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公开(公告)号：KR1020120120043A
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：KR1020120040771
申请日：2012-04-19
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065 , H01L21/205 , C23C16/507
CPC classification number: H01J37/32119 , C23C16/505 , H01J37/3211 , H05H1/46 , H05H2001/4667
Abstract: PURPOSE: An inductively coupled plasma processing apparatus is provided to generate strong plasma by dividing a dielectric window part into over 3 per side. CONSTITUTION: High frequency antennas(11a-11c) generate inductively coupled plasma in a plasma generation area. A dielectric window part(3) is arranged between the plasma generation area and the high frequency antenna. The dielectric window part comprises a plurality of dielectric parts(3a-3h) and a conductive beam(7) supporting the plurality of dielectric parts. The conductive beam divides the dielectric window part into over 3 per side. The conductive beam does not include a closed-loop circuit which is formed along the high frequency antenna in a center area of the dielectric window part. The conductive beam is arranged in order to intersect with the high frequency antenna in the center area of the dielectric window part.
Abstract translation: 目的：提供电感耦合等离子体处理装置，通过将电介质窗口部分分成每侧3个以上来产生强等离子体。 构成：高频天线（11a-11c）在等离子体产生区域中产生电感耦合等离子体。 电介质窗口部分（3）设置在等离子体产生区域和高频天线之间。 电介质窗部分包括多个电介质部分（3a-3h）和支撑多个电介质部分的导电束（7）。 导电光束将电介质窗口部分分成每侧3个以上。 导电束不包括在电介质窗部分的中心区域沿着高频天线形成的闭环电路。 导电束被布置成与介电窗口部分的中心区域中的高频天线相交。
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公开(公告)号：KR101088289B1
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：KR1020080109315
申请日：2008-11-05
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Abstract: 본 발명의 과제는 다수의 피처리체를 일괄 수수 가능하고, 또한 일괄 처리하는 것이 가능한 탑재대를 제공하는 것이다. 서셉터(105)에 마련된 수수 기구부(111)에는, 복수의 판형상의 가동 실드 부재(123)가 서로 간극을 두고 같은 방향으로 승강 가능하게 배열되어 있다. 가동 실드 부재(123)는, 반송 장치(25)의 포크(23)와 간섭하는 일 없이, 포크(23)보다도 높은 위치까지 상승한다. 그 도중에, 포크(23)에 탑재되어 있던 소편 기판(S)은 가동 실드 부재(123)에 일괄해서 수수된다.
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公开(公告)号：KR1020110066105A
公开(公告)日：2011-06-16
申请号：KR1020100125702
申请日：2010-12-09
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 사사키가즈오
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32522 , H01J37/32082
Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus is provided to control the temperature of a protecting plate by inserting an insulating member between the inner wall of a container and a protective plate. CONSTITUTION: A body container(2) forms a process chamber(5) processing a processed substrate(S). A matching unit(14) and a radio frequency power(15) are installed outside the body container. A mounting unit(22) mounts the processed substrate. A discharge device(31) keeps the inside of the process chamber vacuum or a decompressed condition. The protecting plate is arranged in the inner side of the wall of the process chamber.
Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置，通过在容器的内壁和保护板之间插入绝缘构件来控制保护板的温度。 构成：身体容器（2）形成处理被处理衬底（S）的处理室（5）。 匹配单元（14）和射频功率（15）安装在身体容器的外部。 安装单元（22）安装经处理的基板。 排出装置（31）使处理室的内部保持真空或减压状态。 保护板设置在处理室的壁的内侧。
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公开(公告)号：KR100929945B1
公开(公告)日：2009-12-04
申请号：KR1020080094142
申请日：2008-09-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/24 , H01L21/3065
Abstract: To provide a plasma treatment device in which a high in-plane uniformity of plasma can be obtained and a temperature controlling can be easily done even in case of a larger treating vessel and a still higher frequency of a high frequency power source. An impedance adjusting part 60 is connected between a treatment vessel 2 of the plasma treatment device and an internal wall plate 6 made of a conductor provided to cover a wall part of the treatment vessel 2. An impedance value from a lower electrode 5, a cathode electrode, up to a matching box 42, a grounding case, through plasma, the internal wall plate 6 and the wall part of the treatment vessel 2 shall be bigger than the impedance value from the lower electrode 5 up to the matching box 42, a grounding case, through plasma, an upper electrode 3, an anode electrode, and the treatment vessel 2.
Abstract translation: 为了提供一种等离子体处理装置，其中，即使在处理容器较大且高频电源的频率更高的情况下，也可以获得等离子体的高平面内均匀性并且容易进行温度控制。 阻抗调整部60连接在等离子体处理装置的处理容器2与由覆盖处理容器2的壁部的导体构成的内壁板6之间。来自下部电极5，阴极 电极直到匹配盒42，通过等离子体的接地盒，处理容器2的内壁板6和壁部应大于从下电极5直到匹配盒42的阻抗值，a 通过等离子体，上电极3，阳极电极和处理容器2接地的情况。
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公开(公告)号：KR1020090021097A
公开(公告)日：2009-02-27
申请号：KR1020080082288
申请日：2008-08-22
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Abstract: A processing unit is provided to suppress that a particle is adhered to a processed article by uniformalizing processing speed of the inside plane of the processed article. A carrying out gate(22) opened and closed with a shutter(23) is formed in an inner wall area(21) of a treatment container(20). A structure(5) for rectification surrounds a substrate region of a mounting board(3) of the substrate(S). A standing gas domain of process gas is formed around the substrate. The structure for rectification reduces the flux of the process gas in a peripheral part of the substrate. A bringing gate of the structure for rectification is composed of a tunnel member(51). The tunnel member partitions off a return route of the substrate between the bringing gate and the mounting region shift.
Abstract translation: 提供处理单元，以通过使加工品的内侧面的加工速度均匀化来抑制颗粒附着在加工品上。 在处理容器（20）的内壁区域（21）中形成有用挡板（23）打开和关闭的执行门（22）。 用于整流的结构（5）围绕基板（S）的安装板（3）的基板区域。 在衬底周围形成工艺气体的立式气体区域。 整流结构降低了衬底的周边部分中工艺气体的通量。 用于整流结构的闸门由隧道构件（51）组成。 隧道构件在引导门和安装区域移位之间分隔基板的返回路径。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020180100513A
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：KR1020180102473
申请日：2018-08-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/02315 , H01L29/78606 , H01L29/7869
Abstract: 전자디바이스구조의테이퍼부의막에의한커버리지를향상시킬수 있는플라즈마를사용한성막방법을제공한다. TFT(30)에있어서, 4불화규소가스, 4염화규소가스, 질소가스및 아르곤가스를포함하는처리가스로부터생성된유도결합플라즈마에의해질화규소막으로이루어지는패시베이션층(37)이성막된다.
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公开(公告)号：KR101858316B1
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：KR1020150060272
申请日：2015-04-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/3065
Abstract: 탑재대에고 파워의고주파전력을인가하는경우에도, 처리실내의소망하지않는부분에서의방전이나배기영역으로의플라즈마의침입을효과적으로방지한다. 처리실(4)내에서탑재대(23)의탑재면에기판 G를탑재하고, 처리실(4)내에서기판 G에대해서, 탑재대(23)에바이어스용의고주파전력을인가하면서플라즈마처리를행하는플라즈마처리장치로서, 탑재면의하방위치에마련되고, 처리실(4)을, 기판 G에대해서플라즈마처리를행하는처리영역(41)과배기계에연결되는배기영역(42)으로구획하는, 도전성재료로이루어지는복수의구획부재(50)를갖고, 복수의구획부재(50)는, 접지전위에접속되고, 또한개구부를갖지않고, 인접하는것 끼리가, 그사이에, 처리영역(41)에공급된처리가스를배기영역(42)에유도하는개구(60)가형성되도록이간하여배치되어있다.
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公开(公告)号：KR1020170119319A
公开(公告)日：2017-10-26
申请号：KR1020170133384
申请日：2017-10-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/3065
Abstract: 탑재대에고 파워의고주파전력을인가하는경우에도, 처리실내의소망하지않는부분에서의방전이나배기영역으로의플라즈마의침입을효과적으로방지한다. 처리실(4)내에서탑재대(23)의탑재면에기판 G를탑재하고, 처리실(4)내에서기판 G에대해서, 탑재대(23)에바이어스용의고주파전력을인가하면서플라즈마처리를행하는플라즈마처리장치로서, 탑재면의하방위치에마련되고, 처리실(4)을, 기판 G에대해서플라즈마처리를행하는처리영역(41)과배기계에연결되는배기영역(42)으로구획하는, 도전성재료로이루어지는복수의구획부재(50)를갖고, 복수의구획부재(50)는, 접지전위에접속되고, 또한개구부를갖지않고, 인접하는것 끼리가, 그사이에, 처리영역(41)에공급된처리가스를배기영역(42)에유도하는개구(60)가형성되도록이간하여배치되어있다.
Abstract translation: 即使在施加载置台的高频电力和高电力的情况下，也能够有效地防止处理室内的不需要部分的放电和等离子体侵入排气区域。 基板G被载置在处理容器4内的载置台23的载置面上，一边对处理容器4内的基板G照射载置台23的高频电力一边进行等离子体处理 1。一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：设置在安装面下的处理室（41），将处理室（4）划分为用于对基板（G）进行等离子体处理的处理区域（41） 并且，多个分隔部件50与接地电位连接，不具有开口部，相邻的分隔部件50与供给到处理区域41的处理气体41连接， 并且形成用于将排气引导至排气区域42的开口60。
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公开(公告)号：KR1020150129608A
公开(公告)日：2015-11-20
申请号：KR1020150060272
申请日：2015-04-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/3065
Abstract: 탑재대에고 파워의고주파전력을인가하는경우에도, 처리실내의소망하지않는부분에서의방전이나배기영역으로의플라즈마의침입을효과적으로방지한다. 처리실(4)내에서탑재대(23)의탑재면에기판 G를탑재하고, 처리실(4)내에서기판 G에대해서, 탑재대(23)에바이어스용의고주파전력을인가하면서플라즈마처리를행하는플라즈마처리장치로서, 탑재면의하방위치에마련되고, 처리실(4)을, 기판 G에대해서플라즈마처리를행하는처리영역(41)과배기계에연결되는배기영역(42)으로구획하는, 도전성재료로이루어지는복수의구획부재(50)를갖고, 복수의구획부재(50)는, 접지전위에접속되고, 또한개구부를갖지않고, 인접하는것 끼리가, 그사이에, 처리영역(41)에공급된처리가스를배기영역(42)에유도하는개구(60)가형성되도록이간하여배치되어있다.
Abstract translation: 即使对芯片施加强大的高频功率，也能够有效地防止处理室内的意外部分的放电或等离子体的侵入进入排气区域。 本发明涉及一种等离子体处理装置，其能够将衬底G安装在处理室（4）中的管芯（23）的安装表面上，并且在向管芯（23）施加用于偏压的高频电力的同时处理等离子体， 。 该装置包括多个分配器（50），放置在安装表面的下部位置，将处理室（4）分成处理区域（41），处理基板G上的等离子体和连接的排气区域 到排气系统，并由导电材料形成。 分隔器（50）连接到地电位，不具有开口部分，并且彼此远离以形成开口（60），以将提供给处理区域（41）的处理气体引导到排气区域 42）。
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公开(公告)号：KR1020150009445A
公开(公告)日：2015-01-26
申请号：KR1020140087385
申请日：2014-07-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065 , C23C16/505
CPC classification number: H05H1/46 , C23C16/505 , H01J37/32 , H01L21/3065
Abstract: 본 발명의 과제는 분할 타입의 금속창을 갖고 있어도, 처리실의 내부에 균일한 플라스마를 생성하는 것이 가능한 유도 결합 플라스마 처리 장치를 제공하는 것이다.
해결 수단으로서, 본체 용기(1)와, 본체 용기(1)를, 피처리체(G)를 수용하고, 수용한 피처리체(G)에 유도 결합 플라스마 처리를 실시하는 처리실(4)과, 처리실(4) 내에 유도 결합 플라스마를 생성하기 위한 고주파 안테나(11)를 수용하는 안테나실(3)에 구획하는 도전성을 가진 직사각 형상의 금속 창(2)을 구비하고, 고주파 안테나(11)는, 안테나실(3)의 내부에, 직사각 형상의 금속 창(2)에 대응하는 면 내를 주회하도록 마련되며, 직사각 형상의 금속 창(2)은, 서로 전기적으로 절연된 복수의 분할편(2a 내지 2d)으로 분할되며, 분할편(2a 내지 2d)은 각각, 다른 부재에 놓이는 일 없이, 매달림 부재(8)에 의해서 안테나실(3)의 천판부(3b)로부터 매달려 있다.Abstract translation: 本发明提供了一种电感耦合等离子体处理装置，即使在包括分割型金属窗时也能在处理室中产生均匀的等离子体。 对于上述，电感耦合等离子体处理装置包括：主体容器（1）; 处理室（4），其容纳处理体（G），并在所容纳的处理体（G）中进行电感耦合等离子体处理; 以及具有导电性的矩形的金属窗（2），其布置在天线室（3）中，所述天线室容纳用于在所述处理室（4）中产生电感耦合等离子体的高频天线（11）。 高频天线（11）布置成缠绕在对应于天线室（3）中的矩形金属窗（2）的表面中。 矩形金属窗（2）被分割为彼此电绝缘的多个分割片（2a至2d）。 分割片（2a至2d）通过悬挂构件（8）从天线室（3）的顶板（3b）悬挂而不分别放置在不同的构件上。
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