公开(公告)号：KR1020100045426A

公开(公告)日：2010-05-03

申请号：KR1020100031789

申请日：2010-04-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키마사루

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32458 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3185

Abstract: PURPOSE: A microwave plasma processing apparatus is provided to generate microwave-excited plasma with low electron temperature by injecting microwave in a processing chamber with a radial line slot antenna. CONSTITUTION: A substrate(W) is loaded in a chamber(1). A loading stand(2) supports the substrate. A gas introduction unit(15) introduces a gas into the chamber. A planar antenna unit(31) supplies microwave in the chamber. A metal-based upper plate(27) is arranged in an opening on the upper side of the chamber. The microwave is transmitted through a transmission plate(28).

Abstract translation: 目的：提供微波等离子体处理装置，通过在具有径向线槽天线的处理室中注入微波来产生具有低电子温度的微波激发等离子体。 构成：衬底（W）装载在腔室（1）中。 装载架（2）支撑基板。 气体引入单元（15）将气体引入室中。 平面天线单元（31）在腔室中提供微波。 金属制的上板（27）布置在室的上侧的开口中。 微波通过传输板（28）传输。

公开(公告)号：KR1020090129332A

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：KR1020090048949

申请日：2009-06-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키마사루

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449

Abstract: PURPOSE: A plasma etching method and a plasma etching apparatus is provided to suppress micro-loading effect or dense shape difference in an etching process by controlling the re- pulping of a reaction product. CONSTITUTION: In a device, a semiconductor substrate(W) is installed on the support inside a processing vessel(12). A microwave for plasma-enhanced is generated. The interval of the dielectric substrate(16) and support is maintained over 100nm. An internal pressure of the processing vessel is maintained over 50mTorr. Microwave is introduced into the processing vessel through the dielectric substrate. The plasma is generated in the processing vessel by introducing microwave to the processing vessel. A plasma etching of the semiconductor substrate is performed by using the plasma generated in the processing vessel.

Abstract translation: 目的：提供等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置，以通过控制反应产物的重排来抑制蚀刻工艺中的微载荷效应或致密形状差异。 构成：在装置中，半导体衬底（W）安装在处理容器（12）内的支撑件上。 产生用于等离子体增强的微波。 电介质基板（16）和支撑体的间隔保持在100nm以上。 处理容器的内部压力保持在50mTorr以上。 微波通过电介质基片引入处理容器。 通过向处理容器引入微波，在处理容器中产生等离子体。 通过使用在处理容器中产生的等离子体来进行半导体衬底的等离子体蚀刻。

公开(公告)号：KR1020090092250A

公开(公告)日：2009-08-31

申请号：KR1020090016156

申请日：2009-02-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토나오키 ,  요시카와쥰 ,  니시즈카테츠야 ,  사사키마사루

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/511 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32568 ,  H01J2237/3343 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32137

Abstract: A plasma processing apparatus and a method thereof are provided to improve plasma ignition by selecting a gap between a holder and a dielectric plate as a first gap. A plasma process about a semiconductor substrate is performed inside a processing vessel(12). A reaction gas supply part supplies a reaction gas for the plasma process to an inner part of the processing vessel. A holder(14) of a disc shape is arranged inside the process vessel. The semiconductor substrate is held on the holder. A microwave generator(15) generates a microwave for exciting plasma. A dielectric plate(16) is faced with the holder, and introduces the microwave to an inner part of the process vessel. A control part(20) changes a gap between the holder and the dielectric plate into a first gap, and operates a plasma ignition unit.

Abstract translation: 提供了一种等离子体处理装置及其方法，用于通过选择保持器和电介质板之间的间隙作为第一间隙来改善等离子体点火。 在处理容器（12）内执行关于半导体衬底的等离子体工艺。 反应气体供给部将等离子体处理用反应气体供给到处理容器的内部。 盘形的保持器（14）布置在处理容器内。 半导体衬底保持在保持器上。 微波发生器（15）产生用于激发等离子体的微波。 电介质板（16）面对保持器，并将微波引入到处理容器的内部。 控制部件（20）将保持器和电介质板之间的间隙改变为第一间隙，并操作等离子体点火单元。

公开(公告)号：KR100912321B1

公开(公告)日：2009-08-14

申请号：KR1020067010790

申请日：2004-12-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키마사루 ,  이데신지 ,  오자키시게노리

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/02063 ,  H01J2237/335 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76838

Abstract: 잔사 유기물나 자연 산화물을 충분히 제거할 수 있고, 또한, 비어홀의 측벽 절연막에 대미지를 가하는 일없이, k값에 악영향을 끼치는 일이 없는 반도체 기판 도전층 표면의 청정화 방법을 제공한다.
반도체 기판의 도전층(1) 표면 상에 절연막(2, 3)이 형성되고, 절연막(3)에는 도전층(1)의 일부를 노출하는 비어홀(4)이 형성된 반도체 장치를 반응 용기내에 반입하여, 반응 용기내에 수소를 포함하는 플라즈마를 발생시켜, 비어홀(4) 바닥부의 도전층(1) 상을 청정화하고, 애싱에 의해 잔사 유기물(6)을 분해 제거하여, 도전층(1) 표면 상의 동산화막(7)을 Cu로 환원한다.

公开(公告)号：KR1020090082169A

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：KR1020090061004

申请日：2009-07-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키마사루

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32458 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3185

Abstract: A plasma processing apparatus forming a silicon nitride film or a silicon oxide film is provided to be difficult to generate the density difference of the film thickness as the oxide film or the nitride film formed with the plasma processing. A plasma processing apparatus(100) comprises a chamber, a main chuck, a gas supply unit, an air escape, a cover plate, a conductor plate, a first holding member, a planar antenna member, a shield cover, and a second holding member. The chamber accommodates the processed substrate. The plasma processing is performed in the inside of the chamber. The main chucks the processed substrate in the chamber mount. The gas supply unit introduces the process gas within the chamber. The air escape exhausts inside of the chamber. The cover plate is formed in the opening prepared on the top of the chamber into the hook shape. The first holding member is prepared through the peripheral part phase and cover plate phase of the conductor plate. The planar antenna member includes a plurality of slots. The shield cover has the projection protruding to the diameter ectad of the peripheral part. The second holding member is prepared through the projection phase and the first holding member phase.

Abstract translation: 提供形成氮化硅膜或氧化硅膜的等离子体处理装置难以产生作为用等离子体处理形成的氧化物膜或氮化物膜的膜厚度的密度差。 等离子体处理装置（100）包括室，主卡盘，气体供给单元，排气口，盖板，导体板，第一保持构件，平面天线构件，屏蔽罩和第二保持 会员。 该室容纳经处理的基板。 在室内进行等离子体处理。 主要将处理后的基板卡入室内。 气体供应单元将处理气体引入室内。 空气逸出室内的排气。 盖板形成在室的顶部上准备的开口中，形成钩状。 第一保持构件通过导体板的周边部分相位和盖板相准备。 平面天线构件包括多个槽。 屏蔽盖具有突出到周边部分的直径ectad的突起。 第二保持构件通过投影相和第一保持构件相准备。

公开(公告)号：KR100800638B1

公开(公告)日：2008-02-01

申请号：KR1020057015979

申请日：2004-02-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카니시도시오 ,  오자키시게노리 ,  사사키마사루

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02046 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/31654 ,  H01L21/3185

Abstract: 기판 처리 방법은, 실리콘 기판 표면을 불활성 가스와 수소의 혼합 가스 플라즈마에 폭로하는 제 1 공정, 및 상기 제 1 공정 후, 상기 실리콘 기판 표면에 플라즈마 처리에 의해 산화 처리, 질화 처리 및 산질화 처리 중 어느 하나의 처리를 실시하는 제 2 공정으로 이루어지고, 제 1 공정에서 기판 표면에 잔류하고 있는 유기물을 제거한다.

Abstract translation: 的基板处理方法包括：第一步骤，和在第一步骤中，然后，通过等离子体处理，以在硅衬底表面上，氮化和氮氧化处理的氧化处理，以露出硅衬底表面中在惰性气体和氢的混合气体等离子体 并且执行任何一种处理的第二步骤，以及在第一步骤中残留在基板表面上的有机物质被去除。

公开(公告)号：KR1020070112307A

公开(公告)日：2007-11-22

申请号：KR1020077026024

申请日：2005-02-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오자키시게노리 ,  노구치히데유키 ,  가베요시로 ,  이사가즈히로 ,  사사키마사루

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32935 ,  B08B7/0035 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32862

Abstract: A method for cleaning a treatment chamber in a substrate treating apparatus for subjecting a substrate having a tungsten-based coating film to a plasma treatment, which comprises introducing a gas containing O2 into the treatment chamber after the plasma treatment without opening the chamber to the atmosphere, to thereby form the plasma of the gas and clean the treatment chamber.

Abstract translation: 一种用于清洗基板处理装置中的处理室的方法，用于对具有钨基涂膜的基板进行等离子体处理，其包括在等离子体处理之后将含有O 2的气体引入处理室，而不将该室打开至大气 ，从而形成气体的等离子体并清洁处理室。

公开(公告)号：KR1020070049671A

公开(公告)日：2007-05-11

申请号：KR1020077006120

申请日：2005-09-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이데신지 ,  사사키마사루

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31633 ,  C23C16/5096 ,  C23C16/54 ,  C23C16/56 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/3127 ,  H01L21/31695

Abstract: 플라즈마 처리 장치(100)에 있어서, 서셉터(2)의 윗쪽에는 상측 플레이트(60) 및 하측 플레이트(61)가 마련되어 있다. 상측 플레이트(60) 및 하측 플레이트(61)는 석영 등의 내열성 절연체로 구성되고, 소정 간격, 예컨대 5mm의 간격을 두고 서로 이격되어 평행하게 배치되어 있고, 복수의 관통 구멍(60a 또는 61a)을 갖고 있다. 2장의 플레이트를 중첩한 상태로, 하측 플레이트(61)의 관통 구멍(61a)과 상측 플레이트(60)의 관통 구멍(60a)이 겹치지 않도록 위치를 어긋나게 해서 형성되어 있다.

公开(公告)号：KR1020060118620A

公开(公告)日：2006-11-23

申请号：KR1020067021979

申请日：2002-12-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스가와라다쿠야 ,  마쓰야마세이지 ,  사사키마사루

IPC: H01L21/324 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28194 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3003 ,  H01L27/10873 ,  H01L29/518 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02332

Abstract: A substrate treating method which exposes a semiconductor-formed, electronic device-use substrate to hydrogen radicals (including heavy hydrogen radicals), wherein the hydrogen radicals are excited by plasma formed by irradiating a plane antenna with a microwave.

Abstract translation: 一种将半导体形成的电子器件用衬底暴露于氢自由基（包括重氢自由基）的衬底处理方法，其中通过用微波照射平面天线形成的等离子体激发氢自由基。

公开(公告)号：KR100645306B1

公开(公告)日：2006-11-14

申请号：KR1020047018206

申请日：2003-03-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠야마세이지 ,  스가와라다쿠야 ,  오자키시게노리 ,  나카니시도시오 ,  사사키마사루

IPC: H01L21/318 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28167 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7833

Abstract: 실리콘 기판 표면에 형성된 산화막을 마이크로파 플라즈마 질화 처리에 의해 질화하여 산질화막을 형성하는 기판 처리 방법에 있어서, 산질화막으로의 손상을 회피하면서, 실리콘 기판과 산질화막과의 계면에 있어서의 산화막의 재성장을 억제하고, 산화막 환산 막 두께를 저감시킬 수 있는 방법을 제공한다. 질화 처리 공정은 마이크로파 여기 플라즈마의 전자 온도를 2 eV 이하로 설정하고, 피처리 기판이 유지된 프로세스 공간내에 있어서의 산소의 체류 시간을 2초 이하로 설정함으로써 실행된다.