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公开(公告)号:CN1985292A
公开(公告)日:2007-06-20
申请号:CN200580022818.2
申请日:2005-06-24
Applicant: 先锋株式会社
CPC classification number: H01J1/312 , B82Y10/00 , G09G3/22 , G09G2320/043 , H01J29/96 , H01J31/127 , H01J2201/3125 , H01J2329/0484 , H01J2329/96
Abstract: 本发明提供一种电子发射装置及其驱动方法,所述电子发射装置用于显示器、摄像元件、平面光源等,能够抑制经时变化。电子发射装置的驱动方法是具有多个封装起来的电子发射元件的电子发射装置的驱动方法,各个电子发射元件包括:电子供给层,其由硅或主成分为硅的混合物或硅的化合物构成;绝缘体层,其形成于电子供给层上;以及金属薄膜电极,其形成于绝缘体层上,驱动方法的特征在于,其包括:驱动步骤,对电子供给层和金属薄膜电极层之间供电,从电子发射元件发射电子;以及再活化步骤,在驱动步骤之后施加再活化电压,所述再活化电压为使得在电子供给层和金属薄膜电极之间流动的元件电流关于施加电压的微分值中产生不连续的施加电压值以上的电压。
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公开(公告)号:CN1898763A
公开(公告)日:2007-01-17
申请号:CN200580000711.8
申请日:2005-01-17
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01J1/312
CPC classification number: H01J1/312 , B82Y10/00 , H01J31/127 , H01J63/02 , H01J2201/3125
Abstract: 电子发射元件(10A)具有由电介质构成的发射极部(12)、施加用于电子发射的驱动电压(Va)的上部电极(14)以及下部电极(16),上部电极(14)形成在发射极部(12)的上表面上,下部电极(16)形成在发射极部(12)的下表面上,上部电极(14)具有露出发射极部(12)的多个贯通部(20),上部电极(14)中贯通部(20)的周部(26)的与发射极部(12)相对的面与发射极部(12)分离开。
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公开(公告)号:CN1433011A
公开(公告)日:2003-07-30
申请号:CN03101080.6
申请日:2003-01-09
Applicant: 惠普公司
Abstract: 本发明披露了一种场发射平面电子发射器件(100),其具有发射电极(112),提取电极(120),以及和该发射电极、提取电极电连接的平面发射器电子发射层(214)。该平面电子发射器(214)的构型使得优先于其外部区域的电子发射而偏重其中心区域的电子发射。实现该偏重的一个例子通过这样制造平面发射器电子发射层来实现,使得该平面发射器电子发射层具有沿深度方向比其内部(216b)较厚的外周边(216a),当在发射电极和提取电极之间施加电场时,这减少了在外周边的电子发射。在内部区域比在外周边区域,电场以较高的速率从平面发射器电子发射层的表面朝向提取电极汲取电子。该平面发射器件(100)还包括和该平面电子发射器(216)电连接的聚集电极(124)。
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公开(公告)号:CN1419260A
公开(公告)日:2003-05-21
申请号:CN02148085.0
申请日:2002-10-25
Applicant: 松下电工株式会社
IPC: H01J1/304
CPC classification number: G09G3/22 , B82Y10/00 , G09G2310/0254 , G09G2320/043 , H01J1/312
Abstract: 一种电子源(10),具有由下部电极(12)、漂移层(6)、表面电极(7)构成的电子源元件10a。漂移层(6)存在于下部电极(12)和表面电极(7)之间。靠在表面电极(7)和下部电极(12)之间外加使表面电极(7)变为高电位的电压时作用的电场,电子通过漂移层(6),经表面电极(7)而被发射。在表面电极(7)和下部电极(12)之间外加了顺偏压(正电压)时,加压结束后外加反偏压(负电压),漂移层(6)内的收集器(9)捕获的电子向漂移层(6)外发射。由此,电子源(10)的寿命变长。
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公开(公告)号:CN1409358A
公开(公告)日:2003-04-09
申请号:CN02130109.3
申请日:2002-08-21
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/312 , H01J31/127
Abstract: 本发明提供一种图像显示装置,可实现上部电极的布线连接高可靠性。包括:具有下部电极和上部电极,被这些电极夹置的电子加速层,在所述下部电极和上部电极间施加电压并将从该上部电极侧发射电子的薄膜型电子源形成阵列状的基板;以及荧光面;其中,所述阵列状的薄膜型电子源具有为了减少作为所述上部电极的馈电线朝向电子发射部侧的膜厚而进行了锥状加工的上部总线电极,以及用于将所述上部电极分离给每个电子源的悬伸构造。
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公开(公告)号:CN1105392C
公开(公告)日:2003-04-09
申请号:CN97104837.1
申请日:1997-03-21
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01J1/30
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/312 , H01J2237/31783 , H01J2329/00
Abstract: 一种薄膜电子发射器器件具有一种多层结构,该结构由其间夹有绝缘或介电层的上和下电极组成。 该上或“顶”电极由依次叠置在该介电层上的界面层、中介或“中间”层以及表面层组成。该中间层用其升华焓大于表面层的升华焓但小于界面层的升华焓的材料制成。在适当的情况下,表面层可被省略,从而提供了两层结构而不是三层结构。
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公开(公告)号:CN1210620A
公开(公告)日:1999-03-10
申请号:CN97192198.9
申请日:1997-12-10
Applicant: 电灯专利信托有限公司
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/312 , H01J61/545 , H01J2201/306
Abstract: 放电灯的,尤其是借助一种介电阻挡放电运行的放电灯(6)的冷阴极(1),具有两个导电的、相互面对着的电极,在这两个电极之间,夹层式地设置有一个铁电体,至少电极之一具有一个或多个开孔。在运行时,在两个电极上施加一个具有快速变换极性的电压。通过这种方法,在铁电体的表面释放出电子,这些电子在放电灯的运行电压作用下,穿过开孔向着灯的阳极(8)被加速,并且于起动及维持灯(6)的放电。
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公开(公告)号:CN1165393A
公开(公告)日:1997-11-19
申请号:CN97104837.1
申请日:1997-03-21
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/312 , H01J2237/31783 , H01J2329/00
Abstract: 一种薄膜电子发射器器件具有一种多层结构,该结构由其间夹有绝缘或介电层的上和下电极组成。该上或“顶”电极由依次叠置在该介电层上的界面层、中介或“中间”层以及表面层组成。该中间层用其升华焓大于表面层的升华焓但小于界面层的升华焓的材料制成。在适当的情况下,表面层可被省略,从而提供了两层结构而不是三层结构。
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公开(公告)号:CN107591299A
公开(公告)日:2018-01-16
申请号:CN201710545817.0
申请日:2017-07-06
Applicant: 泰勒斯公司
CPC classification number: H01J35/065 , H01J1/15 , H01J1/312 , H01J21/105 , H01J23/04 , H01J2201/30423 , H01J2201/30434 , H01J2235/068
Abstract: 本发明公开了一种具有基于纳米管或纳米线的平面阴极的真空电子管。本发明涉及一种真空电子管,其包括布置在真空室(E)中的至少一个电子发射阴极(C)和至少一个阳极(A),所述阴极具有平面结构,所述平面结构包括基底(Sb)、多个纳米管或纳米线元件以及至少一个第一连接器(CE1),所述基底包括导电材料,所述纳米管或纳米线元件与基底电绝缘,所述纳米管或纳米线元件的纵向轴线实质上平行于基底的平面,所述第一连接器电性联接至至少一个纳米管或纳米线元件,从而能够向纳米线或纳米管元件施加第一电势(V1)。
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公开(公告)号:CN104795295B
公开(公告)日:2017-07-07
申请号:CN201410024419.0
申请日:2014-01-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J1/308 , H01J1/312 , H01J2201/30461 , H01J2201/30469 , H01J2201/3125 , H01J2329/0449 , H01J2329/0455 , H01J2329/0478 , H01J2329/0484 , Y10S977/939
Abstract: 本发明涉及一种电子发射源,其包括:依次层叠设置的一第一电极,一半导体层,一绝缘层以及一第二电极,其中,所述电子发射源还包括设置于所述半导体层与所述绝缘层之间的一电子收集层,所述电子收集层为一导电层。
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