公开(公告)号：CN101803003A

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200880106772.6

申请日：2008-07-24

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： T·克拉默 ,  M·伯林格 ,  S·平特 ,  H·本泽尔 ,  M·伊林 ,  F·哈格 ,  S·安布鲁斯特

IPC: H01L21/78 ,  B81C1/00

CPC classification number: H01L21/78 ,  B81C1/00896 ,  B81C2201/053

Abstract: 通过本发明提出了一种用于芯片的制造方法，在该方法中，以晶片复合体的形式，即对多个设置在一个晶片上的芯片并行地执行尽可能多的方法步骤。在此涉及一种用于制造多个芯片的方法，这些芯片的功能性基于基底(1)的表面层(2)实现。在该方法中，所述表面层(2)被结构化并且在所述表面层(2)下方产生至少一个空腔(3)，使得单独的芯片区域(5)仅通过悬挂短臂相互连接和/或与其余的基底(1)连接，和/或，使得这些单独的芯片区域(5)通过所述空腔(3)的区域中的支撑元件(7)与所述空腔(3)下方的基底层(4)连接。在分离这些芯片时，这些悬挂短臂和/或支撑元件(7)被分开。按本发明在分离这些芯片之前将所述基底(1)的结构化的且下方挖空的所述表面层(2)嵌入到一塑料质量(10)中。

公开(公告)号：CN100449684C

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN200480012793.3

申请日：2004-03-24

Applicant: 反射公司

Inventor： S·R·帕特尔 ,  J·多恩

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/76

CPC classification number: B81C1/00793 ,  B81B2201/042 ,  B81C2201/053

Abstract: 在此公开了一种处理微机电器件的方法。此方法通过在连续的牺牲与结构层之间设置选定阻挡层来阻止牺牲层与微机电器件的结构层之间的扩散和相互作用。

公开(公告)号：CN101065826A

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN200580040074.7

申请日：2005-12-14

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 威廉·G·麦克都纳德 ,  斯蒂芬·R·霍泊尔 ,  阿尔温德·S·萨利安

IPC: H01L21/00

CPC classification number: B81C1/00309 ,  B81C2201/053

Abstract: 本发明提出了制造传感器(100)的方法。该方法包括：在晶片上沉积第一预定厚度的牺牲材料(330)，该晶片具有安装于其上的至少一个感测元件，所述牺牲材料至少部分地沉积在所述至少一个感测元件上；在晶片上并且围绕着所沉积的牺牲材料形成第二预定厚度的密封层(332)，该第二预定厚度小于所述第一预定厚度；和去除所述牺牲材料。还提出了按照前述方法制造传感器的设备。

公开(公告)号：CN105593157B

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：CN201480054613.1

申请日：2014-09-15

Applicant: 卡文迪什动力有限公司

Inventor： 迈克·雷诺

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/0038 ,  B81C1/00801 ,  B81C2201/0108 ,  B81C2201/0176 ,  B81C2201/053

Abstract: 本发明总体涉及形成MEMS器件的方法以及通过该方法形成的MEMS器件。在形成MEMS器件时，在腔体内围绕开关元件沉积牺牲材料。所述牺牲材料最终被移除以释放腔内的开关元件。所述开关元件具有在其之上的薄介电层以阻止蚀刻剂与该开关元件的导电材料相互作用。在制造过程期间，介电层被沉积在牺牲材料之上。为了确保介电层和牺牲材料之间的良好粘附，在将介电层沉积在牺牲材料上之前在牺牲材料上沉积富含硅的氧化硅层。

公开(公告)号：CN104340948B

公开(公告)日：2018-02-27

申请号：CN201410364783.1

申请日：2014-07-28

Applicant: 原子能和替代能源委员会

Inventor： 格扎维埃·白琳 ,  伯纳德·迪埃姆 ,  简-菲利普·波利齐 ,  安德烈·罗扎德

IPC: B81B7/02

CPC classification number: B81B7/0058 ,  B81B7/0038 ,  B81B7/0077 ,  B81B2201/0228 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/00285 ,  B81C1/00301 ,  B81C1/00682 ,  B81C2201/053 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0163 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225

Abstract: 本发明涉及一种包括机械加强盖并且具有吸气效应的封装结构。一种用于封装至少一个微型装置(104)的结构(100)，所述至少一个微型装置(104)被制造在基底(102)上和/或基底(102)中并且被定位在至少一个在所述基底和刚性地附接到所述基底上的盖(106)之间形成的腔(110)中，其中，所述盖至少包括：一层第一材料层(112)，所述第一材料层(112)的一个表面(114)形成了所述腔的内壁，以及刚性地附接到所述第一材料层的至少所述表面上的机械加强部分(116)，所述机械加强部分(116)部分地覆盖所述第一材料层的所述表面并且具有气体吸收和/或吸附性能，并且其中，所述机械加强部分的第二材料的杨氏模量高于所述第一材料的杨氏模量。

公开(公告)号：CN105189821B

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201480021763.2

申请日：2014-04-09

Applicant: 崔波 ,  里彭·库马尔·戴

Inventor： 崔波 ,  里彭·库马尔·戴

IPC: C23F1/02 ,  B82Y40/00 ,  C23F1/12 ,  G01Q70/16

CPC classification number: B81C1/00111 ,  B81B1/008 ,  B81B2201/12 ,  B81B2203/0361 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/053 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  G01Q70/12 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32139

Abstract: 本发明提供了一种批量生产纳米级结构(如高纵横比的硅柱阵列)的方法。本发明还涉及使用改进的制造方法制造高纵横比硅柱阵列。硅柱阵列由低纵横比的金字塔形结构阵列制造而成。以批量处理的方式在各个金字塔形结构顶部形成硬质材料掩模(如金属掩模)。随后对金字塔形结构进行蚀刻，去除硬质掩模未保护的衬底材料，从而在金字塔形低纵横比的基础上形成一个高纵横比的柱或柱体，制造出高纵横比硅柱阵列。

公开(公告)号：CN106098574A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610282659.X

申请日：2016-04-29

Applicant: 因文森斯公司

Inventor： D·李

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/311

CPC classification number: B81C1/00801 ,  B81B7/0025 ,  B81B2207/07 ,  B81C2201/053 ,  B81C2203/0785 ,  H01L24/94 ,  H01L21/31144

Abstract: 揭露一种用来制备半导体晶圆的方法和系统。在第一态样中，该方法包含：在该半导体晶圆上的图案化顶部金属上方设置钝化层；使用第一掩膜蚀刻该钝化层，以在该半导体晶圆中开启接合垫；在该半导体晶圆上沉积保护层；使用第二掩膜图案化该保护层；以及使用第三掩膜蚀刻该钝化层，以在该半导体晶圆中开启其它电极。该系统包含MEMS装置，其还包含第一基板和接合至该第一基板的第二基板，其中，该第二基板是由该方法的前述步骤所制备。

公开(公告)号：CN102804347B

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201080026458.4

申请日：2010-03-19

Applicant: 布鲁尔科技公司

Inventor： 唐廷基 ,  G·徐 ,  X-F·钟 ,  洪文斌 ,  T·D·弗莱 ,  K·耶斯 ,  R·K·特里舒尔

IPC: H01L21/312

CPC classification number: B81C1/00801 ,  B81C2201/053 ,  C08G61/08 ,  C08G2261/3324 ,  C08G2261/418 ,  G03F7/033 ,  G03F7/094 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/3081 ,  Y10T428/31645 ,  Y10T428/31667 ,  Y10T428/31692 ,  Y10T428/31855 ,  Y10T428/31909

Abstract: 本发明提供了新组合物以及在半导体和MEMS设备生产过程中使用这些组合物作为保护层的方法。所述组合物包含分散或溶解在溶剂体系中的环烯烃共聚物，可用于形成在酸蚀刻或其它加工和操作过程中保护基片的层。保护层可以是光敏或非光敏的，可与保护层下方的底漆层一起使用，或者不存在底漆层。优选的底漆层包含在溶剂体系中的碱性聚合物。

公开(公告)号：CN102244829B

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201110119075.8

申请日：2011-05-10

Applicant: 欧姆龙株式会社

Inventor： 笠井隆 ,  饭田信行 ,  中村智史

IPC: H04R7/02 ,  H04R31/00

CPC classification number: B81B7/0016 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2207/012 ,  B81C2201/053 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/16151 ,  H04R19/005 ,  H04R31/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种声音传感器及其制造方法，通过利用有背板的保护膜保护硅基板的上表面外周部。在具有背室(35)的硅基板(32)的上方配置有导电性膜片(33)，由固定器(37)支承膜片(33)。硅基板(32)的上表面以隔开间隙覆盖膜片(33)的方式固定绝缘性板部(39)。在板部(39)的下表面设有导电性固定电极膜(40)而构成背板(34)。固定电极膜(40)与膜片(33)之间的静电电容的变化作为电信号从固定侧电极焊盘(45)及可动侧电极焊盘(46)向外部输出。在板部(39)的外周与板部(39)连续地设置有保护膜(53)，保护膜(53)覆盖硅基板(32)的上表面外周部，保护膜(53)的外周与硅基板(32)的上表面外周一致。

公开(公告)号：CN103523738A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201210234964.3

申请日：2012-07-06

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 代丹 ,  张新伟 ,  周国平 ,  夏长奉

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00825 ,  B81B7/0029 ,  B81C1/0038 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/053

Abstract: 一种微机电系统薄片，包括硅衬底层、第一氧化层及第一薄膜层；所述硅衬底层包括用于微机电工艺的正面及与所述正面相对的背面，所述正面及所述背面均为抛光面；所述第一氧化层主要成分为二氧化硅，形成于所述硅衬底层的背面；所述第一薄膜层主要成分为氮化硅，形成于所述第一氧化层表面。上述微机电系统薄片中，通过在硅衬底层的背面依次层叠第一氧化层及第一薄膜层，有效保护了背面，防止其在进行微机电工艺过程中划伤。同时还提供了一种微机电系统薄片的制备方法。