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公开(公告)号：CN102906008A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201180025545.2
申请日：2011-06-15
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: B81B3/00
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B3/0021 , B81B2201/01 , B81B2201/014 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81C1/0015 , B81C1/00365 , B81C1/00476 , B81C1/00619 , B81C1/00626 , B81C1/00666 , B81C2201/0109 , B81C2201/013 , B81C2201/0167 , B81C2201/017 , B81C2203/0136 , B81C2203/0172 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , H01H1/0036 , H01H57/00 , H01H59/0009 , H01H2057/006 , H01L41/1136 , H01L2924/0002 , Y10S438/937 , Y10T29/42 , Y10T29/435 , Y10T29/49002 , Y10T29/49105 , Y10T29/49121 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155 , Y10T29/5313 , H01L2924/00
Abstract: 一种形成微机电系统（MEMS）的方法包括在MEMS的腔体内的第一绝缘体层上形成下电极。该方法还包括在下电极的顶部上的另一绝缘材料之上形成上电极，上电极与下电极至少部分地接触。下电极和上电极的形成包括调整下电极和上电极的金属体积以修改梁弯曲。
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公开(公告)号：CN102809812A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201210178442.6
申请日：2012-06-01
Applicant: 株式会社日立显示器
CPC classification number: G02B26/085 , B81B3/0072 , B81B2201/045 , B81C2201/0167
Abstract: 本发明提供一种显示装置和显示装置的制造方法。在可动快门方式的显示器中，使用低残留应力的稳定的非晶硅膜形成可动快门。显示装置中，具有包括第一基板和第二基板的显示面板，上述显示面板具有多个像素，上述各像素具有包含非晶硅的可动快门，和驱动上述可动快门的驱动电路，上述可动快门的上述非晶硅由至少2个非晶硅膜构成，当令上述至少2个非晶硅膜中彼此邻接的2个非晶硅膜为第一非晶硅膜和层叠在上述第一非晶硅膜上的第二非晶硅膜时，上述第一非晶硅膜与上述第二非晶硅膜的特性值不同。
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公开(公告)号：CN102320562A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201110307854.0
申请日：2006-08-17
Applicant: 高通MEMS科技公司
CPC classification number: G02B26/0841 , B81B3/0072 , B81B2201/047 , B81B2203/0163 , B81B2203/019 , B81B2203/0307 , B81B2203/053 , B81C1/00142 , B81C1/00666 , B81C2201/0167 , G02B26/001 , Y10S359/90
Abstract: 本发明涉及用于在MEMS装置内形成层以实现锥形边缘的方法。某些MEMS装置包含经图案化以具有锥形边缘的层。一种形成具有锥形边缘的层的方法包含使用蚀刻前导层。另一种形成具有锥形边缘的层的方法包含沉积其中上部部分可以比下部部分快的速率蚀刻的层。另一种形成具有锥形边缘的层的方法包含使用多个反复蚀刻。另一种形成具有锥形边缘的层的方法包含使用具有包含负角的孔的剥离掩模层，使得可在所述剥离掩模层上沉积一层并去除所述掩模层，从而留下具有锥形边缘的结构。
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公开(公告)号：CN102007559A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200980113529.1
申请日：2009-04-17
Applicant: NXP股份有限公司
Inventor： 古川有纪子 , 克罗斯·赖曼 , 克里斯蒂娜·安德利娜·瑞德斯 , 彼得·G·斯蒂内肯 , 莱斯伯·范彼得森 , 刘瑾 , 弗里斯科·J·耶德玛
CPC classification number: H01G5/18 , B81B3/0072 , B81B2201/0221 , B81B2203/0118 , B81C2201/0167 , H01H1/0094
Abstract: 本发明涉及一种MEMS，例如开发MEMS用于移动通信应用，例如开关、可调谐电容器、可调谐滤波器、移相器、多路复用器、电压控制振荡器以及可调谐匹配网络。相变层的体积变化用于MEMS器件的双稳态致动。MEMS器件包括至少可弯曲悬臂、相变层和电极。给出了一种实现该器件的工艺和一种使用方法。
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公开(公告)号：CN103429525B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201280010116.2
申请日：2012-02-24
Applicant: 哈廷股份公司及两合公司
CPC classification number: H05K1/0271 , B81B3/0072 , B81B2201/11 , B81C2201/0167 , H05K3/303 , Y10T29/49133
Abstract: 本发明涉及一种节省空间的微构件及纳米构件及其制造方法。所述构件的特征在于，所述构件不具有刚性、具有较大厚度的基体。这里在构件内部导致变形和/或拱曲的机械应力通过机械应力补偿结构和/或通过利用沉积适当的应力补偿层实现的主动的机械应力补偿得到补偿，从而没有设置较厚的基体的需要。由此减小的构件的总厚度并且改进了其在技术系统中的可集成性。附加地扩展了这种构件的使用领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103523738B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201210234964.3
申请日：2012-07-06
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
CPC classification number: B81C1/00825 , B81B7/0029 , B81C1/0038 , B81C2201/0167 , B81C2201/053
Abstract: 一种微机电系统薄片，包括硅衬底层、第一氧化层及第一薄膜层；所述硅衬底层包括用于微机电工艺的正面及与所述正面相对的背面，所述正面及所述背面均为抛光面；所述第一氧化层主要成分为二氧化硅，形成于所述硅衬底层的背面；所述第一薄膜层主要成分为氮化硅，形成于所述第一氧化层表面。上述微机电系统薄片中，通过在硅衬底层的背面依次层叠第一氧化层及第一薄膜层，有效保护了背面，防止其在进行微机电工艺过程中划伤。同时还提供了一种微机电系统薄片的制备方法。
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公开(公告)号：CN103121657B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201210337866.2
申请日：2012-09-12
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： 阿尔方斯·德赫
CPC classification number: H04R7/125 , B81B2201/0257 , B81B2203/0127 , B81C1/00158 , B81C1/00476 , B81C2201/0167 , G01L9/0016 , H04R1/005 , H04R7/14 , H04R7/24 , H04R19/005 , H04R31/003 , H04R2201/003 , H04R2440/05
Abstract: 本发明提供了一种微机电系统及其制造方法。微机电系统包括膜结构和背板结构。背板结构包括背板材料以及机械地连接到背板材料的至少一个预张紧元件。所述至少一个预张紧元件在背板材料上形成机械张力以便使背板结构沿着远离膜结构的方向弯曲偏转。
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公开(公告)号：CN102906011B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201180025557.5
申请日：2011-06-15
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B3/0021 , B81B2201/01 , B81B2201/014 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81C1/0015 , B81C1/00365 , B81C1/00476 , B81C1/00619 , B81C1/00626 , B81C1/00666 , B81C2201/0109 , B81C2201/013 , B81C2201/0167 , B81C2201/017 , B81C2203/0136 , B81C2203/0172 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , H01H1/0036 , H01H57/00 , H01H59/0009 , H01H2057/006 , H01L41/1136 , H01L2924/0002 , Y10S438/937 , Y10T29/42 , Y10T29/435 , Y10T29/49002 , Y10T29/49105 , Y10T29/49121 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155 , Y10T29/5313 , H01L2924/00
Abstract: 一种形成至少一个微机电系统（MEMS）腔体的方法包括在下布线层之上形成第一牺牲腔体层。该方法还包括形成一层。该方法还包括在第一牺牲层之上形成第二牺牲腔体层并且该第二牺牲腔体层与该层接触。该方法还包括在第二牺牲腔体层上形成顶盖。该方法还包括在顶盖中形成至少一个排放孔，暴露第二牺牲腔体层的一部分。该方法还包括在排放或剥离第一牺牲腔体层之前，排放或剥离第二牺牲腔体层，使第二牺牲腔体层的顶表面不再接触顶盖的底表面，从而分别形成第一腔体和第二腔体。
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公开(公告)号：CN102295263B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201110173720.4
申请日：2011-06-24
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 乔治.A.邓巴三世 , 杰弗里.C.马林 , 威廉.J.莫菲 , 安东尼.K.斯塔姆珀
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B3/0021 , B81B2201/01 , B81B2201/014 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81C1/0015 , B81C1/00365 , B81C1/00476 , B81C1/00619 , B81C1/00626 , B81C1/00666 , B81C2201/0109 , B81C2201/013 , B81C2201/0167 , B81C2201/017 , B81C2203/0136 , B81C2203/0172 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , H01H1/0036 , H01H57/00 , H01H59/0009 , H01H2057/006 , H01L41/1136 , H01L2924/0002 , Y10S438/937 , Y10T29/42 , Y10T29/435 , Y10T29/49002 , Y10T29/49105 , Y10T29/49121 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155 , Y10T29/5313 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开一种平面腔体微机电系统及相关结构、制造和设计结构的方法。一种形成至少一个微机电系统(MEMS)的方法包括形成下牺牲材料，用于形成下腔体。该方法还包括形成将下腔体连接到上腔体的腔体通孔。该腔体通孔形成有圆形或倒角边缘的俯视外形。该方法还包括在腔体通孔内及其上方形成上牺牲材料，其具有基于该腔体通孔的外形的生成表面。该上腔体形成有顶盖，该顶盖具有不妨碍MEMS梁的结构，包括：在上牺牲材料的生成表面上沉积顶盖材料；以及排出该上牺牲材料以形成上腔体，从而该顶盖材料形成与该上牺牲材料的生成表面保形的顶盖。
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公开(公告)号：CN102712461B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201080051006.1
申请日：2010-09-21
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: B81B3/00
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B2201/018 , B81B2203/0118 , B81B2207/053 , B81C2201/0167
Abstract: 提供了一种非易失性纳米机电系统器件，包括：悬臂结构，该悬臂结构包括具有初始形状的横梁，该横梁在其一端处由支撑底座支撑；以及横梁偏转器，该横梁偏转器包括相变材料(PCM)，该PCM在与横梁的材料无滑动的状况下布置在横梁的一部分上，该PCM采用非晶相或结晶相之一，并且当采用该结晶相时，使横梁从初始形状偏转。
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