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    DISTRIBUTED SENSOR SYSTEM
    32.
    发明申请
    DISTRIBUTED SENSOR SYSTEM 审中-公开
    分布式传感器系统

    公开(公告)号：WO2014151905A1

    公开(公告)日：2014-09-25

    申请号：PCT/US2014/026646

    申请日：2014-03-13

    Applicant: GOGOI, Bishnu

    Inventor： GOGOI, Bishnu

    IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L29/82

    CPC classification number: B81B7/02 ,  B81B2201/0207 ,  B81B2201/0214 ,  B81B2201/0228 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0278 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/05 ,  B81B2207/09 ,  H01L27/14 ,  H01L27/16 ,  H01L27/22 ,  H01L41/1132 ,  H01L41/1138 ,  H01L2924/00 ,  H05K7/02

    Abstract: A distributed sensor system is disclosed that provides spatial and temporal data in an operating environment. The distributed sensor nodes can be coupled together to form a distributed sensor system. For example, a distributed sensor system comprises a collection of Sensor Nodes (SN) that are physically coupled and are able to collect data about the environment in a distributed manner. An example of a distributed sensor system comprises a first sensor node and a second sensor node. Each sensor node has a plurality of sensors or a MIMS device. Each sensor node can also include electronic circuitry or a power source. A joint region is coupled between a first flexible interconnect region and a second flexible interconnect region. The first sensor node is coupled to the first flexible interconnect region. Similarly, the second sensor node is coupled to the second flexible interconnect region.

    Abstract translation: 公开了一种在操作环境中提供空间和时间数据的分布式传感器系统。 分布式传感器节点可以耦合在一起以形成分布式传感器系统。 例如，分布式传感器系统包括物理耦合并且能够以分布式方式收集关于环境的数据的传感器节点（SN）的集合。 分布式传感器系统的示例包括第一传感器节点和第二传感器节点。 每个传感器节点具有多个传感器或MIMS装置。 每个传感器节点还可以包括电子电路或电源。 联接区域耦合在第一柔性互连区域和第二柔性互连区域之间。 第一传感器节点耦合到第一柔性互连区域。 类似地，第二传感器节点耦合到第二柔性互连区域。

    基于黒硅的高性能MEMS热电堆红外探测器及其制备方法
    33.
    发明申请
    基于黒硅的高性能MEMS热电堆红外探测器及其制备方法 审中-公开

    公开(公告)号：WO2014029190A1

    公开(公告)日：2014-02-27

    申请号：PCT/CN2013/000065

    申请日：2013-01-21

    Applicant: 江苏物联网研究发展中心

    Inventor： 毛海央 ,  欧文

    IPC: G01J5/12 ,  H01L31/18 ,  H01L31/052 ,  H01L35/32 ,  B81C1/00 ,  B81B7/02

    CPC classification number: G01J5/12 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0278 ,  B81C1/00111 ,  G01J5/022 ,  H01L35/22 ,  H01L35/32 ,  H01L35/34

    Abstract: 一种基于黒硅的高性能MEMS热电红外探测器及其制备方法，红外探测器包括衬底（101）；衬底（101）上设有释放阻挡带（2），释放阻挡带（2）内具有热隔离腔体（1403），热隔离腔体（1403）的正上方设有黒硅红外吸收区（1），黒硅红外吸收区（1）的外侧设有热电堆，黒硅红外吸收区外侧的热电堆相互串接后电连接成一体，相互串接的热电堆上设有用于将探测结果输出的金属电极（8）；热电堆的探测冷端通过第一热导通电隔离结构（4）及第一热导通电隔离结构（4）下方的热传导体（303）与衬底（101）相连，热传导体（303）位于热隔离腔体（1403）的外侧；热电堆的探测热端通过第二热导通电隔离结构（3）与黒硅红外吸收区（1）相接触。该结构简单易于实现，便于单片集成，响应率及探测率高，与CMOS工艺兼容，适用范围广，安全可靠。

    ＭＥＭＳセンサおよびこれを備えたセンサアレイ
    34.
    发明申请
    ＭＥＭＳセンサおよびこれを備えたセンサアレイ 审中-公开
    MEMS传感器和传感器阵列配备

    公开(公告)号：WO2011039798A1

    公开(公告)日：2011-04-07

    申请号：PCT/JP2009/004978

    申请日：2009-09-29

    Applicant: パイオニア株式会社 ,  前田孝則 ,  河野高博 ,  藤本健二郎 ,  尾上篤

    Inventor： 前田孝則 ,  河野高博 ,  藤本健二郎 ,  尾上篤

    IPC: H01L29/84 ,  G01J1/02 ,  H01L35/32

    CPC classification number: G01J5/02 ,  B81B3/007 ,  B81B2201/0278 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/019 ,  G01J5/024

    Abstract: 　メンブレンを、強度を維持しつつ薄く形成することができるＭＥＭＳセンサおよびこれを備えたセンサアレイを提供する。　支持部２を介してリリースされた多角形のメンブレン３を備え、メンブレン３は、放射状に延在する複数のリブ部６ａから成る補強リブ部６と、隣接する２つのリブ部６ａ，６ａ間にそれぞれ架設され、２つのリブ部６ａ，６ａを２辺として多角形に形成された複数の分割メンブレン７と、を有しているものである。

    Abstract translation: 提供了一种MEMS传感器，其中可以在保持膜的强度的同时形成薄膜，并且还提供了配备有MEMS传感器的传感器阵列。 MEMS传感器包括通过支撑部分（2）释放的多边形膜（3）。 膜（3）包括：加强肋部（6），其由径向延伸的多个肋（6a）组成; 以及多个分隔膜（7），每个分隔膜（7）各自保持在相邻的两个肋（6a，6a）之间，并且使用两个肋（6a，6a）作为两个侧面形成为多边形。

    MIKROSYSTEMTECHNISCHES BAUELEMENT MIT EINER UNTER DEM EINFLUSS VON TEMPERATURÄNDERUNGEN VERFORMBAREN EINRICHTUNG
    35.
    发明申请
    MIKROSYSTEMTECHNISCHES BAUELEMENT MIT EINER UNTER DEM EINFLUSS VON TEMPERATURÄNDERUNGEN VERFORMBAREN EINRICHTUNG 审中-公开
    技术成分MICROSYSTEMS WITH A在温度的影响下改变可变形DEVICE

    公开(公告)号：WO2006072237A1

    公开(公告)日：2006-07-13

    申请号：PCT/DE2006/000016

    申请日：2006-01-04

    Applicant: UNIVERSITÄT KASSEL ,  RANGELOW, Ivo ,  IVANOV, Tzvetan ,  IVANOVA, Katerina

    Inventor： RANGELOW, Ivo ,  IVANOV, Tzvetan ,  IVANOVA, Katerina

    IPC: G01J5/40

    CPC classification number: G01J5/40 ,  B81B3/0018 ,  B81B2201/0278 ,  G01J5/44

    Abstract: Es wird ein mikrosystemtechnisches Bauelement mit einer unter dem Einfluss von Temperaturänderungen verformbaren Einrichtung (3) beschrieben. Die Einrichtung weist wenigstens je ein erstes (4, 5) und zweites (8) Element mit unterschiedlichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten und unterschiedlichen Wärmeleitfähigkeiten auf. Die Elemente (4, 5; 8) sind räumlich voneinander getrennt und so angeordnet und miteinander verbunden, dass die Einrichtung (3) von der Temperatur abhängige Biegezustände einnimmt.

    Abstract translation: 我们将描述具有温度变化装置（3）的作用下可变形的微系统部件。 该装置包括至少一个相应的第一（4，5）和第二（8），其具有的热膨胀和不同热导率的系数不同的元件。 元件（4,5; 8）在空间上彼此分离并布置并结合在一起，使得所述装置（3）的依赖于温度的弯曲状态的占据。

    THERMAL ISOLATION USING VERTICAL STRUCTURES
    36.
    发明申请
    THERMAL ISOLATION USING VERTICAL STRUCTURES 审中-公开
    使用垂直结构的热隔离

    公开(公告)号：WO01009579A1

    公开(公告)日：2001-02-08

    申请号：PCT/US2000/020699

    申请日：2000-07-28

    IPC: B81B3/00 ,  G01J5/02 ,  G01J5/06 ,  G01J5/20 ,  G01J5/40

    CPC classification number: G01J5/40 ,  B81B3/0081 ,  B81B2201/0278 ,  B81B2201/032 ,  B81B2203/0118 ,  G01J5/02 ,  G01J5/0225 ,  G01J5/023 ,  G01J5/06

    Abstract: This invention relates to the construction of microfabricated devices and, in particular, to types of microfabricated devices requiring thermal isolation from the substrates upon which they are built. This invention discloses vertical thermal isolators and methods of fabricating the vertical thermal isolators. Vertical thermal isolators offer an advantage over thermal isolators of the prior art, which were substantially horizontal in nature, in that less wafer real estate is required for the use of the vertical thermal isolators, thereby allowing a greater density per unit area of the microfabricated devices.

    Abstract translation: 本发明涉及微制造装置的构造，特别涉及需要从其构建基板的热隔离的微加工装置的类型。 本发明公开了垂直热隔离器和垂直隔热器的制造方法。 垂直隔热器具有优于现有技术的隔热装置的优点，其本质上基本上是水平的，因为使用垂直热隔离器需要较少的晶片实际尺寸，从而允许微加工装置的每单位面积的密度更大 。

    SENSORBAUTEIL
    38.
    发明申请
    SENSORBAUTEIL 审中-公开
    传感器部件

    公开(公告)号：WO2014033056A1

    公开(公告)日：2014-03-06

    申请号：PCT/EP2013/067512

    申请日：2013-08-23

    Applicant: ROBERT BOSCH GMBH

    Inventor： BENZEL, Hubert

    IPC: G01L19/00 ,  B81C1/00 ,  G01K7/16 ,  G01N27/16 ,  G01N27/22

    CPC classification number: G01L19/0092 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0278 ,  B81B2207/012 ,  B81C1/00309 ,  G01D5/245 ,  G01N27/223 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

    Abstract: Es wird vorgeschlagen, die Sensorfunktionen eines Drucksensors (11), eines Temperatursensors (12) und eines Feuchtesensors (13) sowie eine Auswerteschaltung (14) für diese Sensorkomponenten (11, 12, 13) in einem Sensorbauteil (200) zu integrieren, wobei zumindest die Drucksensorkomponente (11) in einem MEMS-Bauelement (20) realisiert ist und das Gehäuse (27) des Sensorbauteils (200) mindestens eine Medienzugangsöffnung (28) für die Sensorkomponenten (11, 13) aufweist.

    Abstract translation: 所以建议的压力传感器（11），温度传感器（12）和湿度传感器（13）和用于这些传感器组件（11,12，13）的评估电路（14）的传感器的功能集成在一个传感器部分（200），其中至少 压力传感器组件（11）中的MEMS装置（20）以及用于所述传感器组件（11，13）的传感器元件（200）的至少一个媒体存取开口（28）的壳体（27）来实现。

    MIKROMECHANISCHES ELEMENT, BAUELEMENT MIT EINEM MIKROMECHANISCHEN ELEMENT UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES BAUELEMENTS
    39.
    发明申请
    MIKROMECHANISCHES ELEMENT, BAUELEMENT MIT EINEM MIKROMECHANISCHEN ELEMENT UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES BAUELEMENTS 审中-公开
    微机械元件，用微机械元件元件及其制造方法的用于制造部件

    公开(公告)号：WO2013064634A2

    公开(公告)日：2013-05-10

    申请号：PCT/EP2012/071724

    申请日：2012-11-02

    Applicant: CONTINENTAL TEVES AG & CO. OHG

    Inventor： GÜNTHNER, Stefan ,  SCHMID, Bernhard

    IPC: B81B7/02

    CPC classification number: G01P15/0888 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0278 ,  B81C1/0023 ,  Y10T29/49002

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein mikromechanisches Element (123a), ein Bauelement (100) mit einem mikromechanischen Element (123a) und Verfahren zum Herstellen eines Bauelements (100). Hierbei weist das mikromechanische Element (123a) eine Mehrzahl von Einzelsensorelementen (1'a, 2'a, 3'a, 23a) auf, wobei mit einem ersten Einzelsensorelement (1'a, 2'a, 3'a, 23a) eine erste physikalische Messgröße messbar ist und mit einem zweiten Einzelsensorelement (1'a, 2'a, 3'a, 23a) eine zweite physikalische Messgröße messbar ist.

    Abstract translation: 本发明涉及一种微机械元件（123A），其具有用于制造装置（100），一个微机械元件（123）和方法的部件（100）。 在此，（2'A，3'A 1'A，23A），所述微机械元件（123A）的多个单独的传感器元件（1'A，2'A，3'A，23A），其中第一个体元件具有传感器 第一物理测量变量可以被测量并且与第二单个传感器元件（1'A，2'A，3'A，23A）的第二物理测量变量可以被测量。

    メンブレン構造素子及びその製造方法
    40.
    发明申请
    メンブレン構造素子及びその製造方法 审中-公开
    膜结构元件及其制造方法

    公开(公告)号：WO2007114191A1

    公开(公告)日：2007-10-11

    申请号：PCT/JP2007/056723

    申请日：2007-03-28

    Applicant: 株式会社神戸製鋼所 ,  平野 貴之 ,  川上 信之 ,  甘中 将人

    Inventor： 平野 貴之 ,  川上 信之 ,  甘中 将人

    IPC: H01L37/00 ,  B81C1/00 ,  C23C16/42 ,  G01F1/692 ,  H01L35/34 ,  G01J1/02

    CPC classification number: G01F1/692 ,  B81B2201/0278 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0169 ,  B81C2201/0178 ,  C23C16/402 ,  C23C16/56 ,  Y10T428/24488 ,  Y10T428/24612

    Abstract: 　製作が容易で、断熱性、品質に優れたメンブレン構造素子及びその製造方法を提供する。 　酸化ケイ素膜で形成されたメンブレンと、前記メンブレンの周辺の一部を支持することによってメンブレンを中空状態で支持する基板とを備えたメンブレン構造素子の製造方法である。シリコン基板２の表面側に、プラズマＣＶＤ法により熱収縮可能な酸化ケイ素膜１３を形成する膜形成工程と、前記基板１に形成された前記酸化ケイ素膜１３を熱収縮させる加熱処理を施す加熱処理工程と、前記酸化ケイ素膜１３のメンブレン対応部をメンブレンとして基板２に対して中空状態で支持されるように前記基板２の一部を除去し、凹部４を形成する除去工程を備える。

    Abstract translation: 提供了可以容易地制造的膜结构元件，具有优异的绝缘特性和高质量。 还提供了一种制造这种膜结构元件的方法。 膜结构元件设置有由氧化硅膜形成的膜，以及用于通过支撑膜的周边的一部分来将膜支撑在中空状态的基板。 该膜的制造方法具有通过等离子体CVD法在硅衬底（2）的表面侧形成热收缩性氧化硅膜（13）的成膜工序; 进行热处理的热处理步骤使得形成在基板（1）上的氧化硅膜（13）热收缩; 以及去除所述基板（2）的一部分以使得所述膜的所述氧化硅膜（13）的相应部分以中空状态作为膜被支撑到所述基板（2）的去除步骤，并且形成凹陷 第（4）节。

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