公开(公告)号：KR1020140124067A

公开(公告)日：2014-10-24

申请号：KR1020130041173

申请日：2013-04-15

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이현정 ,  이기영 ,  장차운 ,  장준연

IPC: C07K7/06 ,  C40B30/04 ,  C01B31/02

CPC classification number: C07K7/06 ,  C01B32/15 ,  C01B32/182 ,  C01B32/20 ,  C40B30/04

Abstract: 본 발명은 그래피틱 물질에 특이적으로 결합하는 서열번호 1 및 서열번호 2로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 아미노산 서열을 포함하는 펩타이드, 이를 포함하는 파지, 상기 펩타이드 또는 파지가 배열된 그래피틱 표면을 포함하는 그래피틱 물질을 제공한다.

Abstract translation: 提供了与石墨材料特异性结合的肽，具有该噬菌体的噬菌体，以及排列有肽或噬菌体的石墨表面的石墨材料，其中该肽具有至少一个选自以下的氨基酸序列： 序列号1和序列号2。

公开(公告)号：KR101438773B1

公开(公告)日：2014-09-15

申请号：KR1020120147963

申请日：2012-12-18

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 장준연 ,  홍진기 ,  송진동 ,  마크존슨

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L43/02 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1695 ,  H01L27/22 ,  H01L43/08 ,  H03K19/017581 ,  H03K19/16

Abstract: 논리 연산과 메모리 기능을 함께 수행하면서 자기장으로 제어되는 비휘발성 가변형 논리 소자를 제공한다. 가변형 논리 소자는 i) 하나 이상의 반도체 소자, 및 ii) 반도체 소자의 양측에 반도체 소자와 이격되어 위치하고, 누설 자기장을 발생시켜 반도체 소자를 제어하도록 적용된 한 쌍의 자기장 제어 소자들을 포함한다. 반도체 소자는, i) 제1 반도체층, 및 ii) 제1 반도체층 위에 위치하는 제2 반도체층을 포함한다. 제1 반도체층 및 제2 반도체층 중 어느 한 반도체층은 p형이고, 다른 한 반도체층은 n형이다.

公开(公告)号：KR101283934B1

公开(公告)日：2013-07-16

申请号：KR1020110129651

申请日：2011-12-06

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 구현철 ,  김형준 ,  장준연 ,  한석희 ,  김희중

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L29/82

CPC classification number: H01L29/66984 ,  G11C11/161 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H03K19/18

Abstract: 상보성 논리소자는 기판 상에 형성된 절연층, 절연층 상에 강자성체로 형성된 소스 전극, 소스 전극 상에 강자성체로 형성되어, 소스 전극의 자화 방향을 조절하는 게이트 전극, 소스 전극의 제1 측면과 제2 측면에 각각 형성되어 소스 전극으로부터 스핀 분극된 전자를 전달하는 채널층, 채널층을 사이에 두고 소스 전극의 제1 측면에 강자성체로 형성된 제1 드레인 전극 및 채널층을 사이에 두고 소스 전극의 제2 측면에 강자성체로 형성된 제2 드레인 전극을 포함하고, 제1 드레인 전극의 자화 방향과 제2 드레인 전극의 자화 방향은 반평행하다. 이에 따라, 저전력, 초고속 및 스핀의 비휘발성과 다중스위칭의 특징을 갖는다.

公开(公告)号：KR101226076B1

公开(公告)日：2013-01-24

申请号：KR1020050115814

申请日：2005-11-30

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 장준연 ,  김원용 ,  구현철 ,  이현정 ,  김형준

IPC: H01L27/02 ,  G11C11/15 ,  B82Y40/00

Abstract: 본 발명은 나노자성체 2차원 배열구조 제조방법에 관한 것으로서, 기판 상에 자성체막을 형성하는 단계와, 상기 자성체막 상에 전자빔 조사에 의해 결정화가능한 비정질 탄소박막을 증착하는 단계와, 상기 탄소박막에 전자빔을 원하는 나노배열패턴에 따라 조사하는 단계 - 여기서, 상기 탄소박막 중 전자빔이 조사된 영역은 결정화됨-;와, 상기 전자빔이 조사된 영역으로 정의되는 탄소박막패턴이 형성되도록 상기 탄소박막의 비정질영역을 제거하는 단계와, 상기 탄소박막패턴을 마스크로 이용하여 상기 자성체막을 건식 식각함으로써 나노자성체 어레이를 형성하는 단계와, 상기 탄소박막패턴을 상기 나노 자성체 어레이로부터 제거하는 단계를 포함하는 나노자성체 2차원 배열구조 제조방법을 제공한다.
나노자성체(nano sized ferromagnet), 탄소박막(carbon thin film), C60 플러렌

公开(公告)号：KR101084019B1

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：KR1020100044330

申请日：2010-05-12

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 구현철 ,  한석희 ,  장준연 ,  김형준 ,  최준우

IPC: H01L29/82 ,  H01L29/772 ,  H01L29/78 ,  H01L27/105

CPC classification number: H03K19/091 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/16 ,  H03K19/18 ,  H01L29/42312 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78624 ,  H01L29/78696

Abstract: PURPOSE: A complementary spin transfer logic circuit is provided to prevent the oxidation and denaturalization of a channel structure by forming an InAs capping layer on the channel structure. CONSTITUTION: A source(103) is arranged on a semiconductor substrate(101). A spin-polarized electron is injected to a channel structure(200) through the source. The spin-polarized electron is injected to a drain(104) via the channel structure. A gate electrode(106) is arranged on the source, drain, and channel structure. The gate electrode controls the spin of electrons passing through a channel layer included in the channel structure.

Abstract translation: 目的：提供互补的自旋转移逻辑电路，以通过在通道结构上形成InAs覆盖层来防止通道结构的氧化和变性。 构成：源（103）布置在半导体衬底（101）上。 自旋极化电子通过源被注入到通道结构（200）中。 自旋极化电子通过沟道结构注入漏极（104）。 栅极电极（106）布置在源极，漏极和沟道结构上。 栅电极控制通过通道结构中包括的沟道层的电子的自旋。

公开(公告)号：KR1020100037683A

公开(公告)日：2010-04-12

申请号：KR1020080096896

申请日：2008-10-02

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김형준 ,  구현철 ,  장준연 ,  한석희 ,  김경호

IPC: H01L29/82 ,  H01L29/772

CPC classification number: H01L29/66984 ,  H01L29/7785

Abstract: PURPOSE: A spin transistor with a double charge-supply layer structure is provided to improve the vertical symmetry of electron distribution in an energy band structure and a channel by arraigning a double charge-supply layer for binary electron gas structure channel layer. CONSTITUTION: Cladding layers are respectively arranged in the upper side and the lower side of the binary electron gas structure of a channel layer(1). A semiconductor substrate includes a lower cladding layer(3). Ferromagnetic source and drain which are spaced apart from each other are arranged to the longitudinal direction of the channel layer. A gate voltage is applied to a gate electrode to control the spin of the electron which passes through the channel layer. A first charge-supply layer(4) supplies a carrier to the channel layer. A spin transistor is arranged between the upper cladding layer(3') and the channel layer. The spin transistor includes a second charge-supply layer(4').

Abstract translation: 目的：提供具有双电荷供应层结构的自旋晶体管，通过对双电子电子气体结构通道层的双电荷供应层进行调整，提高能带结构和通道中电子分布的垂直对称性。 构成：通道层（1）的二元电子气体结构的上侧和下侧分别设置包覆层。 半导体衬底包括下包层（3）。 彼此间隔开的铁磁源和漏极被布置在沟道层的纵向方向上。 栅极电压施加到栅电极以控制通过沟道层的电子的自旋。 第一电荷供给层（4）向沟道层提供载流子。 自由晶体管布置在上包层（3'）和沟道层之间。 自旋晶体管包括第二电荷供应层（4'）。

公开(公告)号：KR1020100013930A

公开(公告)日：2010-02-10

申请号：KR1020080075690

申请日：2008-08-01

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 구현철 ,  한석희 ,  장준연 ,  김형준

IPC: G11C11/15

CPC classification number: H01L43/065 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/18 ,  H01L27/226 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7781

Abstract: PURPOSE: A magnetic memory cell reading method using a spin hall effect and a memory device thereof are provided to easily read the information of a magnetic memory cell by including a magnetic material in the magnetic memory cell and using a spin hole effect. CONSTITUTION: A substrate unit for reading includes a channel layer. A magnetic memory cell(150) is located on the substrate unit. The magnetic memory cell includes a magnetic material. A magnetic material transfers a spin information to an electronics passing through a channel layer(107). Information stored in the magnetic memory cell is found by the voltage between side terminals of the channel layer caused by an electronics movement to the direction of the channel layer width by a spin hall effect.

Abstract translation: 目的：提供使用旋转霍尔效应的磁存储单元读取方法及其存储器件，以通过在磁存储单元中包括磁性材料并使用旋转孔效应来容易地读取磁存储单元的信息。 构成：用于读取的衬底单元包括通道层。 磁性存储单元（150）位于衬底单元上。 磁存储单元包括磁性材料。 磁性材料将自旋信息传送到穿过沟道层（107）的电子器件。 存储在磁存储单元中的信息由通过电子装置引起的沟道层的侧端之间的电压通过纺丝室效应而发生到沟道层宽度的方向上。

公开(公告)号：KR100938254B1

公开(公告)日：2010-01-22

申请号：KR1020070129952

申请日：2007-12-13

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 구현철 ,  한석희 ,  장준연 ,  김형준 ,  김경호

IPC: H01L27/105 ,  H01L29/82

CPC classification number: H01L29/205 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/122 ,  H01L29/66984 ,  Y10S977/933

Abstract: 본 발명의 일 측면은, 내부에 채널층이 형성된 반도체 기판부; 상기 반도체 기판부 상에 에피택셜 성장되어 결정 이방성에 의해 상기 채널층의 길이 방향(채널 방향)으로 자화된 강자성체 소스 및 드레인 - 상기 소스 및 드레인은 상기 채널 방향으로 서로 이격되어 배치되고, 상호 동일한 방향으로 자화됨 - ; 및 상기 반도체 기판부와 절연되도록 상기 소스와 드레인 사이에서 상기 반도체 기판부 상에 형성되고 상기 채널층을 통과하는 전자의 스핀을 조절하는 게이트;를 포함하는, 스핀 트랜지스터를 제공한다.
스핀 트랜지스터

公开(公告)号：KR100921693B1

公开(公告)日：2009-10-15

申请号：KR1020070106577

申请日：2007-10-23

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 송진동 ,  임주영 ,  장준연 ,  최원준

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/04

CPC classification number: H01L29/127 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02549 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/205

Abstract: 본 발명은 GaAs기판, Si기판 등 경제적이고 구득이 용이한 반도체 기판상에 InAs
(1-x) Sb
x 으로 이루어진 반도체층을 형성하는 반도체 소자 제조방법을 제공한다. 본 발명은 반도체 기판과 반도체층 사이에 양자점층을 형성하여 반도체 기판과 반도체층 간의 격자부정합에 의한 결함을 감소시킨다. 또한, 본 발명은 반도체층의 성장 속도를 향상시킬 수 있으며, 본 발명에 따라 형성된 반도체층은 상온에서 높은 전자이동도를 나타낸다. 그 결과, 반도체 소자의 생산효율 및 품질을 향상시킬 수 있다.
GaAs, InSb, 양자점, 격자부정합, 반도체, 홀 센서

公开(公告)号：KR100832583B1

公开(公告)日：2008-05-27

申请号：KR1020070000888

申请日：2007-01-04

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 구현철 ,  엄종화 ,  한석희 ,  장준연 ,  김형준

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66984 ,  G11C11/16 ,  H01L29/0843 ,  Y10S257/902 ,  Y10S977/933

Abstract: A spin transistor using a leakage magnetic field is provided to solve a low injection problem caused by junction part transmission of spin by generating electrons which are sufficiently spin-polarized by the leakage magnetic field and obtaining a resistance difference by selectively accepting the electrons using the filtering effect. A semiconductor substrate(11) comprises a channel layer(12). A first and second electrodes(18,19) are located at the substrate along the longitudinal direction of the channel layer, and separated as a predetermined gap. A source and a drain formed with a magnetized ferroelectric material are located between the first and second electrodes, and separated as the predetermined gap. A gate(15) is formed on the substrate between the source and drain, and controls the spin direction of the electron passing through the channel. The spin of the electron is arranged by the leakage magnetic field of the source at the lower part of the source, and is filtered by the leakage magnetic field of the drain at the lower part of the drain.

Abstract translation: 提供一种使用漏磁场的自旋晶体管，用于解决由于通过产生由泄漏磁场进行充分自旋极化的电子产生的自旋结部分引起的低注入问题，并且通过使用滤波选择性地接受电子而获得电阻差 影响。 半导体衬底（11）包括沟道层（12）。 第一和第二电极（18,19）沿着沟道层的纵向方向位于衬底处，并以预定的间隙分开。 形成有磁化铁电材料的源极和漏极位于第一和第二电极之间，并以预定间隙分离。 在源极和漏极之间的衬底上形成栅极（15），并且控制通过沟道的电子的旋转方向。 电子的旋转由源极的下部的源极的泄漏磁场排列，并且通过漏极下部的漏极的漏磁场进行滤波。