公开(公告)号：KR100893955B1

公开(公告)日：2009-04-20

申请号：KR1020077026024

申请日：2005-02-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오자키시게노리 ,  노구치히데유키 ,  가베요시로 ,  이사가즈히로 ,  사사키마사루

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32935 ,  B08B7/0035 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32862

Abstract: 텅스텐계막을 포함하는 기판에 플라즈마 처리를 실시하는 기판 처리 장치에 있어서의 처리실을 클리닝함에 있어서, 플라즈마 처리후, 대기 개방하지 않고, 처리실내에 O
2 를 포함하는 가스를 도입하고, 이 가스의 플라즈마를 형성하여 처리실을 클리닝한다.

公开(公告)号：KR1020060061843A

公开(公告)日：2006-06-08

申请号：KR1020067003433

申请日：2005-02-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오자키시게노리 ,  노구치히데유키 ,  가베요시로 ,  이사가즈히로 ,  사사키마사루

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32935 ,  B08B7/0035 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32862

Abstract: A method for cleaning a treatment chamber in a substrate treating apparatus for subjecting a substrate having a tungsten-based coating film to a plasma treatment, which comprises introducing a gas containing O2 into the treatment chamber after the plasma treatment without opening the chamber to the atmosphere, to thereby form the plasma of the gas and clean the treatment chamber.

Abstract translation: 一种用于清洗基板处理装置中的处理室的方法，用于对具有钨基涂膜的基板进行等离子体处理，其包括在等离子体处理之后将含有O 2的气体引入处理室，而不将该室打开至大气 ，从而形成气体的等离子体并清洁处理室。

公开(公告)号：KR101432415B1

公开(公告)日：2014-09-22

申请号：KR1020127028430

申请日：2011-03-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카츠키고이치 ,  야마자키가즈요시 ,  노구치히데유키 ,  다무라다이스케 ,  사이토도모히로

IPC: H01L21/318

CPC classification number: H01L21/02332 ,  H01J37/32192 ,  H01J2237/3387 ,  H01L21/0234

Abstract: 플라즈마 질화 처리 장치(100)의 처리 용기(1)에, 질소 가스와 희가스를 포함하는 처리 가스의 유량을, 처리 용기의 용적 1Ｌ당 처리 가스의 합계 유량[mL/min(sccm)]으로 하여 1.5(mL/min)/Ｌ 이상 13(mL/min)/Ｌ 이하의 범위 내로 되도록 도입하고, 상기 처리 용기 내에 질소 함유 플라즈마를 생성시켜, 웨이퍼(W)를 교환하면서 연속해서 질화 처리한다. 질소 가스와 희가스의 체적 유량비(질소 가스/희가스)는 0.05 이상 0.8 이하의 범위 내로 하는 것이 바람직하다.

公开(公告)号：KR100830749B1

公开(公告)日：2008-05-20

申请号：KR1020067003433

申请日：2005-02-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오자키시게노리 ,  노구치히데유키 ,  가베요시로 ,  이사가즈히로 ,  사사키마사루

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32935 ,  B08B7/0035 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32862

Abstract: 텅스텐계막을 포함하는 기판에 플라즈마 처리를 실시하는 기판 처리 장치에 있어서의 처리실을 클리닝함에 있어서, 플라즈마 처리후, 대기 개방하지 않고, 처리실내에 O
2 를 포함하는 가스를 도입하고, 이 가스의 플라즈마를 형성하여 처리실을 클리닝한다.

公开(公告)号：KR1020130018822A

公开(公告)日：2013-02-25

申请号：KR1020127028430

申请日：2011-03-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카츠키고이치 ,  야마자키가즈요시 ,  노구치히데유키 ,  다무라다이스케 ,  사이토도모히로

IPC: H01L21/318

CPC classification number: H01L21/02332 ,  H01J37/32192 ,  H01J2237/3387 ,  H01L21/0234

Abstract: 플라즈마 질화 처리 장치(100)의 처리 용기(1)에, 질소 가스와 희가스를 포함하는 처리 가스의 유량을, 처리 용기의 용적 1Ｌ당 처리 가스의 합계 유량[mL/min(sccm)]으로 하여 1.5(mL/min)/Ｌ 이상 13(mL/min)/Ｌ 이하의 범위 내로 되도록 도입하고, 상기 처리 용기 내에 질소 함유 플라즈마를 생성시켜, 웨이퍼(W)를 교환하면서 연속해서 질화 처리한다. 질소 가스와 희가스의 체적 유량비(질소 가스/희가스)는 0.05 이상 0.8 이하의 범위 내로 하는 것이 바람직하다.

公开(公告)号：KR1020070112307A

公开(公告)日：2007-11-22

申请号：KR1020077026024

申请日：2005-02-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오자키시게노리 ,  노구치히데유키 ,  가베요시로 ,  이사가즈히로 ,  사사키마사루

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32935 ,  B08B7/0035 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32862

Abstract: A method for cleaning a treatment chamber in a substrate treating apparatus for subjecting a substrate having a tungsten-based coating film to a plasma treatment, which comprises introducing a gas containing O2 into the treatment chamber after the plasma treatment without opening the chamber to the atmosphere, to thereby form the plasma of the gas and clean the treatment chamber.

Abstract translation: 一种用于清洗基板处理装置中的处理室的方法，用于对具有钨基涂膜的基板进行等离子体处理，其包括在等离子体处理之后将含有O 2的气体引入处理室，而不将该室打开至大气 ，从而形成气体的等离子体并清洁处理室。