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公开(公告)号：CN105682780B
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201380080641.6
申请日：2013-10-30
Inventor： 罗格·A·麦凯 , 帕特里克·W·萨迪克
IPC: B01D69/00
CPC classification number: B81C1/00539 , B81B2201/058 , B81C1/00119 , B81C2201/0115 , B81C2201/014 , C23C14/5873 , C23F1/02 , C23F1/16 , H01M4/0492 , H01M4/386
Abstract: 蚀刻岛被形成在衬底的第一面和衬底的与第一面不平行的第二面上。衬底的第一面和第二面同时暴露至与蚀刻岛反应的溶液，以同时形成延伸到第一面和第二面内的多孔区域。
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公开(公告)号：CN106458576A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580030617.0
申请日：2015-05-29
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: B81C3/00
CPC classification number: B81C1/00801 , B81B7/0025 , B81B2201/042 , B81B2203/0163 , B81C3/001 , B81C2201/014 , B81C2203/0145 , G02B26/0833
Abstract: 一种微机械层组件(100)，其具有：-至少两个彼此无关地构造的机械的活性的功能层(10、20)，所述功能层(10、20)垂直相叠地布置并且在功能上彼此耦合。
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公开(公告)号：CN105682780A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201380080641.6
申请日：2013-10-30
Inventor： 罗格·A·麦凯 , 帕特里克·W·萨迪克
IPC: B01D69/00
CPC classification number: B81C1/00539 , B81B2201/058 , B81C1/00119 , B81C2201/0115 , B81C2201/014 , C23C14/5873 , C23F1/02 , C23F1/16 , H01M4/0492 , H01M4/386
Abstract: 蚀刻岛被形成在衬底的第一面和衬底的与第一面不平行的第二面上。衬底的第一面和第二面同时暴露至与蚀刻岛反应的溶液，以同时形成延伸到第一面和第二面内的多孔区域。
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公开(公告)号：CN102815659A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210010820.X
申请日：2012-01-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B3/0005 , B81B3/001 , B81B7/007 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2207/012 , B81B2207/07 , B81B2207/092 , B81B2207/095 , B81B2207/096 , B81C1/00269 , B81C1/00579 , B81C2201/0111 , B81C2201/014 , B81C2201/0176 , B81C2203/0118 , B81C2203/019
Abstract: 本发明提供了一种微电子机械系统(MEMS)结构的实施例，该MEMS结构包括MEMS衬底；在该MEMS衬底上设置的半导体材料的第一导电塞和第二导电塞，其中第一导电塞被配置为用于电互连，以及第二导电塞被配置为抗静摩擦力凸块；被配置在该MEMS衬底上并与第一导电塞电连接的MEMS器件；以及盖顶衬底，该盖顶衬底接合至该MEMS衬底，从而该MEMS器件被封闭在MEMS衬底和盖顶衬底之间。本发明还提供了一种具有可移动部件的半导体器件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN101669192B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200880012714.7
申请日：2008-05-12
Applicant: 石井房雄
Inventor： 石井房雄
IPC: H01L21/00
CPC classification number: G02B26/0841 , B81B2201/047 , B81B2203/0181 , B81C1/00801 , B81C2201/014 , B81C2203/0735 , B81C2203/0771
Abstract: 本发明说明了一种由已形成电路的衬底支撑的MEMS器件。该MEMS器件包括至少一个和电路相连的电极和至少一个由电极控制的可动单元。该MEMS器件进一步包括一层电极和电路上方基于半导体材料的保形保护层。在一个优选实施例中，该MEMS器件为微镜，半导体材料为包括Si、SiC、Ge、SiGe、SiNi和SiW的一组材料中的一种。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1986386B
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN200610169098.9
申请日：2006-12-20
Applicant: 施乐公司
CPC classification number: B81C1/00801 , B41J2/14 , B41J2/16 , B41J2/1626 , B41J2/1639 , B41J2002/043 , B81B2201/052 , B81C2201/0109 , B81C2201/0133 , B81C2201/014
Abstract: 一种用于制造微型机械装置的初始结构，所述结构在操作配置中具有多个层，每个层顺序相互层叠，所述层包括第一牺牲层、第二牺牲层和所需下面层，所述第一牺牲层具有与所需下面层类似的材料蚀刻性能，所述第二牺牲层具有与所述所需下面层完全不同的材料蚀刻性能，其中所述第二牺牲层大致经得起用来去除所述第一牺牲层的材料，并且其中所述第二牺牲层能够在所述第一牺牲层通过所述蚀刻去除时保护下面层。
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公开(公告)号：CN101669192A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200880012714.7
申请日：2008-05-12
Applicant: 石井房雄
Inventor： 石井房雄
IPC: H01L21/00
CPC classification number: G02B26/0841 , B81B2201/047 , B81B2203/0181 , B81C1/00801 , B81C2201/014 , B81C2203/0735 , B81C2203/0771
Abstract: 本发明说明了一种由已形成电路的衬底支撑的MEMS器件。该MEMS器件包括至少一个和电路相连的电极和至少一个由电极控制的可动单元。该MEMS器件进一步包括一层电极和电路上方基于半导体材料的保形保护层。在一个优选实施例中，该MEMS器件为微镜，半导体材料为包括Si、SiC、Ge、SiGe、SiNi和SiW的一组材料。
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公开(公告)号：CN100517595C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200580021792.X
申请日：2005-06-23
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/30655 , B81C1/00595 , B81C2201/014 , H01J37/3255 , H01J2237/334
Abstract: 一种适用于产生对于掩膜的高选择性、出色的各向异性外形和大的蚀刻深度的蚀刻方法和蚀刻系统。依据本发明的蚀刻系统包括：设置成对着真空室内的基片电极并且在电势方面保持浮动状态的浮动电极，设置在该浮动电极面对着基片电极的一侧上的用来形成抗蚀刻膜的材料，以及用于间歇地对该浮动电极施加高频功率的控制单元。依据本发明的蚀刻方法使用设置在浮动电极对着基片电极一侧上的用来形成做为靶的抗蚀刻膜的材料，并且只把稀有气体作为主气体，该方法适用于按预定顺序重复地进行借助于对该浮动电极施加高频功率通过溅射在基片上形成膜的步骤，以及接着随后的通过暂停对该浮动电极施加高频功率并把蚀刻气体引入到真空室中而蚀刻基片的步骤。
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公开(公告)号：CN101277897A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200680036330.X
申请日：2006-11-02
Applicant: 卡文迪什动力有限公司
CPC classification number: H01H59/0009 , B81C1/0015 , B81C2201/014 , B81C2201/0176 , G11C23/00 , H01H51/12
Abstract: 本发明提供一种非易失性存储器装置和制造非易失性微机电存储器单元的方法。所述方法包含通过使用原子层沉积在衬底上沉积第一牺牲材料层的第一步骤。所述方法的第二步骤是在所述第一牺牲材料层的至少一部分上方提供悬臂(101)。第三步骤是通过使用原子层沉积在所述第一牺牲材料层上方和所述悬臂的一部分上方沉积第二牺牲材料层，使得所述悬臂的一部分由牺牲材料包围。第四步骤是提供又一材料层(107)，其覆盖所述第二牺牲材料层的至少一部分。最终，最后步骤是蚀刻掉包围所述悬臂的所述牺牲材料，进而界定其中悬置所述悬臂的空腔(102)。
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公开(公告)号：CN101228092A
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200680026566.5
申请日：2006-07-19
Applicant: 高通股份有限公司
Inventor： 笹川照夫 , 克拉伦斯·徐 , 马尼什·科塔里 , 苏里亚·普拉卡什·甘蒂 , 杰弗里·B·桑普塞尔
IPC: B81B3/00
CPC classification number: G02B26/0841 , B81B2201/042 , B81B2203/0307 , B81C1/00595 , B81C2201/014 , G02B26/001
Abstract: 一种微机电系统装置，其具有由牺牲材料形成的支撑结构，所述牺牲材料是以掺杂剂材料选择性扩散或由经选择性氧化的金属牺牲材料形成。所述微机电系统装置包含上面形成有电极的衬底。另一电极通过腔与所述第一电极分离，并形成可移动层，所述可移动层被由经扩散或氧化的牺牲材料形成的支撑结构支撑。
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