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公开(公告)号：KR1020100073968A
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：KR1020090080500
申请日：2009-08-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/12
Abstract: PURPOSE: An optical amplifier according to the present invention is provided to obtain broad frequency bandwidth even in the low current. CONSTITUTION: A manual waveguide area(341) is inputted with an incident optical signal. The mode is controlled. An active waveguide area(342) is connected to the passive waveguide domain. The concentration of the carrier is varied by the applied current. The gain of the optical signal passing through the passive waveguide area is modulated. The active waveguide area uses the resonance phenomenon through controlling the internal loss.
Abstract translation: 目的：提供根据本发明的光放大器，即使在低电流下也能获得宽频带宽。 构成：手动波导区域（341）被输入入射光信号。 模式被控制。 有源波导区域（342）连接到无源波导域。 载体的浓度由所施加的电流而变化。 通过无源波导区域的光信号的增益被调制。 有源波导区域通过控制内部损耗来应用共振现象。
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公开(公告)号：KR100753816B1
公开(公告)日：2007-08-31
申请号：KR1020050100872
申请日：2005-10-25
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01S5/065 , H01S5/0625 , H01S5/0657 , H01S5/1039 , H01S5/1203
Abstract: 포화흡수체와 같은 비선형 영역이 없는 다영역 레이저 다이오드에서 수동 모드 잠김을 이용한 광 펄스 생성 방법을 제공한다. 그 레이저 다이오드는 리플렉터(reflector) 역할을 하는 DFB(distributed feedback) 영역; 및 상기 DFB 영역에 연결되고 끝단에 절단면(as-cleaved facet)이 형성된 이득 영역(gain region)을 포함한다. 본 발명에 의한 레이저 다이오드는 DFB 영역에 문턱 전류 이하의 전류를 인가하여 리플렉터로 작동시킬 경우 수동 모드 잠김이 원활히 발생하여, 포화 흡수체와 같은 영역이 불필요하여 제작이 간편하고, 포화 흡수체를 사용하는 경우에 비해 주파수의 가변 영역을 확대할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020060064502A
公开(公告)日：2006-06-13
申请号：KR1020050078384
申请日：2005-08-25
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S3/067
CPC classification number: H04B10/299 , G02B6/12004
Abstract: 3R(Retiming, Reshaping, Reamplifying) 재생기에 관한 것이다. 본 발명에 따른 재생기의 일 태양은, 자기-펄스 발진 레이저 다이오드(self-pulsating LD)와 전기 흡수성 변조기(ElectroAbsorption Modulator : EAM)가 반도체 기판에 단일집적된 것이다.
Abstract translation: 3R（Retiming，Reshaping，Reamplifying）player。 根据本发明的再生器的一个方面是将自脉冲LD和电吸收调制器（EAM）集成到单个半导体衬底中。
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公开(公告)号：KR1020060064465A
公开(公告)日：2006-06-13
申请号：KR1020050042421
申请日：2005-05-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S3/0941 , G02B6/12
CPC classification number: H01S3/09415 , G02B6/12007 , G02B6/2935 , H01S3/0675
Abstract: 3R(Retiming, Reshaping, Reamplifying) 재생기에 관한 것이다. 본 발명에 따른 재생기는, 분기된 광신호가 입력되는 제1 입력 포트와 제2 입력 포트, 기판 상에 형성되며 공통 입력단에서 분기되어 공통 출력단에서 통합되는 제1 및 제2 브랜치를 가지고, 상기 제1 및 제2 브랜치 각각에 반도체 광증폭기를 가지며, 상기 제1 입력 포트에 상기 제1 브랜치가 연결되며, 상기 제2 입력 포트에 상기 공통 입력단이 연결된 간섭계, 상기 기판 상에서 상기 제1 입력 포트와 상기 제1 브랜치 사이 또는 상기 제2 입력 포트와 상기 공통 입력단 사이에 상기 간섭계와 일체로 단일집적되며 상기 광신호를 입력받아 광학적 주입 잠금에 의해 재생된 광신호를 출력하는 자기-펄스 발진 레이저 다이오드(self-pulsating LD), 및 상기 공통 출력단에 연결된 출력 포트를 포함하여 구성된다.
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公开(公告)号：KR1020060062721A
公开(公告)日：2006-06-12
申请号：KR1020040101658
申请日：2004-12-06
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04B10/00
CPC classification number: H04B10/516 , H04B2210/517
Abstract: 본 발명은 광통신 시스템에서 제로 복귀형 신호를 비제로 복귀형 신호로 변환하는 신호 변화용 신호 처리기에 관한 것으로, 입력도파로와 출력도파로 사이에 두 개의 2R(re-amplifying, re-shaping) 재생기가 서로 다른 길이의 도파로를 통해 병렬로 연결된다. 상기 2R 재생기는 서로 다른 길이를 갖는 두개의 반도체 광증폭기와, 짧은 길이의 반도체 광증폭기에 연결된 위상조절수단을 포함한다. 상기 도파로의 길이 차이에 의해 입력되는 제로 복귀형 신호가 1비트(bit) 반의 시간차이 만큼 지연되므로 2R 재생된 비제로 복귀형 신호를 얻을 수 있다.
제로 복귀, 비제로 복귀, 2R 재생기, 반도체 광증폭기, 위상조절수단-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100576712B1
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：KR1020030091340
申请日：2003-12-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/28
CPC classification number: H01S5/146 , G02B6/02195 , G02B6/2804 , G02B6/2813 , H01S5/0612 , H01S5/0623 , H01S5/1003 , H01S5/1096 , H01S5/141
Abstract: 본 발명은 이중파장 레이저에서 맥놀이를 이용한 초고속 광신호의 생성을 위한 반도체 광원 소자 및 그 제작방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 광원 소자는, 클리브드 면을 가진 패브리 패롯 레이저 다이오드에 3dB 광 분배기가 집적된 것이다. 상기 3dB 광 분배기의 한 가지에는 제1 도파로 회절격자와 이 제1 도파로 회절 격자의 브라그 파장을 바꿀 수 있는 제1 굴절률 변화 수단이 마련되어 있다. 그리고, 상기 3dB 광 분배기의 다른 가지에는 제2 도파로 회절격자와 이 제2 도파로 회절 격자의 브라그 파장을 바꿀 수 있는 제2 굴절률 변화 수단이 마련되어 있다. 제1 및 제2 굴절률 변화 수단을 이용하여 두 개의 도파로 회절격자의 브라그 파장의 디튜닝을 연속적으로 가변할 수 있고, 이 두 파장의 맥놀이에 의한 초고속 광신호를 얻을 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020040054072A
公开(公告)日：2004-06-25
申请号：KR1020020080706
申请日：2002-12-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/12
CPC classification number: H01S5/06258 , H01S5/0657
Abstract: PURPOSE: An ultrahigh frequency pulse light source device is provided to form a multi-region distributed feedback laser diode with one chip by forming a phase control region between two kinds of distributed feedback laser diodes. CONSTITUTION: Two DFB regions(2,4) corresponds to one device. A phase control region(6) is arranged between the DFB regions. A plurality of diffraction grids(12,18) are formed in the inside of the DFB regions, respectively. The diffraction grids are symmetrically arranged to each other. A plurality of active layers(14,16) are connected to both sides of a waveguide core(20) of the phase control region. Brag wavelengths of the DFB regions are detuned.
Abstract translation: 目的：提供超高频脉冲光源器件，通过在两种分布式反馈激光二极管之间形成相位控制区域，形成具有一个芯片的多区域分布反馈激光二极管。 构成：两个DFB区域（2,4）对应于一个设备。 在DFB区域之间布置有相位控制区域（6）。 分别在DFB区域的内部形成多个衍射栅极（12,18）。 衍射栅格彼此对称排列。 多个有源层（14,16）连接到相位控制区域的波导芯（20）的两侧。 DFB区域的波长波长失谐。
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公开(公告)号：KR1020170053555A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：KR1020160067550
申请日：2016-05-31
Applicant: 한국전자통신연구원 , 순천대학교 산학협력단
IPC: H01B13/00 , H01B5/14 , H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/0236 , G06F3/041 , G02F1/1343
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명의실시예에따른투명전도성산화물박막의제조방법은, 제1 폴리머용액을준비하는단계와, 제2 폴리머용액을준비하는단계와, 상기제1 폴리머용액과상기제2 폴리머용액을혼합한제3 폴리머용액을형성하는단계와, 상기제3 폴리머용액을기판상에코팅하는단계와, 상기기판을건조시켜상기기판상에박막을형성하는단계, 및수소플라즈마처리공정을통해상기박막의표면처리를실시하는단계를포함할수 있다.
Abstract translation: 根据本发明的一个实施方式的透明导电氧化物薄膜的制造方法包括制备聚合物溶液的第一步骤，和第二，包括以下步骤：制备聚合物溶液，其特征在于，所述第一聚合物溶液中，两种聚合物溶液的第二混合物 通过干燥步骤的薄膜的表面上，所述衬底涂覆的阶段和所述第三聚合物溶液中以形成通过的工序的基板上的第三聚合物溶液中，并在基板上形成的薄膜的氢等离子体处理步骤 并执行一个过程。
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公开(公告)号：KR1020160049433A
公开(公告)日：2016-05-09
申请号：KR1020150067558
申请日：2015-05-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L33/00
Abstract: 본발명은질화물계발광다이오드의제조방법에관한것으로, 기판상에순차적으로적층되는제 1 질화물반도체층, 활성층및 제 2 질화물반도체층을포함하는발광구조체를형성하는것, 상기마스크막들은서로연결되지않는고립된아일랜드형태로배치되어상기제 2 질화물반도체층을부분적으로노출하고, 상기발광구조체상에마스크막들을형성하는것, 및열처리공정을수행하여상기마스크막들에의해노출된상기제 2 질화물반도체층을식각하는것을포함하고, 상기발광구조체를형성하는것, 상기마스크막들을형성하는것, 및상기열처리공정을수행하는것은동일한장비내에서인-시츄방식(in-situ manner)으로수행되는질화물계발광다이오드의제조방법이제공된다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造氮化物基发光二极管的方法。 该方法包括：形成包括依次层叠在基板上的第一氮化物半导体层，有源层和第二氮化物半导体层的发光结构; 通过以彼此不连接的岛状形式设置的掩模膜部分曝光第二氮化物半导体层，并在发光结构上形成掩模膜; 并且通过进行热处理工艺来蚀刻由掩模膜暴露的第二氮化物半导体层，其中形成发光结构，形成掩模膜和进行热处理工艺是在原位进行的 方式在同一设备。
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公开(公告)号：KR1020130071749A
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：KR1020110139143
申请日：2011-12-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/12
CPC classification number: H01S3/0675 , H01S5/0265 , H01S5/1231
Abstract: PURPOSE: A distribution feedback type laser diode in which an optical mode size convertor is monolithically intergrated and a production method are provided to increase coupling efficiency with an optical fiber by integrating SSC. CONSTITUTION: Number of layers is grown and the layers are composed of a substrate (1), InGaAsP grid layer (2), n-lnP space layer (3), an activated layer (4), P-lnP upper clad layer (5), an etching stoppage layer (6), and p-lnP cap layer (7). Part of the activated layer is etched and a butt layer is created. A tapered area is formed on the butt layer. Manual ridge wave guide layer is etched in a deep ride wave guide shape under the tapered area. A P clad layer (12) and an ohmic layer (13) are grown consecutively on a structure. The deep ridge wave guide buried in the tapered area is formed on the ohmic layer. Polyimide or polymer benzocyclobutene (BCB) is formed on an outer area of the deep ridge waveguide.
Abstract translation: 目的：一种分布反馈型激光二极管，其中光学模式尺寸转换器是单片集成的，并且提供了通过集成SSC来提高与光纤的耦合效率的制造方法。 构成：层数生长，层由衬底（1），InGaAsP栅格层（2），n-lnP空间层（3），活性层（4），P-lnP上覆层（5） ），蚀刻停止层（6）和p-lnP盖层（7）。 激活层的一部分被蚀刻并形成对接层。 在对接层上形成锥形区域。 手动脊波导层在锥形区域下以深行驶波导形状蚀刻。 P结构层（12）和欧姆层（13）在结构上连续生长。 埋在锥形区域中的深脊波导形成在欧姆层上。 在深脊波导的外部区域上形成聚酰亚胺或聚合物苯并环丁烯（BCB）。
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