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公开(公告)号：KR102065496B1
公开(公告)日：2020-01-13
申请号：KR1020130069736
申请日：2013-06-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
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公开(公告)号：KR1020160122910A
公开(公告)日：2016-10-25
申请号：KR1020150052555
申请日：2015-04-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/423 , H01L29/66
CPC classification number: H01L27/088 , H01L21/823481 , H01L27/0886 , H01L27/1104 , H01L29/0653 , H01L29/7848
Abstract: 본발명은전계효과트랜지스터를포함하는반도체소자에관한것으로, 보다구체적으로그의상부에활성패턴을갖는기판; 및상기활성패턴을가로지르며, 상기활성패턴을제1 영역및 제2 영역으로양분하는분리구조체를포함할수 있다. 이때, 상기분리구조체는, 상기제1 및제2 영역들사이에정의된리세스영역을채우는제1 절연패턴을포함하고, 상기제1 절연패턴은오목한(concave) 상면을가질수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种包括一个场效应晶体管的半导体器件，具有在更详细地在其上活跃的一个图案的基板; 以及跨越有源图案并将有源图案分成第一区域和第二区域的隔离结构。 此时，分离结构中，第一mitje第一绝缘包括图案，所述第一绝缘图案以填充第二区域可以具有凹部（凹的）顶面之间限定的凹进区域。
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公开(公告)号：KR1020160030794A
公开(公告)日：2016-03-21
申请号：KR1020140120432
申请日：2014-09-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/823431 , H01L21/823437 , H01L21/823481
Abstract: 반도체소자의제조방법에서, 기판을식각하여, 표면으로부터돌출되고제1 방향으로연장되는형상을갖고, 상기제1 방향으로서로이격되는액티브핀들을형성한다. 상기기판상에상기액티브핀들사이부위를부분적으로채우는소자분리막패턴을형성한다. 상기소자분리막패턴상에, 상기액티브핀들이상기제1 방향으로이격된부위를노출하는제1 개구부를포함하는몰드패턴을형성한다. 상기제1 개구부내부를채우는절연패턴을형성한다. 상기액티브핀들의표면이노출되도록상기몰드패턴을제거한다. 상기액티브핀들상에상기제1 방향과수직한제2 방향으로연장되는게이트구조물및 상기절연패턴상에상기제2 방향으로연장되는더미게이트구조물을각각형성한다. 상기반도체소자의제조방법에의하면, 우수한특성의핀형트랜지스터를제조할수 있다.
Abstract translation: 一种制造半导体器件的方法包括以下步骤：形成在第一方向上彼此分离的有源引脚，从其表面突出，并通过蚀刻衬底沿第一方向延伸; 形成部分填充衬底上的有源销之间的间隙的器件分离膜图案; 在所述器件分离膜图案上形成模具图案，所述模具图案包括使所述活动销彼此分离的部分露出的第一开口部; 形成填充所述第一开口部的内部的绝缘图案; 去除模具图案以使活动销的表面暴露; 以及形成在垂直于第一方向的第二方向上延伸的栅极结构，以及在每个有源引脚上的绝缘图案上沿第二方向延伸的伪栅极结构。 通过制造半导体器件的方法，可以制造出具有优异特性的pin型晶体管。
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公开(公告)号：KR1020140140852A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：KR1020130061775
申请日：2013-05-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/785 , H01L29/66795 , H01L21/311 , H01L21/76224
Abstract: 반도체 장치 및 그 제조 방법이 제공된다. 반도체 장치의 제조 방법은, 액티브 핀과, 액티브 핀 상에 배치된 제1 트렌치를 포함하는 필드 절연막을 제공하고, 제1 트렌치의 측벽 및 하부에 배치된 필드 절연막을 제1 식각하여 제2 트렌치를 형성하고, 제2 트렌치의 측벽 및 하부에 배치된 필드 절연막을 제2 식각하여, 필드 절연막 내에, 액티브 핀에 인접하여 배치되고 제1 두께를 갖는 제1 영역과, 제1 영역에 비해 상기 액티브 핀으로부터 떨어져 배치되고 제1 두께보다 두꺼운 제2 두께를 갖는 제2 영역을 형성하고, 액티브 핀과 필드 절연막 상에 게이트 구조물을 형성하는 것을 포함한다.
Abstract translation: 提供半导体器件及其制造方法。 制造半导体器件的方法包括以下步骤：提供一种场绝缘层，该场绝缘层包括有源鳍片和布置在活性鳍片上的第一沟槽; 通过设置在第一沟槽的下侧和侧壁上的场绝缘层的第一蚀刻形成第二沟槽; 形成第一区域，其具有第一厚度并且布置在活性鳍片附近;以及第二区域，其具有比所述第一厚度厚的第二厚度，并且与所述场绝缘层中的所述第一区域相比远离所述有源鳍片 通过设置在第二沟槽的下侧和侧壁上的场绝缘层的第二蚀刻; 并在活性鳍片和场绝缘层上形成栅极结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140113141A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：KR1020130028136
申请日：2013-03-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/3083 , H01L21/31144 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/7848 , H01L29/785 , H01L21/76224
Abstract: Provided are a method of fabricating a semiconductor device and a semiconductor device fabricated using the method. The method of fabricating a semiconductor device includes forming a fin extended in a first direction, and a hard mask layer arranged on the fin; and forming a trench by patterning the fin and the hard mask layer in a second direction different from the first direction; allowing the trench to expose the side of the fin patterned and the side of the hard mask layer patterned and etching the side of the exposed hard mask layer; exposing a part of the upper surface of the fin; and forming a first field insulating layer which covers the upper surface of the exposed fin by filling the trench.
Abstract translation: 提供一种使用该方法制造半导体器件和半导体器件的方法。 制造半导体器件的方法包括形成沿第一方向延伸的翅片和布置在鳍片上的硬掩模层; 以及通过沿着与所述第一方向不同的第二方向图案化所述翅片和所述硬掩模层来形成沟槽; 允许沟槽暴露图案化的翅片的侧面和图案化的硬掩模层的侧面并蚀刻暴露的硬掩模层的侧面; 暴露翅片的上表面的一部分; 以及通过填充所述沟槽形成覆盖所述裸露翅片的上表面的第一场绝缘层。
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公开(公告)号：KR100660530B1
公开(公告)日：2006-12-22
申请号：KR1019990031955
申请日：1999-08-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명은 반도체 노광 설비에서 사용되는 반도체 제조용 마스크에 관한 것으로, 반도체 노광 설비에서 사용되는 반도체 제조용 마스크는 회로 패턴과 비회로 패턴으로 이루어지고 그 중 어느 하나에는 광이 투과되는 제 1 영역과, 이 제 1 영역의 외곽에 위치하고 노광 브로킹을 위한 광 차단막이 형성된 제 2 영역 및 제 1 영역과 제 2 영역사이에 위치하는 제 3 영역으로 이루어진다. 그리고 제 3 영역은 제 3 영역을 통과하는 노광량을 조절하기 위한 노광조절막을 구비한다.
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公开(公告)号：KR100238229B1
公开(公告)日：2000-01-15
申请号：KR1019970004776
申请日：1997-02-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
Abstract: 포토 마스크 제조를 위한 보조틀에 대해 기재되어 있다. 이는, 포토 마스크 기판보다 큰 다양한 모양의 외변을 갖으며, 내부에는 포토 마스크 기판의 외곽과 같은 형상을 갖는 중공(中空)을 구비하며, 중공 내에 포토 마스크 기판이 끼워지는 것을 특징으로 하며, 아델(Ardel), 테플론(Teflon), Lexan, Ultem, Vespel 등의 불소수지나 알루미늄(Al) 등의 금속성 물질 되어 있다. 따라서, 본 발명에 의하면, 포토 마스크의 식각 또는 도포 균일도를 개선할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100165465B1
公开(公告)日：1999-02-01
申请号：KR1019950039033
申请日：1995-10-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
Abstract: 본 발명은 단차를 갖는 구조물상에 균일한 콘택을 형성하는 방법에 관해 개시한다. 본 발명에 의한 균일한 콘택형성방법은 마스크를 이용하여 단차를 갖는 구조물에 균일한 콘택을 형성하는 방법에 있어서, 상기 마스크는 동일한 노광량에 서로 다른 CD를 형성하는 두 부분이 선택적으로 반복된 마스크로 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 콘택을 형성하는데 있어서, 동일 노광량에 대해 부분적으로 각기 다른 CD를 형성하는 마스크를 사용함으로써, 단차를 갖는 물질층의 전영역에 걸쳐서 균일한 CD값을 갖는 완전한 콘택을 형성할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019980045176A
公开(公告)日：1998-09-15
申请号：KR1019960063337
申请日：1996-12-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
Abstract: 새로운 구조의 위상반전 마스크의 제조방법에 대해 기재되어 있다. 이 방법은, 투광성 기판위에 식각종말층을 형성하는 단계와, 식각종말층 위에 위상반전층 및 차광층을 차례로 형성하는 단계와, 차광층을 패터닝하여 차광층 패턴을 형성하는 단계, 및 식각종말층의 표면이 드러날 때까지 상기 위상반전층을 식각하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 한다.
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