公开(公告)号：KR1020010003015A

公开(公告)日：2001-01-15

申请号：KR1019990023124

申请日：1999-06-19

Applicant: 현대자동차주식회사 ,  한국과학기술원

Inventor： 임양수 ,  박봉현 ,  이성준 ,  김진백 ,  이재준 ,  신범수 ,  조갑성

IPC: C09D183/06

CPC classification number: C09D183/04 ,  C08K5/0025

Abstract: PURPOSE: The coating composition prepared by adding dicyandiamide as a curing catalyst to a silicon-based coating composition comprising a silanol partial condensate and a colloidal silica dispersion is provided, which has excellent abrasion resistance and adhesion property and can store at ordinary temperatures and is excellent in low temperatures cross-linking curing and simplifies coating processes without changing mechanical and mechanical properties. CONSTITUTION: In a silicon-based coating composition comprising a silanol partial condensate and a colloidal silica dispersion, the composition contains a silanol partial condensate having a particle diameter of 2 to 30 micrometer and a colloidal silica dispersion in a weight ratio of 30 to 80 and 20 to 70% by weight and 0.05 to 2.5% by weight of dicyandiamide as a curing catalyst based on the solids content of the mixtures. The composition is suitable for coating an automobile part, optical material, building material and electrical material.

Abstract translation: 目的：提供通过将双氰胺作为固化催化剂添加到包含硅烷醇部分缩合物和胶体二氧化硅分散体的硅系涂料组合物中制备的涂料组合物，其具有优异的耐磨性和粘合性，并且可以在常温下储存并且是优异的 在低温下交联固化，简化了涂层工艺，而不改变机械和机械性能。 构成：在包含硅烷醇部分缩合物和胶体二氧化硅分散体的硅基涂料组合物中，该组合物含有粒径为2至30微米的硅烷醇部分缩合物和重量比为30至80的胶体二氧化硅分散体和 20至70重量％和0.05至2.5重量％的双氰胺作为固化催化剂，基于混合物的固体含量。 该组合物适用于涂覆汽车部件，光学材料，建筑材料和电气材料。

公开(公告)号：KR100269513B1

公开(公告)日：2000-10-16

申请号：KR1019970051623

申请日：1997-10-08

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김현우 ,  김진백

IPC: C07F7/12 ,  G03F7/07

CPC classification number: G03F7/0758 ,  G03F7/0755

Abstract: PURPOSE: Provided are photoresist compositions containing novel acrylate or methacrylate derivatives and their polymerization products. These polymers are different from the existing polymer matrix of photoresist, in that it is the chemical amplification type by the light and they, under light exposure, induce the differences of silicone contents by the dissociation of the silicone containing side-chains. The differences in silicone content bring about the differences in etching velocity in oxygen plasma and accordingly dry developing is possible. CONSTITUTION: The photoresist composition is characterized by comprising acrylate or methacrylate that contains homopolymer, copolymer, and terpolymer of organic metals represented by the chemical formulae I, II, and III where R1 is hydrogen or C1¯C4 alkyl group, R2¯R11 are independently hydrogen, C1¯C4 alkyl group, C1¯C4 alkoxy group, phenyl, phenoxy or -MR'3, further R' is C1¯C4 alkyl, C1¯C4 alkoxy, phenyl, benzyl or phenoxy, M represents Si, Ge, Sn or OSi. Also, the photoresist composition comprises onium compounds as photo acid generator (PAG).

Abstract translation: 目的：提供含有新型丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯衍生物及其聚合产物的光致抗蚀剂组合物。 这些聚合物与现有的光致抗蚀剂聚合物基质不同，因为它是通过光的化学放大型，并且它们在光照下通过含硅氧烷侧链的解离而引起硅氧烷含量的差异。 硅含量的差异导致氧等离子体中蚀刻速度的差异，因此干显影是可能的。 构成：光致抗蚀剂组合物的特征在于包含丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯，其含有由化学式I，II和III表示的有机金属的均聚物，共聚物和三元共聚物，其中R 1是氢或C 1 -C 4烷基，R 2 -R 11独立地是 氢，C 1 -C 4烷基，C 1 -C 4烷氧基，苯基，苯氧基或-MR 3，另外R'是C 1 -C 4烷基，C 1 -C 4烷氧基，苯基，苄基或苯氧基，M表示Si，Ge，Sn 或OSi。 此外，光致抗蚀剂组合物包含作为光酸产生剂（PAG）的鎓化合物。

公开(公告)号：KR1019990031068A

公开(公告)日：1999-05-06

申请号：KR1019970051623

申请日：1997-10-08

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김현우 ,  김진백

IPC: C07F7/12 ,  G03F7/07

Abstract: 본 발명은 신규한 아크릴레이트(acrylate) 또는 메타크릴레이트(metacrylate) 유도체 및 이들의 고분자 중합체를 함유하는 포토레지스트(photoresisit)에 관한 것이다.
상기 중합체는 기존의 포토레지스트의 매트릭스 고분자로 사용되는 것들과는 달리, 광산에 의해 화학증폭형으로 실리콘을 함유하고 있는 측쇄가 탈리되어 노광부와 비노광부의 실리콘 함량이 차이를 유도할 수 있다. 실리콘 함량의 차이는 산소 플라즈마에 대해 에칭속도의 차이를 일으키고 이것에 의해 건식현상이 가능하다.
본 발명에 의한 포토레지스트 물질을 미세가공기술에 적용하면 아스펙트비가 증가함에 따라 발생하는 패턴의 변형이나 붕괴를 막을 수 있다는 건식현상의 일반적인 장점 외에 기존의 실릴화(silylation)나 다층레지스트 시스템(multi-level resist system)과 같은 건식현상형 레지스트에 비해 공정이 간단하고 용매를 전해 사용하지 않기 때문에 이로 인한 경제적인 이득이 크다고 할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019970027127A

公开(公告)日：1997-06-24

申请号：KR1019950044162

申请日：1995-11-28

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김진백 ,  김현우

IPC: C08F216/00

Abstract: 본 발명은 폴리(비닐 알코올)을 4-히드록시벤즈알데히드로 아세탈화시킨 비닐 4-히드록시벤잘-비닐 알코올-비닐 아세테이트 공중합체, 전기 공중합체의 4-히드록시벤잘기의 전부 또는 일부를 t-부톡시카르보닐기로 보호한 비닐 4-t-부톡시카르보닐옥시벤잘-비닐 알코올-비닐 아세테이트 공중합체(공중합체(II))또는 비닐 4-t-부톡시카르보닐옥시벤잘-비닐 4-히드록시벤잘-비닐 알코올-비닐 아세테이트 공중합체(공중합체(III)), 그들의 제조방법 및 그들 중합체의 포토레지스트로서의 용도에 관한 것이다. 상기 공중합체(II) 및 (III)를 포토레지스트로서 미세가공기술에 이용하면, 투명성과 열적안정성, 기계적 강도, 실리콘 웨이퍼에 대한 접착성 및 노광과 열처리 시의 적은 무게 손실로 미세회로의 해상도를 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR101390466B1

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：KR1020120131584

申请日：2012-11-20

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김병국 ,  김진백 ,  윤건우

IPC: G01S17/08

Abstract: Disclosed are a method for compensating a dynamic error of scan distance data measured when a mobile robot and a laser scanner are moved fast, and a device for measuring scan distance data using the same. The device comprises: a laser scanner (150) which is mounted in a mobile robot to scan an object according to a movement of the mobile robot and outputs a plurality of scan distance data; a scan distance data acquisition unit (200) for extracting the scan distance data within a reflective light source in which a light source outputted from the laser scanner is reflected on the object; a dynamic error compensation unit (300) for receiving the scan distance data outputted from the laser scanner to output a compensation value in which a dynamic error is compensated; an effective information extraction unit (400) for receiving the compensation value to extract effective information; and an effective information algorithm processing unit (500) for programming an effective information algorithm applied to the technologies of recognizing a location and avoiding an obstacle using the effective information extracted from the effective information extraction unit. The dynamic error compensation unit (300) includes a measurement time extraction unit (310) for extracting the start and finish time of the scan distance data to output a first result value in which the measurement time of the scan distance data is calculated; an motion estimation unit (320) for outputting a second result value in which the locations and the directions of the mobile robot and the scanner are estimated using motor encoder information within the first result value; and a data compensation unit (330) for receiving the first and second result values to be converted to vector values and outputting the data converted to 3-dimensional spherical coordinates.

Abstract translation: 公开了一种用于补偿当移动机器人和激光扫描仪快速移动时测量的扫描距离数据的动态误差的方法，以及用于使用该扫描距离数据测量扫描距离数据的装置。 该装置包括：激光扫描仪（150），其安装在移动机器人中以根据移动机器人的移动扫描物体并输出多个扫描距离数据; 扫描距离数据获取单元，用于提取反射光源中的扫描距离数据，其中从激光扫描仪输出的光源反射在物体上; 动态误差补偿单元（300），用于接收从激光扫描器输出的扫描距离数据，以输出其中补偿动态误差的补偿值; 有效信息提取单元，用于接收所述补偿值以提取有效信息; 以及有效信息算法处理单元，用于使用从有效信息提取单元提取的有效信息来编程应用于识别位置和避免障碍物的技术的有效信息算法。 动态误差补偿单元（300）包括测量时间提取单元（310），用于提取扫描距离数据的开始和结束时间，以输出其中计算扫描距离数据的测量时间的第一结果值; 运动估计单元，用于输出使用所述第一结果值内的电动机编码器信息来估计所述移动机器人和所述扫描仪的位置和方向的第二结果值; 以及数据补偿单元，用于接收要转换为矢量值的第一和第二结果值，并输出转换为三维球面坐标的数据。

公开(公告)号：KR101339408B1

公开(公告)日：2013-12-10

申请号：KR1020100095723

申请日：2010-10-01

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김진백 ,  우승아 ,  박지영

IPC: C08G77/60 ,  C08L83/16 ,  G03F7/075 ,  H01L21/027

Abstract: 실리콘 함유 포토레지스트 물질 및 포토레지스트 조성물이 제공된다.
본 발명에 따른 실리콘 함유 포토레지스트 물질은 하기 식 (1)이며,
(1)
(상기 식에서 R
1 은 탄소수 1 내지 20의 탄화수소이며, Z는 아민기, 히드록실기, 또는 티올기이며, x, y 는 정수임)
본 발명에 따른 포토레지스트는 레지스트 내부로 실릴화 물질이 흡수되지 않고 노광부의 표면에서만 화학반응을 일으키므로, 기존의 TSI 방법의 단점인 레지스트 프로파일 변형 및 콘트라스트(contrast) 악화를 방지할 수 있고, 또한 고해상도와 고종횡비의 레지스트 패턴을 얻을 수 있다. 즉, 본 발명에 따른 포토레지스트는 기존 TSI 방법에서 사용되는 헥사메틸실라잔 등의 실릴화제 대신, 실리콘 자체를 함유하는 고분자를 사용하며, 실리콘이 함유된 고분자 레지스트를 하부 레지스트 위에 스핀코팅하고, 노광부에서만 선택적으로 계면 상호반응이나 가교화 반응을 시키는 방식으로 미세 패턴을 형성한다. 또한, 본 발명은 빛에 의해서 반응하는 비화학증폭형 레지스트와 실리콘이 함유되어있는 고분자의 간단한 블렌딩 방법(blending method)을 통하여 패턴을 형성하므로, 실리콘의 함량 제한이 없이 실리콘을 일정한 비율로 사용할 수 있고, 단순한 레지스트 디자인이 가능하다. 더 나아가, 비화학증폭형 레지스트를 사용하므로, 화학증폭형 포토레지스트의 산의 손실이나 확산 등으로 인한 문제점을 해결할 수 있고, 베이킹 과정 없이 패턴을 형성할 수 있으므로 패턴화 공정수가 줄어드는 장점을 가지고 있다. 또한, 본 발명에 따른 디아조케토기를 포함하는 비화학증폭형 레지스트는 그 감도가 매우 우수하여 화학증폭형과 대등한 감도를 나타내며, 반응 중에 부산물로 질소만 생성되기 때문에 ArF 이머전 리소그래피(immersion lithography), 극자외선(EUV) 리소그래피 등 차세대 리소그래피 공정에서 매우 유용하다.

公开(公告)号：KR1020130095568A

公开(公告)日：2013-08-28

申请号：KR1020120017119

申请日：2012-02-20

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김진백 ,  우승아

IPC: C08F220/10 ,  C08F220/34 ,  C08F230/08 ,  G03F7/075

CPC classification number: C08F220/34 ,  C08F212/08 ,  C08F220/18 ,  C08F230/08 ,  C08F2220/281 ,  C08F2220/283 ,  C08F2220/286 ,  G03F7/075

Abstract: PURPOSE: A silicon-containing photoresist composition is provided to manufacture an excellent photoresist micropattern by increasing silicon contents. CONSTITUTION: A copolymer includes a diazoketo group-containing first monomer; a second monomer containing an amine group, a hydroxyl group, or a thiol group; and a silicon-containing third monomer. A photoresist composition consists of the copolymer, a solvent, and additives. A manufacturing method of a micropattern includes a step of laminating the lower layer of a double layer photoresist on a substrate; a step of laminating the photoresist composition on the upper layer of the double layer photoresist; a step of developing the upper layer by light irradiation through a patterned mask; and a step of ion-etching the lower layer of the double layer photoresist. [Reference numerals] (AA) Light exposure; (BB) Rearrangement; (CC) Intermolecular crosslinking reaction

Abstract translation: 目的：提供含硅光致抗蚀剂组合物以通过增加硅含量来制造出优异的光致抗蚀剂微图案。 构成：共聚物包括含二酮基的基团的第一单体; 含有胺基，羟基或硫醇基的第二单体; 和含硅的第三单体。 光致抗蚀剂组合物由共聚物，溶剂和添加剂组成。 微图案的制造方法包括在基板上层叠双层光致抗蚀剂的下层的工序; 将光致抗蚀剂组合物层叠在双层光致抗蚀剂的上层上的步骤; 通过图案化掩模的光照射显影上层的步骤; 以及离子蚀刻双层光致抗蚀剂的下层的步骤。 （附图标记）（AA）曝光; （BB）重排; （CC）分子间交联反应

公开(公告)号：KR1020120062218A

公开(公告)日：2012-06-14

申请号：KR1020100123380

申请日：2010-12-06

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 백경욱 ,  김일 ,  김진백 ,  조영욱

IPC: C09J133/14 ,  C09J125/14 ,  H01L21/301 ,  H01L21/58

CPC classification number: C09J4/00 ,  C09J5/06 ,  C09J9/00 ,  C09J11/06 ,  C09J11/08 ,  C09J125/08 ,  C09J133/04 ,  H01L21/30 ,  H01L21/50

Abstract: PURPOSE: An adhesive composition and a preparation method of wafer level package using the composition are provided to reduce processing steps of manufacturing wafer level package. CONSTITUTION: An adhesive composition comprises a compound of chemical formula 1, a compound of chemical formula 2, or a mixture thereof. A manufacturing method of a wafer level package of comprises the following steps: spreading the wafer adhesive composition on wafer; forming a pattern by exposing the adhesive composition; dicing the wafer to individual chips; and bonding the individual chips on the circuit board by thermosetting.

Abstract translation: 目的：提供使用该组合物的晶片级封装的粘合剂组合物和制备方法，以减少制造晶片级封装的加工步骤。 构成：粘合剂组合物包含化学式1的化合物，化学式2的化合物或其混合物。 晶片级封装的制造方法包括以下步骤：将晶片粘合剂组合物铺展在晶片上; 通过暴露粘合剂组合物形成图案; 将晶片切割成单个芯片; 并通过热固性将各个芯片接合在电路板上。

公开(公告)号：KR100193747B1

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR1019980036589

申请日：1998-09-04

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김진백 ,  박종진

IPC: C07D207/40

公开(公告)号：KR100180973B1

公开(公告)日：1999-04-01

申请号：KR1019960013288

申请日：1996-04-27

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김진백 ,  박종진

IPC: G03F7/004

Abstract: 본 발명은 감광성 열경화제로 치환된 공중합성 단량체를 포함하는 감광성 열경화성 조성물에 관한 것으로, 이 조성물은 (ⅰ) UV 조사에 의해 산이나 염기를 발생하는 단량체, (ⅱ) 공중합성 라디칼 광개시제; (ⅲ) 이온성 광중합용 단량체, 에폭시기를 갖는 올리고머 또는 이들의 혼합물; (ⅳ) 라디칼 광중합용 에틸렌계 불포화 화합물; (ⅴ) 증감제; 및, (ⅵ) 희석제를 구성성분으로 하고 있다. 본 발명의 감광성 열경화성 조성물은 포토레지스트 패턴을 형성하는 공정 중, 레지스트피막에 남아있는 용매를 제거하기 위해 실시하는 열건조 공정에서 에폭시의 경화제가 열경화 반응을 일으키지 않고 있다가, UV조사에 의하여 산성기와 염기성기를 발생하고 이어 열경화 반응을 일으켜서 포토레지스트의 현상성을 향상시킨다.