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公开(公告)号：CN118943145A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410503778.8
申请日：2024-04-25
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L27/12 , H10K59/121 , H10K59/123 , H10K59/131
Abstract: 本发明涉及半导体装置。课题在于实现具有高迁移率的半导体装置。半导体装置包括：栅电极；前述栅电极之上的栅极绝缘层；前述栅极绝缘层之上的以铝为主成分的金属氧化物层；前述金属氧化物层之上的具有多晶结构的氧化物半导体层；从前述氧化物半导体层之上与前述氧化物半导体层相接的源电极及漏电极；和前述源电极及前述漏电极之上的绝缘层。在将供给至前述栅电极的电压设为Vg、将前述半导体装置的阈值电压设为Vth、将由前述栅电极和前述氧化物半导体层夹持的前述栅极绝缘层的静电电容设为Cox的情况下，前述半导体装置的线性迁移率在(Vg‑Vth)×Cox＝5×10‑7C/cm2时大于20cm2/Vs。
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公开(公告)号：CN118872076A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202380028097.4
申请日：2023-03-14
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/786 , G09F9/00 , G09F9/30 , H01L21/306 , H01L21/3065 , H01L21/336 , H05B33/02 , H10K50/00 , H10K59/00
Abstract: 半导体装置的制造方法中，在绝缘表面上形成以铝为主成分的氧化金属层，对氧化金属层的表面实施平坦化处理，在进行了平坦化处理的表面之上形成氧化物半导体层，在氧化物半导体层之上形成栅极绝缘层，在栅极绝缘层之上形成与氧化物半导体层对置的栅电极。
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公开(公告)号：CN118872074A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202380025339.4
申请日：2023-02-20
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/363
Abstract: 氧化物半导体膜是设置在基板之上的具有结晶性的氧化物半导体膜，氧化物半导体膜包含铟(In)元素和选自由铝(Al)元素、镓(Ga)元素、钇(Y)元素、钪(Sc)元素及镧系元素组成的组中的第一金属(M1)元素，氧化物半导体膜包含多个晶粒，该多个晶粒分别包括通过EBSD(电子背散射衍射)法获取的晶体取向＜001＞、晶体取向＜101＞及晶体取向＜111＞中的至少一者，在基于具有相对于基板的表面的法线方向而言的晶体取向差为0°以上15°以下的晶体取向的测定点算出的晶体取向的占有率中，晶体取向＜111＞的占有率比晶体取向＜001＞的占有率及晶体取向＜101＞的占有率大。
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公开(公告)号：CN118661268A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202380020878.9
申请日：2023-03-13
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H10K50/00
Abstract: 半导体装置，其包含：基板；基板之上的绝缘层；绝缘层之上的氧化金属层；和氧化金属层之上的氧化物半导体层，绝缘层包含：与氧化金属层重叠的第1区域；和与氧化金属层不重叠的第2区域，其中，第1区域的氢浓度大于第2区域的氢浓度，第1区域的氮浓度大于第2区域的氮浓度。第1区域的氮浓度随着从基板朝向氧化金属层而变大。
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公开(公告)号：CN118553770A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410201026.6
申请日：2024-02-23
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/423 , H01L29/786 , H01L27/12
Abstract: 本发明涉及半导体装置。课题在于抑制应力试验前后的半导体装置的电气特性变化。半导体装置包含第1栅电极、所述第1栅电极之上的第1绝缘层、所述第1绝缘层之上的氧化物半导体层、所述氧化物半导体层之上的第2绝缘层和所述第2绝缘层之上的第2栅电极。所述第1绝缘层包含含有硅及氮的第1层、含有硅及氧的第2层以及含有铝及氧的第3层。所述第1层的厚度为10nm以上190nm以下。所述第2层的厚度为10nm以上100nm以下。所述第1层及所述第2层的合计厚度为200nm以下。所述第3层的厚度为1nm以上10nm以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118398661A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410049356.8
申请日：2024-01-12
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/78 , H01L27/12 , G02F1/1362
Abstract: 本发明涉及半导体器件。本发明能够不降低半导体器件的电气特性而增大工艺余量。半导体器件包含：氧化物半导体层，其包含多晶构造；栅电极，其与所述氧化物半导体层相对；所述氧化物半导体层与所述栅电极之间的栅极绝缘层；第1透明导电层，其与所述氧化物半导体层连接；和第2透明导电层，其设置在与所述第1透明导电层的同一层、并与所述第1透明导电层分离，所述第1透明导电层的结晶性与所述第2透明导电层的结晶性不同。
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公开(公告)号：CN111554692A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010082372.9
申请日：2020-02-07
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L27/12 , H01L21/84 , G02F1/1333 , G02F1/1362 , G02F1/1368
Abstract: 本发明要解决的技术问题在于，提供能够使有机平坦化膜中含有的水分减少、并且使薄膜晶体管的特性的变动减少的半导体器件和半导体器件的制造方法。本发明的半导体器件包括：形成有具有源极电极的薄膜晶体管的半导体基片；像素电极；有机平坦化膜；形成在上述有机平坦化膜上的阻挡膜；形成在上述阻挡膜上的电容绝缘膜；和贯通孔，其设置在上述有机平坦化膜、上述阻挡膜和上述电容绝缘膜中，使得上述源极电极露出。上述贯通孔具有：上述有机平坦化膜露出的第一部分；和上述有机平坦化膜不露出的第二部分。上述像素电极在上述贯通孔的内部与上述源极电极连接。
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公开(公告)号：CN119789527A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411353486.7
申请日：2024-09-26
Applicant: 株式会社日本显示器
Abstract: 本发明提供具有高可靠性的半导体装置。半导体装置包括：第一栅电极；第一栅电极之上的包含具有多晶结构的第一氧化物半导体的氧化物半导体层；与氧化物半导体层电连接的源电极及漏电极；和源电极及漏电极之上的与第一栅电极及氧化物半导体层重叠的第二栅电极，在俯视观察下，第二栅电极与源电极及漏电极分别具有间隙地配置，第二栅电极与第一栅电极电连接。
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公开(公告)号：CN119767810A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411135598.5
申请日：2024-08-19
Applicant: 株式会社日本显示器
Abstract: 本发明实现可靠性高的放射线检测装置。放射线检测装置具有：氧化物半导体层被用于沟道的晶体管；与所述晶体管连接的光电转换层；与所述光电转换层对置且基于吸收的放射线来放出可见光的波长转换层；和在所述晶体管与所述光电转换层之间与所述氧化物半导体层接触且具有50nm以下的膜厚的氧化物层。所述晶体管也可以包括与所述氧化物半导体层对置的栅电极层及位于所述氧化物半导体层与所述栅电极层之间的栅极绝缘层，所述氧化物半导体层也可以比所述栅电极层更接近所述光电转换层。
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公开(公告)号：CN119767751A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411341883.2
申请日：2024-09-25
Applicant: 株式会社日本显示器
Abstract: 本发明涉及半导体装置。提供具有高的可靠性的半导体装置。半导体装置包含：栅电极；具有多晶结构的氧化物半导体层；栅电极与氧化物半导体层之间的栅极绝缘层；和氧化物半导体层上的源电极及漏电极，氧化物半导体层包含：源极区域，其包含杂质元素，与源电极电连接；漏极区域，其包含杂质元素，与漏电极电连接；源极区域与漏极区域之间的沟道区域；第1区域，其包含沿着从源极区域朝向漏极区域的第1方向延伸的第1缘部，且与沟道区域邻接，第1区域具有比源极区域及漏极区域的各自高的电阻率，在40℃时使用包含磷酸作为主成分的蚀刻液对氧化物半导体层进行蚀刻时的蚀刻速率小于3nm/min。
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