括:基底;位于所述基底上的层间介电层;位于所述层间介电层内的压力传感器底部电极;位于所述底部电极上方的压力传感器空腔;位于所述压力传感器空腔上方并覆盖部分所述层间介电层的感应膜;位于所述层间介电层和所述感应膜上方的覆盖层,其中所述覆盖层中还形成有开口,暴露部分所述感应膜;至少位于所述开口底部并覆盖于所述感应膜之上的高热膨胀系数材料层。本发明的优点在于:通过在敏感电容的感应膜表面上覆盖一层高热膨胀系数的材料,可减少环境温度变化引起的敏感电容的变化,同时敏感电容基本结构没有变化,而且对压力的敏感性也不会受到影响,进而提高了器件的可靠性和良率。
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公开(公告)号:CN105314590A
公开(公告)日:2016-02-10
申请号:CN201510455584.6
申请日:2015-07-29
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: B81B3/0021 , B06B1/02 , B81B3/007 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2203/0109 , B81B2203/0118 , B81B2203/0127 , B81B2203/051 , B81C1/00142 , B81C1/0015 , B81C1/00158 , B81C1/00373 , B81C2201/0176 , B81C2201/0181 , B81C2201/019 , H04R7/02 , H04R7/24 , H04R19/005 , H04R19/02 , H04R19/04 , H04R31/00 , H04R31/003 , H04R2201/003 , H04R2307/023 , H04R2400/01 , H04R2499/11
Abstract: 一种微机械结构,其包括衬底和布置在衬底处的功能性结构。功能性结构包括功能性区域,功能性区域配置为响应于作用在功能性区域上的力而相对于衬底偏转。功能性结构包括传导性基础层并且功能性结构包括具有布置在传导性基础层处并且仅在功能性区域处部分地覆盖传导性基础层的固化结构材料的固化结构。固化结构材料包括硅材料以及至少碳材料。
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公开(公告)号:CN105300593A
公开(公告)日:2016-02-03
申请号:CN201410520628.4
申请日:2014-07-28
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: G01L19/00
CPC classification number: B81C1/00269 , B81B7/0058 , B81B2201/0264 , B81B2207/012 , B81C1/00309 , G01L19/147 , H01L2224/48137 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592
Abstract: 一种用于组装封装的半导体装置的方法,包括将压力传感管芯安装到金属引线框架的管芯板上。将压力敏感凝胶分配到盖的凹陷中,以及将盖与引线框架配合,使得压力传感管芯浸在盖的凹陷内的压力敏感凝胶中。
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