公开(公告)号：KR101291766B1

公开(公告)日：2013-08-01

申请号：KR1020097005558

申请日：2008-06-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 초우파오화 ,  하세베카즈히데 ,  나카지마시게루 ,  아카사카야스시 ,  이와시타미츠아키 ,  니이노레이지

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308

CPC classification number: H01L21/3086 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/32139 ,  H01L29/66795

Abstract: 개시되는 패터닝 방법에서는, 박막 상에, 이 박막과는 다른 막으로 이루어지고, 또한 SiBN으로 이루어진 희생막을 형성하고, 희생막을 포토리소그래피 기술을 이용하여, 소정의 간격을 가지는 패턴으로 가공하고, 가공된 희생막의 측벽 상에, 희생막 및 박막과는 다른 막으로 이루어진 측벽 스페이서를 형성하고, 가공된 희생막을 제거하고, 측벽 스페이서를 마스크로 이용하여 박막을 가공한다.

公开(公告)号：KR101217778B1

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：KR1020117021227

申请日：2008-06-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카지마시게루 ,  하세베카즈히데 ,  초우파오화 ,  이와시타미츠아키 ,  니이노레이지

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/405 ,  G03F7/0035 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139

Abstract: 개시되는패터닝방법은, 기판상에제 1 막을형성하는공정과, 제 1 막상에제 1 레지스트막을형성하는공정과, 제 1 레지스트막을포토리소그래피에의하여소정의피치를갖는제 1 레지스트패턴으로가공하는공정과, 유기실리콘을포함하는제 1 가스와, 활성화된산소종을포함하는제 2 가스를해당기판으로교대로공급하여, 제 1 레지스트패턴및 제 1 막상에실리콘산화막을형성하는공정과, 실리콘산화막상에제 2 레지스트막을형성하는공정과, 제 2 레지스트막을포토리소그래피에의하여소정의피치를갖는제 2 레지스트패턴으로가공하는공정과, 제 1 레지스트패턴및 제 2 레지스트패턴을마스크로이용하여제 1 막을가공하는공정을구비한다.

公开(公告)号：KR101101785B1

公开(公告)日：2012-01-05

申请号：KR1020117004101

申请日：2008-06-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카지마시게루 ,  하세베카즈히데 ,  초우파오화 ,  이와시타미츠아키 ,  니이노레이지

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/3065

CPC classification number: G03F7/405 ,  G03F7/0035 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139

Abstract: 개시되는 패터닝 방법은, 기판 상에 제 1 막을 형성하는 공정과, 제 1 막 상에 제 1 레지스트막을 형성하는 공정과, 제 1 레지스트막을 포토리소그래피에 의하여 소정의 피치를 갖는 제 1 레지스트 패턴으로 가공하는 공정과, 유기 실리콘을 포함하는 제 1 가스와, 활성화된 산소종을 포함하는 제 2 가스를 해당 기판으로 교대로 공급하여, 제 1 레지스트 패턴 및 제 1 막 상에 실리콘 산화막을 형성하는 공정과, 실리콘 산화막 상에 제 2 레지스트막을 형성하는 공정과, 제 2 레지스트막을 포토리소그래피에 의하여 소정의 피치를 갖는 제 2 레지스트 패턴으로 가공하는 공정과, 제 1 레지스트 패턴 및 제 2 레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 제 1 막을 가공하는 공정을 구비한다.

公开(公告)号：KR101073858B1

公开(公告)日：2011-10-14

申请号：KR1020097005569

申请日：2008-06-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카지마시게루 ,  하세베카즈히데 ,  초우파오화 ,  이와시타미츠아키 ,  니이노레이지

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/3065

CPC classification number: G03F7/405 ,  G03F7/0035 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139

Abstract: 개시되는패터닝방법은, 기판상에제 1 막을형성하는공정과, 제 1 막상에제 1 레지스트막을형성하는공정과, 제 1 레지스트막을포토리소그래피에의하여소정의피치를갖는제 1 레지스트패턴으로가공하는공정과, 유기실리콘을포함하는제 1 가스와, 활성화된산소종을포함하는제 2 가스를해당기판으로교대로공급하여, 제 1 레지스트패턴및 제 1 막상에실리콘산화막을형성하는공정과, 실리콘산화막상에제 2 레지스트막을형성하는공정과, 제 2 레지스트막을포토리소그래피에의하여소정의피치를갖는제 2 레지스트패턴으로가공하는공정과, 제 1 레지스트패턴및 제 2 레지스트패턴을마스크로이용하여제 1 막을가공하는공정을구비한다.

公开(公告)号：KR1020110101045A

公开(公告)日：2011-09-15

申请号：KR1020110006364

申请日：2011-01-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도시마다카유키 ,  이와시타미츠아키 ,  미츠오카가즈유키 ,  오카모토슈이치 ,  나마츠히데오

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/302

CPC classification number: B08B5/00 ,  B08B13/00 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/302

Abstract: 패턴 붕괴의 발생이나, 처리용 액체를 구성하는 물질의 기판 내로의 주입을 억제한 초임계 처리 장치 및 초임계 처리 방법을 제공한다.
처리 용기는 초임계 유체에 의해 처리가 행해지는 기판을 수용하고, 액체 공급부는 처리 용기 내에 불소 화합물을 포함하는 처리용 액체를 공급한다. 유체 배출부는 처리 용기로부터 초임계 유체를 배출하고, 열분해 성분 배제부는 상기 처리 용기 내 또는 상기 액체 공급부로부터 공급되는 액체 내에서, 상기 액체의 열분해를 촉진하는 성분을 배제하는 한편, 가열부는, 하이드로플루오로에테르 또는 하이드로플루오로카본인 불소 화합물을 포함하는 상기 처리용 액체를 가열한다.

公开(公告)号：KR1020110036129A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：KR1020117004101

申请日：2008-06-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카지마시게루 ,  하세베카즈히데 ,  초우파오화 ,  이와시타미츠아키 ,  니이노레이지

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/3065

CPC classification number: G03F7/405 ,  G03F7/0035 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/3065

Abstract: 개시되는 패터닝 방법은, 기판 상에 제 1 막을 형성하는 공정과, 제 1 막 상에 제 1 레지스트막을 형성하는 공정과, 제 1 레지스트막을 포토리소그래피에 의하여 소정의 피치를 갖는 제 1 레지스트 패턴으로 가공하는 공정과, 유기 실리콘을 포함하는 제 1 가스와, 활성화된 산소종을 포함하는 제 2 가스를 해당 기판으로 교대로 공급하여, 제 1 레지스트 패턴 및 제 1 막 상에 실리콘 산화막을 형성하는 공정과, 실리콘 산화막 상에 제 2 레지스트막을 형성하는 공정과, 제 2 레지스트막을 포토리소그래피에 의하여 소정의 피치를 갖는 제 2 레지스트 패턴으로 가공하는 공정과, 제 1 레지스트 패턴 및 제 2 레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 제 1 막을 가공하는 공정을 구비한다.

Abstract translation: 在此公开的构图方法包括以下步骤：在基板上形成第一膜，在第一膜上形成第一抗蚀剂膜，通过光刻将第一抗蚀剂膜处理成具有预定间距的第一抗蚀剂图案 将包含有机硅的第一气体和包含活性氧物质的第二气体交替地供给至基板以在第一抗蚀剂图案和第一膜上形成氧化硅膜的步骤， ，在氧化硅膜上形成第二抗蚀剂膜，使用第一抗蚀剂图案和第二抗蚀剂图案作为掩模，通过光刻法将第二抗蚀剂膜加工成具有预定间距的第二抗蚀剂图案 并处理第一部电影。

公开(公告)号：KR1020090096408A

公开(公告)日：2009-09-10

申请号：KR1020097005569

申请日：2008-06-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카지마시게루 ,  하세베카즈히데 ,  초우파오화 ,  이와시타미츠아키 ,  니이노레이지

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/3065

CPC classification number: G03F7/405 ,  G03F7/0035 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  G03F7/0755

Abstract: A patterning method comprises a step for forming a first film on a substrate, a step for forming a first resist film on the first film, a step for processing the first resist film into a first resist pattern having a predetermined pitch by photolithography, a step for forming an silicon oxide film on the first resist pattern and the first film by supplying a first gas containing an organic silicon and a second gas containing an activated oxygen species alternately to the substrate, a step for forming a second resist film on the silicon oxide film, a step for processing the second resist film into a second resist pattern having a predetermined pitch by photolithography, and a step for processing the first film by using the first and second resist patterns as a mask.

Abstract translation: 图案化方法包括在基板上形成第一膜的步骤，在第一膜上形成第一抗蚀剂膜的步骤，通过光刻将第一抗蚀剂膜加工成具有预定间距的第一抗蚀剂图案的步骤，步骤 通过将含有有机硅的第一气体和含有活性氧的第二气体交替地供给到所述基板，在所述第一抗蚀剂图案和所述第一膜上形成氧化硅膜，在所述氧化硅上形成第二抗蚀剂膜的步骤 膜，通过光刻将第二抗蚀剂膜加工成具有预定间距的第二抗蚀剂图案的步骤，以及通过使用第一和第二抗蚀剂图案作为掩模来处理第一膜的步骤。

公开(公告)号：KR1020090057023A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：KR1020097005558

申请日：2008-06-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 초우파오화 ,  하세베카즈히데 ,  나카지마시게루 ,  아카사카야스시 ,  이와시타미츠아키 ,  니이노레이지

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308

CPC classification number: H01L21/3086 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/32139 ,  H01L29/66795 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/11

Abstract: In a patterning method, a sacrifice film composed of SiBN and different from a thin film is formed on the thin film, and the sacrifice film is patterned at a predetermined interval by photolithography technology. Next, a sidewall spacer composed of a film different from the sacrifice film and the thin film is formed on the sidewall of the patterned sacrifice film, the patterned sacrifice film is removed and then the thin film is processed using the sidewall spacer as a mask.

Abstract translation: 在图案化方法中，在薄膜上形成由SiBN构成的与薄膜不同的牺牲膜，通过光刻技术，以规定的间隔对牺牲膜进行图案化。 接下来，在图案化牺牲膜的侧壁上形成由不同于牺牲膜的膜构成的侧壁间隔物，去除图案化牺牲膜，然后使用侧壁间隔物作为掩模来处理薄膜。

公开(公告)号：KR101939161B1

公开(公告)日：2019-01-16

申请号：KR1020147025413

申请日：2013-02-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 타나까타카시 ,  이나토미유이치로 ,  미즈타니노부타카 ,  사이토유스케 ,  이와시타미츠아키

IPC: C23C18/16 ,  C25D5/34

公开(公告)号：KR101765560B1

公开(公告)日：2017-08-07

申请号：KR1020137033987

申请日：2012-06-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미즈타니노부타카 ,  타나까타카시 ,  이와시타미츠아키

IPC: C23C18/16 ,  C23C18/31

CPC classification number: C23C18/1689 ,  C23C18/1619 ,  C23C18/1669 ,  C23C18/1675 ,  C23C18/1676

Abstract: 기판(2)의표면에전처리액이남아있는상태에서, 기판(2)을제 1 회전수로회전시키고, 기판(2)으로도금액을공급함으로써액 치환을행한다(액치환공정(S305)). 이어서, 기판(2)으로도금액을계속공급한상태에서, 기판(2)을정지또는제 2 회전수로회전시켜, 기판(2)에초기성막을행한다(인큐베이션공정(S306)). 이후, 기판(2)으로도금액을계속공급한상태에서, 기판(2)을제 3 회전수로회전시켜, 도금막을성장시킨다(도금막성장공정(S307)). 제 1 회전수는제 3 회전수보다회전수가높고, 제 3 회전수는제 2 회전수보다회전수가높다.

Abstract translation: 在其中预处理液体保留在衬底2的表面上的状态下，在基板2旋转一圈eulje信道，通过提供底物的量（2）中进行eurodo液置换（液置换步骤（S305））。 随后，基板2停止或以第二转数旋转以连续地将膜沉积在基板2上，由此在基板2上执行初始成膜（孵育步骤S306）。 之后，使衬底2旋转3圈，使镀膜连续生长（电镀膜生长工序（S307）），同时连续地向基板2供给。 第一转速高于第三转速，并且第三转速高于第二转速。