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公开(公告)号：KR1020090051186A
公开(公告)日：2009-05-21
申请号：KR1020097004487
申请日：2008-06-06
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/3086 , G03F7/40 , H01L21/02164 , H01L21/02219 , H01L21/02274 , H01L21/3088 , H01L21/31608 , G03F7/0035 , H01L21/0273
Abstract: 여기에 개시되는 패터닝 방법은, 기판 상에 제 1 막을 형성하는 공정과, 제 1 막 상에 레지스트막을 포함하는 다층막을 형성하는 공정과, 레지스트막을 포토리소그래피에 의해 패터닝하여, 소정의 패턴을 갖는 패턴화 레지스트막을 형성하는 공정과, 유기 실리콘을 포함하는 제 1 가스와 활성화된 산소종을 포함하는 제 2 가스를 해당 기판에 교대로 공급하여, 패턴화 레지스트막 및 제 1 막의 위에, 제 1 막과 다른 산화 실리콘막을 형성하는 공정과, 패턴화 레지스트막의 측벽에 측벽 스페이서가 형성되도록 산화 실리콘막을 에칭하는 공정과, 패턴화 레지스트막을 제거하는 공정과, 측벽 스페이서를 마스크로서 이용하여, 제 1 막을 가공하는 공정을 구비한다.
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公开(公告)号：KR1020110117226A
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：KR1020117021227
申请日：2008-06-06
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F7/405 , G03F7/0035 , H01L21/02164 , H01L21/0228 , H01L21/0271 , H01L21/0337 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , H01L21/0273
Abstract: 개시되는 패터닝 방법은, 기판 상에 제 1 막을 형성하는 공정과, 제 1 막 상에 제 1 레지스트막을 형성하는 공정과, 제 1 레지스트막을 포토리소그래피에 의하여 소정의 피치를 갖는 제 1 레지스트 패턴으로 가공하는 공정과, 유기 실리콘을 포함하는 제 1 가스와, 활성화된 산소종을 포함하는 제 2 가스를 해당 기판으로 교대로 공급하여, 제 1 레지스트 패턴 및 제 1 막 상에 실리콘 산화막을 형성하는 공정과, 실리콘 산화막 상에 제 2 레지스트막을 형성하는 공정과, 제 2 레지스트막을 포토리소그래피에 의하여 소정의 피치를 갖는 제 2 레지스트 패턴으로 가공하는 공정과, 제 1 레지스트 패턴 및 제 2 레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 제 1 막을 가공하는 공정을 구비한다.
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公开(公告)号：KR101011490B1
公开(公告)日：2011-01-31
申请号：KR1020097004487
申请日：2008-06-06
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/3086 , G03F7/40 , H01L21/02164 , H01L21/02219 , H01L21/02274 , H01L21/3088 , H01L21/31608
Abstract: 여기에 개시되는 패터닝 방법은, 기판 상에 제 1 막을 형성하는 공정과, 제 1 막 상에 레지스트막을 포함하는 다층막을 형성하는 공정과, 레지스트막을 포토리소그래피에 의해 패터닝하여, 소정의 패턴을 갖는 패턴화 레지스트막을 형성하는 공정과, 유기 실리콘을 포함하는 제 1 가스와 활성화된 산소종을 포함하는 제 2 가스를 해당 기판에 교대로 공급하여, 패턴화 레지스트막 및 제 1 막의 위에, 제 1 막과 다른 산화 실리콘막을 형성하는 공정과, 패턴화 레지스트막의 측벽에 측벽 스페이서가 형성되도록 산화 실리콘막을 에칭하는 공정과, 패턴화 레지스트막을 제거하는 공정과, 측벽 스페이서를 마스크로서 이용하여, 제 1 막을 가공하는 공정을 구비한다.
Abstract translation: 本文所公开的图案化方法，通过首先形成包含步骤的多层膜，在第一膜上的抗蚀剂膜以形成膜，通过光刻法在基板上图案化的抗蚀膜，图案具有预定图案 将包含有机硅的第一气体和包含活化氧的第二气体交替地供应到基板，以在图案化的抗蚀剂膜和第一膜上形成抗蚀剂膜， 以便形成上图案化硅的形成使用蚀刻氧化硅膜的工艺中的另一氧化膜的抗蚀剂膜侧壁的步骤的侧墙，以及去除所述图案化的抗蚀剂膜的工序，和侧墙作为掩模来处理该第一膜 以及步骤。
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公开(公告)号：KR1019950001839B1
公开(公告)日：1995-03-03
申请号：KR1019910023374
申请日：1991-12-18
Applicant: 가부시끼가이샤 도시바 , 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/285
CPC classification number: C23C16/455 , C23C16/45578 , C30B25/14
Abstract: 내용 없음.
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公开(公告)号：KR1019950001882A
公开(公告)日：1995-01-04
申请号：KR1019940001926
申请日：1994-02-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 도오교오에레구토론도오호쿠가부시끼가이샤
IPC: H01L21/26
Abstract: 반도체 웨이퍼의 표면에 대한 막형성을 위하여 웨이퍼 보우트의 링형상 얹어놓는대의 여러개의 웨이퍼를 각각 얹어놓는 한편, 반응관내 온도를 가령 400℃로 하며, 또한 질소가스 분위기로 하여 두고, 웨이퍼 보우트를 반응관 내로 반입한 후, 반응관 내를 가령 100℃/분의 속도로 620℃까지 승온하고, 실리콘 기판의 표면에 SiH
4 가스를 공급하여 폴리실리콘막을 형성한다. 막형성 후, 가열부 표면을 따라서 통풍하여 반응관 내를 강제 냉각시킨다. 또, 실리콘 기판의 표면의 금속막을 형성한 웨이퍼를 사용하여 금속 실리콘막을 형성하는 경우는 가령 반응관 내를 100℃로 설정하고, 웨이퍼를 로우딩한다. 이에 의하여 자연 산화막의 성장이 억제되고, 반도체 디바이스의 특성이 향상된다. 같은 원리는 산화막 형성 및 불순물 확산을 위해서도 사용된다.-
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公开(公告)号：KR1019950001881A
公开(公告)日：1995-01-04
申请号：KR1019930024192
申请日：1993-11-15
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/324
Abstract: 본 발명의 열처리 방법에서는, 외부히이터(저항발열체)로 가열해서 600℃까지 승온시킨 반응용기내에 소정의 반응가스를 공급하고, 이 반응용기내에서 열처리 보우트에 의해서 유지된 예로서 25매의 반도체 웨이퍼에 반응성 가스의 반응생성물을 퇴적시켜서 BPSG막을 형성한다. 그후, 반응성가스를 불활성가스로 치환하여 저항발열체로 반응용기내를 900℃까지 가열해서 BPSG막을 용융시켜 평탄화한 다음, 600℃까지 반응용기내를 냉각시킨다. 또한 연속해서 상기 피막형성공정, 평탄화공정 및 냉각공정을 최소한 1회 반복한다. 이와같은 열처리 방법으로 높은 어스펙트비의 경우라도 균일한 성막을 하여 보이드를 발생시키지 않고, 피처리체 표면을 평탄화 할 수가 있으며, 더욱이 불순물을 혼입시키지 않고, 전기적 특성, 기계적 특성이 뛰어난 피막을 피처리체에 형성하는 열처리 방법을 제공할 수가 있다.
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公开(公告)号：KR1019920013632A
公开(公告)日：1992-07-29
申请号：KR1019910023374
申请日：1991-12-18
Applicant: 가부시끼가이샤 도시바 , 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/285
Abstract: 내용 없음
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公开(公告)号：KR101291766B1
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：KR1020097005558
申请日：2008-06-06
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027 , H01L21/28 , H01L21/3065 , H01L21/308
CPC classification number: H01L21/3086 , H01L21/0337 , H01L21/3088 , H01L21/32139 , H01L29/66795
Abstract: 개시되는 패터닝 방법에서는, 박막 상에, 이 박막과는 다른 막으로 이루어지고, 또한 SiBN으로 이루어진 희생막을 형성하고, 희생막을 포토리소그래피 기술을 이용하여, 소정의 간격을 가지는 패턴으로 가공하고, 가공된 희생막의 측벽 상에, 희생막 및 박막과는 다른 막으로 이루어진 측벽 스페이서를 형성하고, 가공된 희생막을 제거하고, 측벽 스페이서를 마스크로 이용하여 박막을 가공한다.
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公开(公告)号：KR101217778B1
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：KR1020117021227
申请日：2008-06-06
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F7/405 , G03F7/0035 , H01L21/02164 , H01L21/0228 , H01L21/0271 , H01L21/0337 , H01L21/31144 , H01L21/32139
Abstract: 개시되는패터닝방법은, 기판상에제 1 막을형성하는공정과, 제 1 막상에제 1 레지스트막을형성하는공정과, 제 1 레지스트막을포토리소그래피에의하여소정의피치를갖는제 1 레지스트패턴으로가공하는공정과, 유기실리콘을포함하는제 1 가스와, 활성화된산소종을포함하는제 2 가스를해당기판으로교대로공급하여, 제 1 레지스트패턴및 제 1 막상에실리콘산화막을형성하는공정과, 실리콘산화막상에제 2 레지스트막을형성하는공정과, 제 2 레지스트막을포토리소그래피에의하여소정의피치를갖는제 2 레지스트패턴으로가공하는공정과, 제 1 레지스트패턴및 제 2 레지스트패턴을마스크로이용하여제 1 막을가공하는공정을구비한다.
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公开(公告)号：KR101101785B1
公开(公告)日：2012-01-05
申请号：KR1020117004101
申请日：2008-06-06
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027 , H01L21/3065
CPC classification number: G03F7/405 , G03F7/0035 , H01L21/02164 , H01L21/0228 , H01L21/0271 , H01L21/0337 , H01L21/31144 , H01L21/32139
Abstract: 개시되는 패터닝 방법은, 기판 상에 제 1 막을 형성하는 공정과, 제 1 막 상에 제 1 레지스트막을 형성하는 공정과, 제 1 레지스트막을 포토리소그래피에 의하여 소정의 피치를 갖는 제 1 레지스트 패턴으로 가공하는 공정과, 유기 실리콘을 포함하는 제 1 가스와, 활성화된 산소종을 포함하는 제 2 가스를 해당 기판으로 교대로 공급하여, 제 1 레지스트 패턴 및 제 1 막 상에 실리콘 산화막을 형성하는 공정과, 실리콘 산화막 상에 제 2 레지스트막을 형성하는 공정과, 제 2 레지스트막을 포토리소그래피에 의하여 소정의 피치를 갖는 제 2 레지스트 패턴으로 가공하는 공정과, 제 1 레지스트 패턴 및 제 2 레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 제 1 막을 가공하는 공정을 구비한다.
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