公开(公告)号：CN106078495A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610457337.4

申请日：2008-10-28

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 锅谷治 ,  户川哲二 ,  安田穗积 ,  斋藤康二 ,  福岛诚

IPC: B24B37/32

CPC classification number: B24B37/32

Abstract: 一种抛光设备用于将诸如半导体晶片的基板抛光到平坦镜面光洁度。该抛光设备包括具有抛光表面的抛光台、设置成用于保持基板以及使基板压靠所述抛光表面的顶环本体、设置在所述顶环本体的外周部分并且设置成用于压靠所述抛光表面的保持环、以及固定到所述顶环本体并且设置成用于与所述保持环的环部件滑动接触从而引导所述环部件的运动的保持环引导部。环部件与保持环引导部的相互滑动接触的滑动接触表面中的任意一个包括低摩擦材料。

公开(公告)号：CN102513920B

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201110447907.9

申请日：2005-10-31

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 锅谷治 ,  户川哲二 ,  福岛诚 ,  安田穗积

IPC: B24B37/07 ,  B24B37/20 ,  B24B37/34 ,  B24B51/00

CPC classification number: B24B37/20 ,  B24B37/005 ,  B24B37/10 ,  B24B37/105 ,  B24B37/30 ,  B24B37/32 ,  B24B47/22 ,  B24B49/00 ,  B24B49/16

Abstract: 抛光设备(1)具有抛光垫(22)、用于夹持半导体晶片(W)的顶环(20)、可操作地沿垂直方向移动顶环(20)的垂直运动机构(24)、当顶环(20)的下表面接触抛光垫(22)时可操作地检测顶环(20)的距离测量传感器(46)、可操作地基于距离测量传感器(46)检测到的位置计算顶环(20)抛光半导体晶片(W)的最佳位置的控制器(47)。垂直运动机构(24)包括可操作地将顶环(20)移动到最佳位置的滚珠丝杆机构(30，32，38，42)。

公开(公告)号：CN104942699A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201510148861.9

申请日：2015-03-31

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 並木计介 ,  安田穗积 ,  锅谷治 ,  福岛诚 ,  富樫真吾 ,  山木晓 ,  矶野慎太郎

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/32 ,  B24B37/005 ,  B24B37/015 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: B24B37/015 ,  B24B37/32 ,  B24B37/345 ,  B24B49/003 ,  B24B49/105 ,  B24B49/12 ,  B24B37/005 ,  B24B37/10

Abstract: 本发明提供一种可抑制基板保持部件的保持环形状的每个保持环的偏差和经时变化所带来的研磨外形的重现性下降。该研磨装置具有：研磨头(1)，该研磨头将基板(W)按压到研磨垫(101)上并具有将被按压到研磨垫(101)上的基板(W)包围的挡环(3)；测定用传感器(51)，该测定用传感器对挡环(3)的表面形状进行测定；以及控制部(500)，该控制部根据由测定用传感器(51)测定的挡环(3)的表面形状来决定基板(W)的研磨条件。

公开(公告)号：CN101422874B

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN200810174959.1

申请日：2008-10-28

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 锅谷治 ,  户川哲二 ,  安田穗积 ,  斋藤康二 ,  福岛诚

IPC: B24B29/02

CPC classification number: B24B37/32

Abstract: 一种抛光设备用于将诸如半导体晶片的基板抛光到平坦镜面光洁度。该抛光设备包括具有抛光表面的抛光台、设置成用于保持基板以及使基板压靠所述抛光表面的顶环本体、设置在所述顶环本体的外周部分并且设置成用于压靠所述抛光表面的保持环、以及固定到所述顶环本体并且设置成用于与所述保持环的环部件滑动接触从而引导所述环部件的运动的保持环引导部。环部件与保持环引导部的相互滑动接触的滑动接触表面中的任意一个包括低摩擦材料。

公开(公告)号：CN101444897B

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN200810178331.9

申请日：2008-11-28

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 安田穗积 ,  福岛诚 ,  户川哲二

IPC: B24B29/02 ,  H01L21/00 ,  B24B49/08

CPC classification number: B24B37/30

Abstract: 抛光设备用于抛光基片例如半导体晶片为平坦的镜面加工面。抛光设备包括具有抛光表面的抛光台、具有至少一个设计成形成被供给加压流体的多个压力室的弹性膜的抛光头和设计成控制加压流体向压力室的供给的控制器。控制器控制加压流体的供给，这样当基片与抛光表面接触时，加压流体首先供给位于基片中央部的压力室，然后加压流体供给位于基片中央部的压力室的径向外侧的压力室。

公开(公告)号：CN101585164A

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200810165796.0

申请日：2005-10-31

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 锅谷治 ,  户川哲二 ,  福岛诚 ,  安田穗积

IPC: B24B29/00 ,  H01L21/304 ,  B24B49/02 ,  B24B53/12 ,  B24B41/047

Abstract: 抛光设备(1)具有抛光垫(22)、用于夹持半导体晶片(W)的顶环(20)、可操作地沿垂直方向移动顶环(20)的垂直运动机构(24)、当顶环(20)的下表面接触抛光垫(22)时可操作地检测顶环(20)的距离测量传感器(46)、可操作地基于距离测量传感器(46)检测到的位置计算顶环(20)抛光半导体晶片(W)的最佳位置的控制器(47)。垂直运动机构(24)包括可操作地将顶环(20)移动到最佳位置的滚珠丝杆机构(30，32，38，42)。

公开(公告)号：CN101444897A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200810178331.9

申请日：2008-11-28

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 安田穗积 ,  福岛诚 ,  户川哲二

IPC: B24B29/02 ,  H01L21/00 ,  B24B49/08

CPC classification number: B24B37/30

Abstract: 抛光设备用于抛光基片例如半导体晶片为平坦的镜面加工面。抛光设备包括具有抛光表面的抛光台、具有至少一个设计成形成被供给加压流体的多个压力室的弹性膜的抛光头和设计成控制加压流体向压力室的供给的控制器。控制器控制加压流体的供给，这样当基片与抛光表面接触时，加压流体首先供给位于基片中央部的压力室，然后加压流体供给位于基片中央部的压力室的径向外侧的压力室。

公开(公告)号：CN100405555C

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200480020146.7

申请日：2004-07-14

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 野路郁太郎 ,  安田穗积 ,  饭泉健 ,  广川一人 ,  小畠严贵

IPC: H01L21/3063 ,  H01L21/304 ,  C25F3/16

Abstract: 本发明提供一种电解处理装置和电解处理方法，能够有效地避免形成会对影响处理产品的质量的凹坑。该电解处理装置包括：用于处理工件的处理电极(210)；用于给工件供电的供电电极(212)；用于向处理电极(210)和供电电极(212)之间施加电压的电源(232)；在其中容纳处理电极(210)和供电电极(212)的压力密闭容器(200)；和用于将高压液体供应到压力密闭容器(210)内的高压液体供应系统(204)。

公开(公告)号：CN100334691C

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN03811301.5

申请日：2003-05-16

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 白樫充彦 ,  安田穗积 ,  粂川正行 ,  小畠严贵

IPC: H01L21/3063 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3205 ,  C25F3/00 ,  C25F7/00 ,  B23H3/02

CPC classification number: H01L21/02087 ,  B23H5/04 ,  B23H5/08 ,  B24B37/345 ,  C25F3/00 ,  C25F7/00 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67219 ,  H01L21/6723 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76873

Abstract: 本发明提供了一种衬底加工设备，该设备可通过利用电解加工方法加工衬底，同时把在CMP加工上的负载降低到最小可能的程度。本发明的衬底加工设备包括：电解加工单元(36)，该单元对具有形成在所述表面上的待加工膜的衬底表面电解地去除，所述单元包括接触该衬底W所述表面的馈电区段(373)；倾斜-刻蚀单元(48)，该单元用于刻蚀掉这样的部分，该部分为该衬底的在已经与在该电解加工单元(36)中馈电区段(373)接触部分上的保持未加工的待加工膜；用于化学和机械地对衬底表面进行抛光的化学机械抛光单元(34)。

公开(公告)号：CN1656257A

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：CN03811966.8

申请日：2003-03-25

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 锅谷治 ,  粂川正行 ,  安田穗积 ,  小畠严贵 ,  饭泉健 ,  高田畅行 ,  深谷孝一

IPC: C25F3/00 ,  C25F7/00 ,  H01L21/3063

CPC classification number: C25F3/00 ,  C25F7/00 ,  H01L21/32115

Abstract: 提供一种例如能省略CMP处理本身，或者既能尽量减小CMP处理的负荷、又能把设置在基片表面上的导电性材料加工成平整状态，并且还能除去(清洗)附着在基片等被加工物的表面上的附着物的电解加工装置，其特征在于具有：电极部，并列地布置了多个电极部件，电极部件包括电极和对电极的表面进行覆盖的离子交换体；保持部，保持被加工物，使被加工物与电极部件的离子交换体自如接触或接近；以及电源，连接到电极部的各电极部件的电极，电极部件的离子交换体具有：表面平滑性良好的离子交换体、以及离子交换容量大的离子交换体。