公开(公告)号：KR100695144B1

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：KR1020050016266

申请日：2005-02-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조세영 ,  타카시노구치 ,  선우문욱 ,  장샤오신 ,  후아샹잉

IPC: H01L21/20

Abstract: 양질의 단결정 기판 및 이의 제조방법에 관해 개시된다. 본 발명에 따른 단결정 실리콘 기판의 제조방법은: 기판에 형성된 실리콘 산화물(SiO
2 )층과 이 위의 실리콘 질화물(SiNx)층을 구비하는 절연층에 기판의 일부를 노출시키는 윈도우를 형성하는 단계; 윈도우를 통해 노출된 상기 기판의 표면에 에피택셜 성장 실리콘 또는 게르마늄 종자층을 형성하는 단계; 종자층과 절연층 위에 결정화대상물질인 실리콘 또는 게르마늄 물질층을 증착하는 단계; 그리고 결정화 대상물질층을 용융 및 냉각을 통해 상기 결정화 대상물질을 결정화하는 단계;를 포함한다.
단결정, 성장, 실리콘, 게르마늄, 종자

公开(公告)号：KR1020070008234A

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：KR1020050063300

申请日：2005-07-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 후아샹잉 ,  타카시노구치 ,  선우문욱 ,  조세영 ,  장샤오신

IPC: H01L21/335

Abstract: A semiconductor device including a stacked transistor structure is provided to form a quality polysilicon layer similar to a single crystal by using as a seed a single crystalline silicon layer with an orientation of formed as a silicon plug. A MOS is formed on a silicon substrate(40). The MOS transistor is covered with an interlayer dielectric(52). A thin film transistor with a fin channel is formed on the interlayer dielectric to be connected to the MOS transistor. The MOS transistor and the thin film transistor penetrate the interlayer dielectric, interconnected by a single crystalline silicon plug(56) with an orientation of . The thin film transistor includes at least two fin channels separated from each other.

Abstract translation: 提供包括堆叠晶体管结构的半导体器件，通过使用具有形成为硅插头的取向的单晶硅层作为晶种形成与单晶相似的质量多晶硅层。 在硅衬底（40）上形成MOS。 MOS晶体管被层间电介质（52）覆盖。 具有鳍状沟道的薄膜晶体管形成在与MOS晶体管连接的层间电介质上。 MOS晶体管和薄膜晶体管穿透层间电介质，由具有取向的单晶硅插头（56）互连。 薄膜晶体管包括彼此分离的至少两个翅片通道。

公开(公告)号：KR1020070008023A

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：KR1020050062923

申请日：2005-07-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 선우문욱 ,  박영수 ,  타카시노구치 ,  조세영 ,  장샤오신 ,  후아샹잉

IPC: H01L21/335

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B25/005 ,  C30B29/08 ,  C30B29/60

Abstract: A single crystalline with a controlled orientation is provided to fabricate high quality nano-wire and transistor on a substrate by forming nano-wire in parallel on a substrate while using a crystalline material like Si, SiGe and the like. A template layer is formed on a substrate(100) made of silicon or sapphire, including a first lateral surface and a second surface confronting the first lateral surface. Pores are formed between the first and the second lateral surfaces of the template layer, having a first opening in the first lateral surface. A single crystalline material layer comes in contact with the first opening formed in the first lateral surface of the template layer. After a second opening connected to the pore formed in the second lateral surface is formed, a crystalline growth material of gas state is supplied through the second opening to form a crystalline wire in the pore by crystalline growth from the single crystalline material layer. The crystalline wire is made of silicon or silicon germanium.

Abstract translation: 提供具有受控取向的单晶以通过在使用诸如Si，SiGe等的结晶材料的同时在衬底上平行地形成纳米线来在衬底上制造高质量的纳米线和晶体管。 模板层形成在由硅或蓝宝石制成的衬底（100）上，该衬底（100）包括第一侧表面和面对第一侧表面的第二表面。 在模板层的第一和第二侧表面之间形成有孔，在第一侧面具有第一开口。 单晶材料层与形成在模板层的第一侧表面中的第一开口接触。 在连接到形成在第二侧表面中的孔的第二开口形成后，通过第二开口供给气态的结晶生长材料，以通过从单晶材料层的结晶生长在孔中形成结晶线。 晶体线由硅或硅锗制成。

公开(公告)号：KR100612885B1

公开(公告)日：2006-08-14

申请号：KR1020040117012

申请日：2004-12-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 선우문욱 ,  타카시노구치 ,  박영수 ,  조세영 ,  후아샹잉

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/268 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76256 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1266 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66772

Abstract: 국부적으로 단결정 실리콘이 집적된 대형의 기판의 제조방법에 관하여 기술된다. 제조방법은: 별도로 단결정 실리콘층을 제조하는 단계; 지지판의 버퍼층 일부 영역에 별도로 제작된 소정 두께의 단결정 실리콘층을 접착하는 단계; 상기 단결정 실리콘층의 위와 상기 버퍼층의 표면을 덮는 비(非)단결정 실리콘층 물질층을 소정 두께 형성하는 단계; 그리고 상기 비단결정 실리콘층의 표면을 노출시킴과 아울러 비단결정 실리콘층의 표면과 비정질 실리콘층의 표면이 동일 높이를 갖도록 상기 비단결정 실리콘층을 에칭 또는 연마하는 가공단계; 를 포함한다. 따라서, 제조가능한 단결정 실리콘층의 크기에 무관하게 대형의 디스플레이 패널 등을 제조할 수 있다.
단결정, 본딩, 대형, 디스플레이, SOG, SiOG

公开(公告)号：KR1020060079958A

公开(公告)日：2006-07-07

申请号：KR1020050000381

申请日：2005-01-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 타카시노구치 ,  후아샹잉 ,  정지심 ,  선우문욱 ,  권장연 ,  노용한 ,  정석원 ,  정성훈

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/4908

Abstract: 개시된 실리콘 박막트랜지스터는: 기판에 형성되는 실리콘 채널과; 상기 실리콘 채널 위에 형성되는 게이트 절연층과; 상기 게이트 절연층 위에 마련되는 게이트를; 구비하고, 상기 게이트 절연층은 HfOx
박막을 포함하는 구조를 가진다. 이러한 박막트랜지스터는 낮은 전류누설특성을 가진다.
다결정, 실리콘, 게이트 절연층, HfOx, HfO2

公开(公告)号：KR1020060061201A

公开(公告)日：2006-06-07

申请号：KR1020050016266

申请日：2005-02-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조세영 ,  타카시노구치 ,  선우문욱 ,  장샤오신 ,  후아샹잉

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02667

Abstract: 양질의 단결정 기판 및 이의 제조방법에 관해 개시된다. 본 발명에 따른 단결정 실리콘 기판의 제조방법은: 기판에 형성된 절연층에 기판의 일부를 노출시키는 윈도우를 형성하는 단계; 윈도우를 통해 노출된 상기 기판의 표면에 에피택셜 성장 실리콘 또는 게르마늄 종자층을 형성하는 단계; 종자층과 절연층 위에 결정화대상물질인 실리콘 또는 게르마늄 물질층을 증착하는 단계; 그리고 결정화 대상물질층을 용융 및 냉각을 통해 상기 결정화 대상물질을 결정화하는 단계;를 포함한다.
단결정, 성장, 실리콘, 게르마늄, 종자

公开(公告)号：KR1020060054514A

公开(公告)日：2006-05-22

申请号：KR1020040093575

申请日：2004-11-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임혁 ,  타카시노구치 ,  선우문욱 ,  정지심

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/6838 ,  H01J37/32715 ,  H01L21/67069

Abstract: 건식 식각 장치가 개시된다.
개시되는 건식 식각 장치는 플렉서블(flexible) 기판이 내부에 수용되는 반응실; 상기 반응실의 상부에 설치되는 상부 전극; 상기 반응실의 하부에 설치되는 하부 전극; 상기 상부 전극과 상기 하부 전극에 소정 전원을 공급하는 전원장치; 상기 플렉서블 기판에 반응가스를 공급하는 가스공급부; 및 상기 플렉서블 기판에 흡입력을 가하여 상기 플렉서블 기판을 편평하게 유지하는 흡입부;를 구비한다. 또한, 상기 건식 식각 장치는 플라스마에 바이어스(bias)를 가하여 상기 플라스마 내의 이온을 가속시키는 바이어스부를 구비할 수 있다.
본 발명에 따른 건식 식각 장치에 의하면, 흡입홀이 구비되어 식각 공정 중에 상기 플렉서블 기판이 편평하게 유지될 뿐만 아니라, 바이어스 전극이 마련되어 플렉서블 기판에 대한 이온 등의 충돌이 증진된다. 따라서, 상기 플렉서블 기판이 균일하고 효율적으로 식각될 수 있는 장점이 있다.

公开(公告)号：KR1020060045340A

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：KR1020050022534

申请日：2005-03-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조세영 ,  선우문욱

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/02675

Abstract: 반도체 기판 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명에 따르면, Si 기판, 상기 Si 기판 상에 형성된 소정폭의 비정질절연층, 양측에 각각 제1단부 및 제2단부를 가지며 상기 양 단부로부터 측방향 에피텍셜 성장에 의해 형성된 것으로 상기 비정질절연층을 매립하는 SiGe층 및 상기 비정질절연층에 대응하여 상기 SiGe층 상에 에피텍셜 성장에 의해 형성된 것으로 Si의 격자변형이 유도된 스트레인 Si층을 구비하는 반도체 기판 및 그 제조방법이 제공된다.

Abstract translation: 公开了一种半导体衬底及其制造方法。 按照本发明，在Si基板，非晶质的绝缘预定形成在Si衬底宽度层，其具有相应的第一端和从所述两个端部两侧的第二端上通过横向外延生长的绝缘非晶层上形成 通过在SiGe层上外延生长而形成的与非晶绝缘层相对应的应变Si层及其制造方法。

公开(公告)号：KR101678669B1

公开(公告)日：2016-11-22

申请号：KR1020090000116

申请日：2009-01-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 선우문욱 ,  마동준 ,  김연희 ,  이정현 ,  정석재

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 단결정실리콘및 이를포함하는박막트랜지스터의제조방법이개시된다. 개시된단결정실리콘형성방법은실리콘층측부에사이드월을형성하고, 그상부에장벽층을형성한뒤, 레이저에의한열처리공정을실시함으로써, 실리콘층을측면단결정시킬수 있다.

公开(公告)号：KR1020140076358A

公开(公告)日：2014-06-20

申请号：KR1020120144807

申请日：2012-12-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이정엽 ,  선우문욱 ,  황준식 ,  문창렬

IPC: H01L21/8258 ,  H01L21/20

CPC classification number: B32B7/12 ,  B32B7/10 ,  B32B15/08 ,  B32B15/20 ,  B32B27/08 ,  B32B27/281 ,  B32B27/283 ,  B32B27/302 ,  B32B27/32 ,  B32B37/12 ,  B32B38/0008 ,  B32B38/162 ,  B32B2250/40 ,  B32B2457/14 ,  H01L21/187 ,  H01L21/306 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31663

Abstract: A bonded substrate structure using a siloxane-based monomer and a manufacturing method thereof are disclosed. The disclosed bonded substrate structure using the siloxane-based monomer includes a siloxane-based monomer layer bonding a first substrate and a second substrate between the first substrate and the second substrate. The first substrate and the second substrate may be a silicon substrate or a silicone oxide substrate.

Abstract translation: 公开了使用硅氧烷类单体的键合衬底结构及其制造方法。 公开的使用硅氧烷类单体的键合衬底结构包括在第一衬底和第二衬底之间接合第一衬底和第二衬底的硅氧烷基单体层。 第一衬底和第二衬底可以是硅衬底或氧化硅衬底。