公开(公告)号：KR100980528B1

公开(公告)日：2010-09-07

申请号：KR1020087014405

申请日：2006-11-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  아키야마고지 ,  야마자키가즈요시 ,  가와노유미코

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  C23C16/56

CPC classification number: C23C16/16 ,  C23C8/16 ,  C23C8/36 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28176 ,  H01L29/495 ,  H01L29/517

Abstract: 반도체 기판인 Si기판(1) 상에, 게이트 절연막(2)을 형성하고, 계속해서 게이트 절연막(2) 상에, W(CO)
6 가스를 포함하는 성막 가스 이용한 CVD에 의해, W계막(3a)을 형성한다. 그 후, 환원성 가스의 존재하에서 산화 처리하고, W 계막(3a)중의 W는 산화시키지 않고 C만을 선택적으로 산화시켜서 W계막(3a)중에 포함되는 C농도를 감소시킨다. 그 후, 필요에 따라서 열처리를 실시한 후, 레지스트 도포, 패터닝, 에칭 등을 실행하고, 또한 이온 주입 등에 의해 불순물 확산 영역(10)을 형성하고, MOS 구조의 반도체 장치를 형성한다.

公开(公告)号：KR100697512B1

公开(公告)日：2007-03-20

申请号：KR1020057009559

申请日：2003-11-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  나카무라가즈히토 ,  마츠자와고우메이 ,  마츠다츠카사 ,  가와노유미코

IPC: H01L21/30

CPC classification number: C23C16/4405 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32862

Abstract: 본 발명은 기판 처리 용기내의 부재의 손상을 저감한 기판 처리 장치의 클리닝 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명에 따른 피처리 기판을 처리하는 기판 처리 장치의 기판 처리 용기를 클리닝하는 클리닝 방법은 기판 처리 장치에 설치된 리모트 플라즈마 발생부에 가스를 도입하는 가스 도입 단계와, 리모트 플라즈마 발생부에 의해 가스를 여기하여 반응종을 생성하는 반응종 생성 단계와, 반응종을 상기 리모트 플라즈마 발생부로부터 처리 용기에 공급하는 동시에, 처리 용기내의 압력을 1333㎩ 이상의 상태로 하는 반응 단계로 구성된다.

公开(公告)号：KR100634855B1

公开(公告)日：2006-10-17

申请号：KR1020010010887

申请日：2001-03-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  가와노유미코

IPC: H01L27/108

CPC classification number: H01L21/7687 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76856 ,  H01L27/10855 ,  H01L28/55 ,  H01L28/60 ,  H01L28/75 ,  H01L28/90

Abstract: 반도체 장치는 층간 절연막, 접점 플러그, 장벽막, 제1 전극, 캐패시터 절연막 및 제2 전극을 포함한다. 층간 절연막은 반도체 기판 위에 배치된다. 접점 플러그는 층간 절연막을 관통하여 연장하며, 도전성 재료로 형성된다. 장벽막은 접점 플러그의 상부면 위에 텅스텐계 재료로 형성된다. 제1 전극은 장벽막을 매개로 하여 접점 플러그에 접속되며 금속 재료로 층간 절연막 위에 형성된다. 캐패시터 절연막은 절연 금속 산화물로 제1 전극 위에 형성된다. 제2 전극은 캐패시터 절연막에 의하여 절연되며 제1 전극의 표면 위에 형성된다.

Abstract translation: 该半导体器件包括层间绝缘膜，接触插塞，阻挡膜，第一电极，电容器绝缘膜和第二电极。 层间绝缘膜设置在半导体衬底上。 接触插塞延伸穿过层间绝缘膜并且由导电材料形成。 阻挡膜由接触插塞的上表面上的钨基材料形成。 第一电极经由阻挡膜连接到接触插塞并且用金属材料形成在层间绝缘膜上。 电容器绝缘膜利用绝缘金属氧化物形成在第一电极上。 第二电极由电容器绝缘膜绝缘并形成在第一电极的表面上。

公开(公告)号：KR100634854B1

公开(公告)日：2006-10-17

申请号：KR1020010010886

申请日：2001-03-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  가와노유미코

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/28556 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 본 발명에 따른 반도체 장치 제조 방법에 따르면, 실리콘 기판 위에 층간 절연막을 형성한다. 그리고, 이 층간 절연막에 홈을 형성한다. 이 홈의 저면 및 측면이 덮이도록 텅스텐계 재료로 이루어진 하부 하지막을 열화학적 기상 증착법으로 형성한다. 이 하부 하지막의 전영역 위에 텅스텐계 재료로 이루어진 상부 하지막을 열화학 기상 증착법으로 형성한다. 상기 홈 안에 구리로 이루어진 구리막을 매입한다. 상기 하부 하지막은 텅스텐의 소스 가스와 다른 소스 가스를, 다른 소스 가스가 텅스텐의 소스 가스보다 많도록 공급해서 열화학 기상 증착법으로 형성한다. 상기 상부 하지막은 텅스텐 소스 가스의 공급량이 상기 하부 하지막을 형성하는 경우보다 많도록 해서 열화학 기상 증착법으로 형성한다.

Abstract translation: 根据本发明的半导体器件制造方法，层间绝缘膜形成在硅衬底上。 然后，在层间绝缘膜中形成沟槽。 通过热化学气相沉积形成由钨基材料制成的下底层，使得凹槽的底部和侧表面被覆盖。 通过热CVD在下基膜的整个区域上形成由钨基材料制成的上基膜。 由铜制成的铜膜嵌入凹槽中。 通过提供不同于钨的源气体的源气体，使得其他源气体的源气体大于钨的源气体，通过热化学气相沉积形成下层底膜。 上基膜通过热化学气相沉积形成，使得钨源气体的供应量大于形成下基膜时的供应量。

公开(公告)号：KR1020060090676A

公开(公告)日：2006-08-14

申请号：KR1020067006035

申请日：2004-09-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션

Inventor： 야마사키히데아키 ,  마츠다츠카사 ,  고미아츠시 ,  하타노다츠오 ,  다치바나,미츠히로 ,  마츠자바고우메이 ,  가와노유미코 ,  레우싱크게르트제이. ,  멕펠리펜톤알 ,  말호트라산드라지 ,  시몬앤드류에이치. ,  유르카스존제이

IPC: H01L21/285

CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/045 ,  C23C16/16 ,  C23C16/4408 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

Abstract: A method is provided for forming a metal layer on a substrate using an intermittent precursor gas flow process. The method includes exposing the substrate to a reducing gas while exposing the substrate to pulses of a metal-carbonyl precursor gas. The process is carried out until a metal layer with desired thickness is formed on the substrate. The metal layer can be formed on a substrate, or alternately, the metal layer can be formed on a metal nucleation layer.

Abstract translation: 提供了一种使用间歇式前体气体流动方法在基板上形成金属层的方法。 该方法包括将衬底暴露于还原气体，同时将衬底暴露于羰基金属前体气体的脉冲。 进行该过程，直到在基底上形成具有所需厚度的金属层。 金属层可以形成在基板上，或者可以在金属成核层上形成金属层。

公开(公告)号：KR100413890B1

公开(公告)日：2004-03-19

申请号：KR1019960005460

申请日：1996-03-02

Applicant: 가와사키 마이크로 엘렉트로닉스 가부시키가이샤 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 곤도에이이치 ,  다케야스노부유키 ,  오타도모히로 ,  가와노유미코 ,  가이즈카다케시 ,  진노우치신페이

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/02068 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76877

Abstract: An insulating layer is provided on a semiconductor substrate, a contact hole is formed in the insulating layer, and an underlying metal film is provided on a whole surface of the substrate including inner walls of the contact hole. A surface condition of the underlying metal film is adjusted by a hydrogen plasma treatment. By the hydrogen plasma treatment, a surface of the underlying metal film is hydrogenated and is sputter-etched, so that a disordered film and contaminants adsorbed on the surface of the underlying metal film are removed. Next, aluminum is deposited on the underlying metal film by a chemical vapor deposition process using an organic aluminum compound such as DMAH. The contact hole can be effectively filled with aluminum.

Abstract translation: 在半导体衬底上提供绝缘层，在绝缘层中形成接触孔，并且在包括接触孔的内壁的基板的整个表面上设置下层金属膜。 底层金属膜的表面状态通过氢等离子体处理来调整。 通过氢等离子体处理，底层金属膜的表面被氢化并被溅射蚀刻，从而去除吸附在底层金属膜表面上的无序膜和污染物。 接着，使用DMAH等有机铝化合物，通过化学气相沉积法，在下层金属膜上堆积铝。 接触孔可以有效地填充铝。

公开(公告)号：KR1020030083740A

公开(公告)日：2003-10-30

申请号：KR1020037012079

申请日：2002-03-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  아리마스스무 ,  가와노유미코

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L28/65 ,  C23C16/0218 ,  C23C16/0236 ,  C23C16/18 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31612 ,  H01L28/55 ,  H01L28/60 ,  H01L28/90

Abstract: 본 발명에 따라, 반도체 기판(101)은 소정의 처리 용기에 배치되고, 예를 들어 플라즈마로의 전환에 의해 활성화된 산소 기체가 절연 막(108)에 공급된다. 인터레벨 절연 막(106) 및 절연 막(108)의 표면이 활성화 산소 기체에 노출된다. 이어서, CVD에 의해 루테늄 막(109)이 형성된다.

公开(公告)号：KR1020010092703A

公开(公告)日：2001-10-26

申请号：KR1020010014487

申请日：2001-03-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  가와노유미코

IPC: H01L27/108

CPC classification number: H01L28/55 ,  H01L27/10814

Abstract: PURPOSE: To prevent crackings of a plate electrode formed of a tungsten nitride which constitutes a capacitor, even if the electrode is applied with high heat, after processing. CONSTITUTION: A protective film 113a, formed of a metal silicide such as a tungsten silicide, is so formed as to cover the surface of the plate electrode 113. Thereby, outward diffusion of nitrogen from the tungsten nitride is prevented and a changer in the volume of the tungsten nitride is suppressed.

Abstract translation: 目的：为了防止构成电容器的氮化钨形成的平板电极的裂纹，即使电极被加热，加工后也是如此。 构成：由诸如硅化钨的金属硅化物形成的保护膜113a被形成为覆盖板电极113的表面。由此，防止氮从氮化钨向外扩散，并且容积的变化 的氮化钨被抑制。

公开(公告)号：KR1020010087295A

公开(公告)日：2001-09-15

申请号：KR1020010010886

申请日：2001-03-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  가와노유미코

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/28556 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing semiconductor devices is provided to improve the adhesion property of interlevel insulating films as favorably maintaining the trench covering property and the barrier property for tungsten-based material. CONSTITUTION: At first, an interlevel insulating film is formed on a silicon substrate(101). A trench is formed in the(102). Next, a lower underlying film(104) made of a tungsten-based material is formed by thermal chemical vapor deposition to cover a bottom surface and side surface of the trench. An upper underlying film(105) made of a tungsten-based material is formed by thermal chemical vapor deposition on an entire region on the lower underlying film(104). A copper film(106) made of copper fills the trench. The upper underlying film(104) is formed in accordance with thermal chemical vapor deposition by supplying a tungsten source gas and the other source gas such that the other source gas is supplied in an amount larger than that of the tungsten source gas. The lower underlying film(104) is formed in accordance with thermal chemical vapor deposition by increasing a content of the tungsten source gas to be larger than to that of the other source gas in formation of the lower underlying film(104).

Abstract translation: 目的：提供一种制造半导体器件的方法，以改善层间绝缘膜的粘附性，有利地保持钨基材料的沟槽覆盖性能和阻挡性能。 构成：首先，在硅衬底（101）上形成层间绝缘膜。 在（102）中形成沟槽。 接下来，通过热化学气相沉积形成由钨基材料制成的下基底膜（104），以覆盖沟槽的底表面和侧表面。 通过热化学气相沉积在下部基底膜（104）上的整个区域上形成由钨基材料制成的上部基底膜（105）。 由铜制成的铜膜（106）填充沟槽。 根据热化学气相沉积，通过供给钨源气体和其它原料气体，使得其它源气体的供给量大于钨源气体的量，形成上层薄膜（104）。 下基底膜（104）根据热化学气相沉积通过在形成下基底膜（104）时将钨源气体的含量增加到大于其它源气体的含量而形成。

公开(公告)号：KR1020140063684A

公开(公告)日：2014-05-27

申请号：KR1020147006490

申请日：2012-08-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가와노유미코 ,  아리마스스무

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/455 ,  H01L45/00

CPC classification number: H01L45/1616 ,  C23C16/305 ,  C23C16/45553 ,  H01L45/144 ,  C23C16/301

Abstract: Sb 원료 도입 공정과, 제 1 퍼지 공정과, Te 원료 도입 공정과, 제 2 퍼지 공정과, Ge 원료 도입 공정과, 제 3 퍼지 공정을 포함하고, 상기 원료 도입 공정 또는 퍼지 공정 중 적어도 하나의 공정에 있어서, 암모니아, 메틸아민, 디메틸아민, 히드라진, 모노메틸히드라진, 디메틸히드라진 및 피리딘 중 1 개 또는 2 개 이상을 포함하는 첨가 가스를 도입하는 Ge - Sb - Te막의 성막 방법이 제공된다.