公开(公告)号：JP2008546146A

公开(公告)日：2008-12-18

申请号：JP2008514165

申请日：2006-05-29

Applicant: コミツサリア タ レネルジー アトミーク

Inventor： ジャン・ディジョン ,  トーマス・ゴラール・デ・モンサベール

IPC: H01J1/304 ,  B82B3/00 ,  C01B31/02 ,  H01J9/02 ,  H01J31/12

CPC classification number: H01J9/025 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  D01F9/127 ,  H01J1/3048 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2201/319 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/055

Abstract: 本発明は、支持材上にナノ構造物（１０４）を作製する方法に関し、以下のステップを含むことを特徴とする。 一方の表面上に表面層（１０１）を備える支持材を供給するステップと、触媒によって覆われる表面層の領域及び触媒によって覆われていない表面層の領域を露出するパターンによって構造化される触媒層（１０２）によって表面層を覆うステップと、触媒によって覆われてない領域における表面層（１０１）の厚さをエッチングするステップと、触媒によって覆われる表面層の領域上にナノ構造物（１０４）を選択成長するステップを含む。 本発明は、電気的に独立したナノ構造物でカソード構造物を作製するためにも使用されうる。

公开(公告)号：JP3742447B2

公开(公告)日：2006-02-01

申请号：JP27982795

申请日：1995-10-04

Applicant: モトローラ・インコーポレイテッドMotorola Incorporated

Inventor： ジェームス・イー・ジャスキー ,  ロウレンス・エヌ・ドワースキー

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02 ,  G09F9/313 ,  H01J3/02

CPC classification number: H01J3/022 ,  H01J2201/319 ,  H01J2329/00

公开(公告)号：WO2007026086A2

公开(公告)日：2007-03-08

申请号：PCT/FR2006/050490

申请日：2006-05-29

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ,  MEYER, Robert ,  MONTMAYEUL, Brigitte

Inventor： MEYER, Robert ,  MONTMAYEUL, Brigitte

CPC classification number: H01J9/025 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  D01F9/127 ,  H01J1/3048 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2201/319 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/055

Abstract: L'invention concerne un procédé de réalisation d'une structure de cathode de type triode comprenant des étapes de dépôt et des étapes de gravure d'une couche de cathode pour la structurer en conducteurs de cathode ; d'une couche de grille pour la structurer en conducteurs de grille ; d'une couche d'isolant électrique et des conducteurs de grille jusqu'à atteindre une couche résistive pour fournir des cavités ; des conducteurs de cathode pour leur donner une structure ajourée au niveau de l'intersection des conducteurs de cathode et des conducteurs de grille. L'invention réside dans les étapes de gravure des conducteurs de grille et de la couche d'isolant électrique, qui s'effectuent par : a) dépôt d'une couche de résine sur la couche de grille, b) lithographie et développement de la couche de résine selon un motif pour obtenir des plots émissifs, c) gravure de la couche de grille, structurée en conducteurs de grille, selon le motif, d) gravure de la couche d'isolant sous-jacente à la couche de grille en élargissant la gravure au-delà des motifs de plots émissifs, e) gravure de la couche de grille au niveau des zones exposées par la gravure de la couche d'isolant jusqu'à atteindre la couche de résine, f) dépôt d'une couche de catalyseur dans les ouvertures de la couche de résine de manière à former les plots émissifs au fond des cavités, g) élimination de la couche de résine.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造三极管型阴极结构的方法，包括用于沉积和蚀刻阴极层以将其转变成阴极导体的步骤的步骤; 网格层将其转换为网格导体; 电绝缘层和栅格导体，直到实现电阻层以提供空腔; 阴极导体，以在阴极导体和电网导体的交叉点处提供开放式结构。 本发明的特征在于用于蚀刻栅格导体和电绝缘层的步骤包括：a）在栅格层上沉积树脂层; b）通过光刻图案化树脂层以获得发光垫; c）基于图案将结构化栅格层蚀刻成栅格导体; d）通过扩大超出发光垫的蚀刻蚀刻网格层下方的绝缘层; e）通过蚀刻绝缘层在暴露的区域蚀刻栅格层，直到达到树脂层; f）将催化剂层沉积到树脂层的开口中，以在空腔的底部形成发射垫; g）除去树脂层。

公开(公告)号：WO1997042644A1

公开(公告)日：1997-11-13

申请号：PCT/US1997007855

申请日：1997-05-05

Applicant: MICRON DISPLAY TECHNOLOGY, INC.

Inventor： MICRON DISPLAY TECHNOLOGY, INC. ,  XIA, Zhongyi ,  WESTPHAL, Michael, J. ,  LEE, John, K. ,  BROWNING, Jim, J.

IPC: H01J01/30

CPC classification number: H01J29/06 ,  H01J1/3042 ,  H01J29/96 ,  H01J2201/304 ,  H01J2201/319 ,  H01J2329/00

Abstract: A field emission display having emitters controlled by an integrated driving circuit. The field emission display includes a charge shield positioned above exposed areas of the substrate to protect driving circuitry integrated into the substrate. The charge shield is a conductive layer within an insulative layer covering the driving circuit. The charge shield is connected to ground or to a low reference potential to bleed away current within the insulative layer, thereby preventing drifting charges from affecting the electrical response of the integrated driving circuit. The charge shield also terminates electric fields within the insulative layer to reduce the effect on the integrated driving circuit of dynamic variations in surface charge. Electrical characteristics of the driving circuit thus remain constant, reducing variations in the current supplied to the emitters, thereby reducing variations in the intensity of light emitted by the display.

Abstract translation: 具有由集成驱动电路控制的发射极的场致发射显示器。 场发射显示器包括位于衬底的暴露区域之上的电荷屏蔽，以保护集成到衬底中的驱动电路。 电荷屏蔽是覆盖驱动电路的绝缘层内的导电层。 电荷屏蔽层连接到地或低参考电位以排除绝缘层内的电流，从而防止漂移电荷影响集成驱动电路的电响应。 电荷屏蔽还终止绝缘层内的电场，以减少集成驱动电路对表面电荷的动态变化的影响。 因此，驱动电路的电气特性保持恒定，减少了提供给发射器的电流的变化，从而减少了由显示器发射的光的强度变化。

公开(公告)号：WO1997026679A1

公开(公告)日：1997-07-24

申请号：PCT/US1997000757

申请日：1997-01-17

Applicant: MICRON TECHNOLOGY, INC.

Inventor： MICRON TECHNOLOGY, INC. ,  McTEER, Everett, A. ,  ZAHORIK, Russell, C. ,  MEIKLE, Scott, G.

IPC: H01L31/0232

CPC classification number: H01L21/76849 ,  H01J1/52 ,  H01J29/896 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30403 ,  H01J2201/319 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/53223 ,  H01L31/02161 ,  H01L2221/1078 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Titanium aluminum nitrogen ("Ti-Al-N") is deposited onto a semiconductor substrate area to serve as an antireflective coating. For wiring line fabrication processes, the Ti-Al-N layer serves as a cap layer (56) which prevents unwanted reflection of photolithography light (i.e., photons) during fabrication. For field emission display devices (FEDs) (150), the Ti-Al-N layer (200) prevents light originating at the display screen (118) anode from penetrating transistor junctions that would hinder device operation. For the wiring line embodiment an aluminum conductive layer (54) and a titanium-aluminum underlayer (52) are formed beneath the antireflective cap layer. The Ti-Al underlayer reduces the shrinkage which occurs in the aluminum conductive layer during heat treatment.

Abstract translation: 将钛铝氮（“Ti-Al-N”）沉积到半导体衬底区域上以用作抗反射涂层。 对于布线制造工艺，Ti-Al-N层用作覆盖层（56），其防止在制造期间光刻光（即光子）的不期望的反射。 对于场发射显示装置（FED）（150），Ti-Al-N层（200）防止源自显示屏（118）阳极的光穿透将阻碍器件操作的晶体管结。 对于布线实施例，铝合金导电层（54）和钛 - 铝底层（52）形成在防反射盖层下面。 Ti-Al底层减少了在热处理期间在铝导电层中发生的收缩。

公开(公告)号：WO1997009731A2

公开(公告)日：1997-03-13

申请号：PCT/US1996013330

申请日：1996-08-19

Applicant: FED CORPORATION

Inventor： FED CORPORATION ,  JONES, Gary, W. ,  ZIMMERMAN, Steven, M. ,  SILVERNAIL, Jeffrey, A. ,  JONES, Susan, K., Schwartz

IPC: H01J00/00

CPC classification number: H01J9/025 ,  H01J3/022 ,  H01J2201/319 ,  H01J2329/00 ,  Y10S428/938

Abstract: A field emitter device formed by a veil process wherein a protective layer (64/66) comprising a release layer (64) is deposited on the gate electrode layer (62) for the device, with the protective layer overlying the circumscribing peripheral edge of the opening of the gate electrode layer, to protect the edge of the gate electrode layer during etching of the field emitter cavity (72) in the dielectric material layer (30) on a substrate, and during the formation of a field emitter element (40) in the cavity by depositing a field emitter material through the opening. The protective layer is readily removed subsequent to completion of the cavity etching and emitter formation steps, to yield the field emitter device. Also disclosed are various planarizing structures and methods, and current limiter compositions permitting high efficiency emission of electrons from the field emitter elements at low turn-on voltages.

Abstract translation: 一种通过面纱工艺形成的场发射器件，其中包括释放层（64）的保护层（64/66）沉积在用于器件的栅极电极层（62）上，其中保护层覆盖在该外围边缘 在栅极电极层的开口处，以在蚀刻衬底中的电介质材料层（30）中的场致发射体空腔（72）和在形成场致发射体元件（40）期间保护栅电极层的边缘， 通过沉积通过开口的场发射体材料在腔中。 在腔蚀刻和发射极形成步骤完成之后，保护层容易去除，以产生场致发射器件。 还公开了各种平面化结构和方法，以及允许在低导通电压下从场致发射元件高效发射电子的限流器组合物。

公开(公告)号：WO1996038853A1

公开(公告)日：1996-12-05

申请号：PCT/US1996007991

申请日：1996-05-30

Applicant: MICROELECTRONICS AND COMPUTER TECHNOLOGY CORPORATION

Inventor： MICROELECTRONICS AND COMPUTER TECHNOLOGY CORPORATION ,  KUMAR, Nalin

IPC: H01J01/30

CPC classification number: H01J1/3042 ,  H01J1/304 ,  H01J1/316 ,  H01J9/027 ,  H01J31/127 ,  H01J61/0677 ,  H01J63/06 ,  H01J2201/30426 ,  H01J2201/30457 ,  H01J2201/3165 ,  H01J2201/319 ,  H01J2329/00 ,  H01J2329/8625

Abstract: A matrix addressable flat panel display includes a flat cathode (31) operable for emitting electrons to an anode (15) when an electric field is produced across the surface of the flat cathode by two electrodes (34) placed on each side of the flat cathode. The flat cathode (31) may consist of a cermet or amorphic diamond or some other combination of a conducting material and an insulating material such as a low effective work function material. The electric field produced causes electrons to hop on the surface of the cathode (31) at the conducting-insulating interfaces. An electric field produced between the anode (15) and the cathode (31) causes these electrons to bombard a phosphor layer (16) on the anode (15).

Abstract translation: 矩阵可寻址平板显示器包括平面阴极（31），当通过放置在平面阴极的每一侧上的两个电极（34）跨平面阴极的表面产生电场时，可操作以将电子发射到阳极（15） 。 平面阴极（31）可以由金属陶瓷或非晶金刚石或导电材料和绝缘材料的一些其它组合构成，例如低有效功函数材料。 所产生的电场导致电子在导电绝缘界面处在阴极（31）的表面上跳跃。 在阳极（15）和阴极（31）之间产生的电场使得这些电子轰击阳极（15）上的荧光体层（16）。

公开(公告)号：WO1996008028A1

公开(公告)日：1996-03-14

申请号：PCT/US1995011463

申请日：1995-09-07

Applicant: FED CORPORATION

Inventor： FED CORPORATION ,  JONES, Gary, W. ,  ZIMMERMAN, Steven, M.

IPC: H01J09/02

CPC classification number: G09G3/001 ,  G01R33/10 ,  G02B27/017 ,  G02B27/0172 ,  G02B27/0176 ,  G02B27/2235 ,  G02B2027/0132 ,  G02B2027/0136 ,  H01J1/3042 ,  H01J3/022 ,  H01J9/025 ,  H01J29/028 ,  H01J29/94 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/304 ,  H01J2201/30426 ,  H01J2201/30457 ,  H01J2201/319 ,  H01J2209/385 ,  H01J2329/00 ,  H01J2329/8625 ,  H01J2329/863 ,  H01J2329/864 ,  H04N5/70 ,  H04N5/7408 ,  H04N5/7491 ,  H04N13/194 ,  H04N13/286 ,  H04N13/324 ,  H04N13/341 ,  H04N13/344 ,  H04N13/361 ,  H04N13/363 ,  H04N13/365 ,  H04N13/398

Abstract: A field emitter structure, comprising: a base substrate (42); a field emitter element (48) on the base substrate; a multilayer differentially etched dielectric stack (58, 60) circumscribingly surrounding the field emitter element on the base substrate; and a gate electrode (66) overlying the multilayer differentially etched dielectric stack, and in circumscribing spaced relationship to the field emitter element. Also disclosed are electron source devices, comprising an electron emitter element including a material selected from the group consisting of leaky dielectric materials, and leaky insulator materials, as well as electron source devices, comprising an electron emitter element including an insulator material doped with a tunneling electron emission enhancingly effective amount of a dopant species, and thin film triode devices.

Abstract translation: 一种场发射器结构，包括：基底（42）; 在基底基板上的场致发射体元件（48）; 围绕基底衬底上的场发射体元件的多层差分蚀刻电介质叠层（58,60）; 以及覆盖所述多层差分蚀刻的电介质叠层并且与所述场发射极元件间隔开的关系的栅电极（66）。 还公开了电子源器件，其包括电子发射器元件，其包括选自由漏电介质材料和漏绝缘体材料组成的组的材料，以及电子源器件，其包括电子发射器元件，该电子发射器元件包括掺杂有隧道 电子发射增加有效量的掺杂物种类和薄膜三极管器件。

公开(公告)号：WO1995026037A1

公开(公告)日：1995-09-28

申请号：PCT/US1995003709

申请日：1995-03-24

Applicant: FED CORPORATION

Inventor： FED CORPORATION ,  JONES, Gary, W.

IPC: H01J01/02

CPC classification number: H01J63/04 ,  H01J1/304 ,  H01J23/06 ,  H01J29/085 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30403 ,  H01J2201/30426 ,  H01J2201/319 ,  H01J2237/06341 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/0835

Abstract: A field emitter device (10) for selective emission of an electron and/or ion beam comprising a substrate member (12) having an array (14) of field emitter elements (16) thereon, in which the field emitter elements and/or substrate member have a varied conformation producing a beam of appropriate focused and/or directional character. Also disclosed is a display article (260) for producing an output in response to impingement of electron beams thereon, comprising a substrate member (262) on which is disposed an array of phosphor elements (264), with a diamond-like film coated on the phosphor elements to maintain the phosphor elements in position on the substrate member. Also disclosed is a field emission apparatus (210) comprising such field emitter device and display article, such as a flat panel display.

Abstract translation: 一种用于选择性地发射电子和/或离子束的场致发射器件（10），包括在其上具有场发射极元件（16）的阵列（14）的衬底构件（12），其中场发射极元件和/或衬底 成员具有不同的构象，产生适当聚焦和/或定向角色的光束。 还公开了一种用于响应于其上的电子束的撞击而产生输出的显示制品（260），其包括衬底构件（262），荧光体元件（264）阵列上布置有金刚石薄膜 荧光体元件将磷光体元件保持在基板部件上的适当位置。 还公开了包括诸如平板显示器之类的场发射器件和显示器件的场致发射设备（210）。

公开(公告)号：WO9119023A3

公开(公告)日：1992-06-25

申请号：PCT/US9103611

申请日：1991-05-23

Applicant: SAVIN CORP

Inventor： SHER ARDEN ,  SABO KAREN ,  BRODIE IVOR ,  SPINDT CHARLES A

IPC: G01K1/02 ,  H01J9/02 ,  H01L21/225 ,  H01L21/314 ,  H01L21/324 ,  H01L21/768 ,  C25D

CPC classification number: H01L21/3245 ,  G01K1/026 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30403 ,  H01J2201/319 ,  H01L21/2255 ,  H01L21/314 ,  H01L21/768

Abstract: This invention relates to a method or forming and using a very dense layer of particles that have been encapsulated in a thermoplastic polymer binder and electrically deposited on a substrate. Space-charge-limited deposition is made possible by the addition of novel charge directors that are essentially nonconductive in aliphatic hydrocarbon liquid in the absence of binder. The particle layer can be designed to possess numerous characteristics by varying the particles to be encapsulated. Many structures can be fabricated from the different particle layers including thermal detectors, electrical interconnects, p-n junctions, micro-metallic structures, field-emitting devices, and optical coatings. A technique for the removal of semiconductor dislocations is also discussed.