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公开(公告)号：KR100851548B1
公开(公告)日：2008-08-11
申请号：KR1020070007133
申请日：2007-01-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/1658 , G11C13/0004 , G11C13/0069 , G11C2013/008 , G11C2213/35 , H01L45/06 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1675 , H01L45/1683
Abstract: 상변화 기억 소자 및 그 형성 방법을 제공한다. 이 소자는 히터 전극과 상변화 패턴 사이에 개재되고 탄소함유물질로 형성된 점착 패턴을 포함한다. 탄소함유물질로 형성된 점착 패턴에 의하여 히터 전극, 점착 패턴 및 상변화 패턴은 매우 우수한 접착력으로 결합된다. 그 결과, 상변화 기억 소자의 내구성이 향상된다.
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公开(公告)号：KR100521081B1
公开(公告)日：2005-10-14
申请号：KR1020020062297
申请日：2002-10-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/11 , H01L24/02 , H01L24/13 , H01L2224/0401 , H01L2224/13099 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/16 , H01L2924/0001 , H01L2924/00013 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01018 , H01L2924/01024 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/0106 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2224/29099 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: A method of fabricating and mounting a flip chip includes using an environmentally friendly plasma gas, which minimizes safety hazards during an implementation of the method and does not require an additional heat source during a reflow process thereof. That is, the method includes reflowing a solder bump using an argon-hydrogen plasma process. The argon-hydrogen plasma process used to fabricate the flip chip includes maintaining a pressure in a chamber at 250 to 270 mtorr, feeding a mixed gas of argon with 10 to 20% hydrogen to the chamber to generate a plasma with power of 100 to 200 W, and exposing the flip chip to the plasma for 30 to 120 seconds. Additionally, an argon-hydrogen plasma process used to mount the flip chip includes maintaining pressure in a chamber at 100 to 400 mtorr, feeding a mixed gas of argon with 0 to 20% hydrogen to the chamber to generate a plasma with power of 10 to 50 W, and exposing the flip chip to the plasma for 10 to 120 seconds.
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公开(公告)号：KR100520080B1
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：KR1020030049311
申请日：2003-07-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/52
CPC classification number: H01L24/81 , H01L21/563 , H01L24/29 , H01L2224/13111 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/274 , H01L2224/29111 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73104 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81801 , H01L2224/83102 , H01L2224/83104 , H01L2224/83191 , H01L2224/83856 , H01L2224/92125 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/1579 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/0665
Abstract: 본 발명은, 전자부품이 장착되는 인쇄회로기판에 플립칩 형 반도체 칩을 타 부품과 함께 표면실장하는 반도체 칩 혼재실장방법에 관한 것으로, 다수의 반도체 칩이 일체로 배열된 반도체 웨이퍼의 배면에 각 반도체의 도전접촉부에 솔더범프를 형성하는 단계와; 상기 반도체 웨이퍼의 상기 솔더범프가 형성된 면에 언더필 재료를 도포하는 단계와; 상기 언더필 재료를 점착성을 갖는 상태로 부분경화시키는 단계와; 상기 반도체 웨이퍼를 다수의 반도체 칩으로 절단하여 상기 언더필 재료가 상기 인쇄회로기판에 향하도록 상기 반도체 칩을 상기 인쇄회로기판에 배치하는 단계와; 상기 인쇄회로기판을 상기 솔더범프의 용융점 이상이며 동시에 언더필 재료의 경화가 이루어 지는 온도에서 가열하는 가열단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여, 반도체 칩의 중간단계 이동을 위한 포장재의 필요가 없고 추가적인 언더필 공정이 없어 공정을 단순화 하며 부품간 이격거리를 줄일 수 있는 반도체 칩 표면실장방법이 제공된다.
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公开(公告)号：KR1019950003832B1
公开(公告)日：1995-04-20
申请号：KR1019910021243
申请日：1991-11-26
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박민영
IPC: H04N1/32
Abstract: The method includesg steps of; transmitting a dial signal corresponding to the one-touch dial key by reading it from the memory and then detecting if the current mode is a facsimile mode; determining if the transmitting manuscript is set; transmitting a picture of the set document when the manuscript is set in the scanner; processing the corresponding input key after finding that the signal of the input key is not the starting key signal; and transmitting a picture of the set manuscript when the manuscript is determined to be set, or performing a receiving operation when the manuscript is not set.
Abstract translation: 该方法包括以下步骤： 通过从存储器读取对应于单触拨号键的拨号信号，然后检测当前模式是否为传真模式; 确定传送手稿是否设置; 当原稿设置在扫描仪中时传送设定文件的图片; 在发现输入键的信号不是起始键信号后处理对应的输入键; 以及当原稿被确定设置时发送所设置的原稿的图片，或者当未设置原稿时执行接收操作。
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公开(公告)号：KR1019950002370A
公开(公告)日：1995-01-04
申请号：KR1019930012137
申请日：1993-06-30
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박민영
IPC: H04N1/32
Abstract: 본 발명은 팩시밀리에 관한 것으로, 팩시밀리의 대기 상태에서 사용자로부터 입력되는 전화번호를 표시부로 디스플레이 해주는 팩시밀리의 제어방법에 관한 것이다.
종래에는 송신하고자 하는 전화번호를 직접 암기 또는 다른 용지에 기록해야되는 문제점이 있었다.
따라서 본 발명은 팩시밀리 대기 상태에서 입력되는 전화번호를 표시장치로 표시하여 주고, 메모리에 저장한 후, 사용자가 원고 삽입후 송신 스타트 키이를 누르면 메모리에 저장된 전화번호로 다이얼링을 하고 원고를 송출한다.
상술한 바와 같은 본 발명은 조작판넬로써 수신측의 전화번호를 디스플레이해줌으로 사용자가 일일이 전화번호를 암기 또는 메모할 필요성이 없이 편리함을 제공한다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101929224B1
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：KR1020120080195
申请日：2012-07-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/02 , C23C16/455
Abstract: 반도체 소자의 제조 방법을 제공한다. 이 방법은 반도체 기판을 공정 챔버 내로 로딩하고, 상기 공정 챔버 내의 상기 반도체 기판 상에 증착 막을 형성하는 것을 포함한다. 상기 증착 막을 형성하는 것은 상기 반도체 기판 상에 단위 층을 반복적으로 형성하는 것을 포함한다. 상기 증착 막이 형성된 반도체 기판을 상기 공정 챔버로부터 언로딩한다. 상기 단위 층을 형성하는 것은 상기 공정 챔버 내에 전구체 물질 및 막-제어 물질을 포함하는 공정 물질을 공급하여 상기 반도체 기판 상에 예비 단위 층을 형성하되, 상기 전구체 물질은 중심 원자 및 상기 중심 원자와 결합된 리간드를 포함하고, 상기 막-제어 물질은 상기 전구체 물질의 상기 리간드의 수소 화합물이고, 상기 예비 단위 층을 갖는 반도체 기판이 위치하는 상기 공정 챔버를 제1 퍼지하고, 상기 제1 퍼지된 공정 챔버 내의 상기 예비 단위 층을 단위 층으로 형성하고, 상기 단위 층을 갖는 반도체 기판이 위치하는 상기 공정 챔버를 제2 퍼지하는 것을 포함한다.
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公开(公告)号：KR101770314B1
公开(公告)日：2017-08-23
申请号：KR1020110019261
申请日：2011-03-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/3205 , H01L21/02 , H01L21/28 , H01L27/108 , H01L29/51 , H01L49/02
CPC classification number: H01L28/60 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/02189 , H01L21/02271 , H01L21/0228 , H01L21/28194 , H01L27/10808 , H01L27/10814 , H01L27/10855 , H01L28/40 , H01L29/517 , H01L29/78
Abstract: 유전막형성방법및 이를이용한반도체소자의제조방법이개시된다. 중심금속및 중심금속에결합된리간드를포함하는유기금속전구체를공정챔버내에로딩된기판상에흡착시킨다. 유기금속전구체와반응가능한비활성산화제를상기기판상에공급한다. 비활성산화제보다반응성이활성산화제를상기기판상에공급한다. 비활성산화제와활성산화제를모두사용함으로서상호단점이보완되어유전막의막질및 전기적특성을향상시킬수 있다.
Abstract translation: 公开了一种形成介电膜的方法和使用该方法制造半导体器件的方法。 包含结合到中心金属和中心金属的配体的有机金属前体被吸附到加载到处理室中的基底上。 将能够与有机金属前体反应的惰性氧化剂供给到基材上。 将比惰性氧化剂更具反应性的活性氧化剂供应到基材上。 通过使用惰性氧化剂和活性氧化剂两者，可以补偿相互的缺点，并且可以改善介电膜的膜质和电特性。
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公开(公告)号：KR1020170046391A
公开(公告)日：2017-05-02
申请号：KR1020150146671
申请日：2015-10-21
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본발명의다양한실시예는영상촬영장치및 방법에관한것으로, 상기영상촬영장치는, 다수의픽셀들이배열된이미지센서; 상기이미지센서를구동하여메인프레임을리드아웃하는드라이버; 및상기메인프레임을이미지처리하는디지털이미지프로세서를포함하되, 상기드라이버는, 상기메인프레임을리드아웃하기이전에, 상기이미지센서를구동하여, 상기메인프레임에연관된서브프레임을리드아웃할 수있다. 또한, 본발명의다양한실시예는상술한실시예와다른실시예들도포함한다.
Abstract translation: 本发明的各种实施例涉及一种图像拍摄设备和方法，其中该图像拍摄设备包括：图像传感器，其中排列多个像素; 驱动图像传感器引出主机的驱动器; 并且还有一个数字图像处理器用于图像处理主框架，驱动器能够在引导主框架之前驱动图像传感器引出与主框架相关的子框架。 另外，本发明的各种实施例包括除了上述那些之外的实施例。
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公开(公告)号：KR101591940B1
公开(公告)日：2016-02-05
申请号：KR1020090035610
申请日：2009-04-23
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C8/10 , G11C8/12 , G11C11/1653 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/77
Abstract: 3차원구조로배열된저항성메모리소자들을포함하는비휘발성메모리장치가제공된다. 비휘발성메모리장치는복수개의메모리블록들, 복수의메모리블록들중 어느하나의메모리블록을선택하기위한블록선택신호를발생시키는블록선택회로, 각각의메모리블록과연결되며, 블록선택신호에응답하여, 워드라인디코더와연결된글로벌워드라인들과로컬워드라인들을연결시키는복수의로컬워드라인선택부들및 각각의메모리블록과연결되며, 블록선택신호에응답하여, 센스앰프와연결된글로벌비트라인들과로컬비트라인들을연결시키는복수의로컬비트라인선택부들을포함하되, 각각의메모리블록은, 제 1 평면과수직한제 2 평면에서, 제 1 방향으로신장되며, 제 1 방향과수직한제 2 방향으로적층된복수의로컬워드라인들, 제 2 방향으로신장되어로컬워드라인들의측벽들을가로지르는로컬비트라인들, 및로컬워드라인들과로컬비트라인들의교차점에형성된메모리셀들을포함한다.
Abstract translation: 提供了一种包括以三维结构布置的电阻存储元件的非易失性存储器件。 1。一种非易失性存储器件，包括：多个存储块;块选择电路，用于生成用于选择所述多个存储块中的一个存储块的块选择信号;耦合到每个存储块的存储器， 多个本地字线选择器，用于连接耦合到字线解码器的全局字线和本地字线，以及多个本地字线选择器，连接到相应的存储块并且响应于所述块选择信号， 以及连接位线的多个局部位线选择器，其中每个存储块包括沿垂直于第一平面的第二平面中的第一方向和垂直于第一方向的第二方向延伸的多个位线选择器 在所述第一方向上堆叠的多个局部字线，跨越所述局部字线的侧壁在所述第二方向上延伸的局部位线以及在所述局部字线与所述局部位线的交叉处， 它包括存储单元。
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