公开(公告)号：KR100931576B1

公开(公告)日：2009-12-14

申请号：KR1020070123199

申请日：2007-11-30

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 유한영 ,  김병훈 ,  김약연

IPC: B01J20/28 ,  B01J20/00 ,  B82Y30/00

CPC classification number: B01J20/28007 ,  B01D53/02 ,  B01D2253/112 ,  B01D2253/34 ,  B01D2256/16 ,  B01J20/02 ,  B01J20/0214 ,  B01J20/0233 ,  B01J20/0237 ,  B01J20/024 ,  B01J20/0244 ,  B01J20/0248 ,  B01J20/0251 ,  B01J20/0259 ,  B01J20/0262 ,  B01J20/0285 ,  B01J20/0288 ,  B01J20/06 ,  B01J20/08 ,  B01J20/261 ,  B01J20/262 ,  B01J20/28052 ,  B01J20/3225 ,  B01J20/3248 ,  B01J20/3257 ,  B01J2220/46 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B3/001 ,  C01B3/0015 ,  C01B3/0084 ,  Y02E60/328

Abstract: 본 발명은 기체 흡착 매체 및 이를 구비한 흡착 펌프 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 기체 흡착 매체는 화학적 결합에 참여하지 않는 여분의 전자를 포함하는 이온가가 변화할 수 있는 물질이 서로 이격되어 다층의 층상(層狀) 구조를 이루고 있는 것이며, 흡착 펌프 장치는 상기와 같은 구조의 기체 흡착 매체를 구비한 것이다. 본 발명에 따른 기체 흡착 매체는 구조상 각 층 사이에 공간을 확보함으로써 넓은 표면적을 확보하는 것이 가능하여 기체 흡착 능력의 효율성을 향상시킬 수 있다.
기체 흡착 매체, 층상 구조, 나노선 결정질

Abstract translation: 提供了一种气体吸附介质和具有该气体吸附介质的吸附泵装置。 气体吸附介质包括多层结构，其中由材料形成的层彼此间隔开，其中材料的离子价是可变的并且材料包括不参与化学结合的额外电子，并且吸附 泵装置包括如上所述的气体吸附介质。 通过确保层间的空间，气体吸附介质可以确保大的表面积，从而可以提高气体吸附能力的效率。

公开(公告)号：KR1020090061340A

公开(公告)日：2009-06-16

申请号：KR1020070128323

申请日：2007-12-11

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김약연 ,  전명심 ,  최철종 ,  김태엽 ,  오순영 ,  장문규

IPC: H01L21/336

Abstract: A schottky barrier single electron transistor and a manufacturing method thereof are provided to reduce a size of a quantum dot and to perform operations at a high temperature by preventing a short circuit between a gate electrode and a source/drain through a gate insulation film without use of a side wall insulation film. A source(270a) and a drain(270b) are formed on a substrate(210), and are made of metal silicide. A quantum dot(270c) is formed between the source and the drain. A gate insulation film(240) and a gate electrode(250) are successively formed on a top part of the quantum dot. The gate insulation film blocks short circuit of the gate electrode, the source, the drain, and the quantum dot. The substrate is a SOI(Silicon On Insulator) substrate in which a silicon wafer, a filling oxide film, and a silicon layer are successively formed. The source and the drain form the quantum dot and the schottky barrier.

Abstract translation: 提供了一种肖特基势垒单电子晶体管及其制造方法，以减少量子点的尺寸并通过防止栅极绝缘膜与源极/漏极之间的短路而不使用而在高温下进行操作 的侧壁绝缘膜。 源极（270a）和漏极（270b）形成在衬底（210）上，并且由金属硅化物制成。 在源极和漏极之间形成量子点（270c）。 栅极绝缘膜（240）和栅电极（250）依次形成在量子点的顶部。 栅极绝缘膜阻挡栅电极，源极，漏极和量子点的短路。 衬底是其中连续形成硅晶片，填充氧化物膜和硅层的SOI（绝缘体上硅）衬底。 源极和漏极形成量子点和肖特基势垒。

公开(公告)号：KR100670803B1

公开(公告)日：2007-01-19

申请号：KR1020040109297

申请日：2004-12-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 신재헌 ,  장문규 ,  김약연 ,  이성재

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7839 ,  G11C11/56

Abstract: 쇼키 장벽 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(SB-MOSFET)의 양극 전도성을 이용한 소자 및 소자 동작 방법을 제시한다. 본 발명에 따르면, 실리콘 채널 영역, 채널 영역 양단에 접촉하게 금속층을 포함하여 형성된 소스 및 드레인, 및 채널 영역 상에 게이트 유전층을 계면에 수반하여 중첩되는 게이트를 포함하는 SB-MOSFET 구조에서, 게이트에 양(+), 0 또는 음(-)의 게이트 전압이 선택적으로 인가하여 소자를 동작시킴으로써, 정공 전류 및 전자 전류의 두 가지 드레인 전류 상태와 전류가 흐르지 않는 전류 상태의 세 가지 상태를 하나의 SB-MOSFET에 구현할 수 있다. 이에 따라, 이러한 SB-MOSFET를 다단 메모리(multi-bit memory) 소자 또는/ 및 다단 논리 소자 등과 같은 소자로서 이용할 수 있다.
SBTT, 쇼키 장벽, 정공 전류, 전자 전류, 금속실리사이드

公开(公告)号：KR1020060062100A

公开(公告)日：2006-06-12

申请号：KR1020040100828

申请日：2004-12-03

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 장문규 ,  김약연 ,  신재헌 ,  이성재

IPC: H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7613 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/872

Abstract: 본 발명은 쇼트키 장벽 관통 단전자 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 종래의 불순물을 주입하여 소오스 및 드래인 영역을 구성하고 인위적인 양자점을 채널 영역에 형성하는 방식을 이용한 단전자 트랜지스터(Single Electron Transistor; SET) 제작방법 대신에 소오스 및 드래인을 실리콘과 금속의 반응 물질인 실리사이드로 대체하여 금속-반도체간에 형성되는 쇼트키 장벽을 이용하여 제작함으로써, 단전자 트랜지스터(SET)를 위한 양자점(quantum dot)을 형성하기 위하여 종래 기술의 PADOX 공정을 진행할 필요가 없으며, 다양한 쇼트키 접합의 높이를 가지는 실리사이드 물질을 이용하여 터널링 장벽의 높이 및 폭을 인위적으로 조절할 수 있을 뿐만 아니라 단전자 트랜지스터(SET)의 전류 구동능력을 더욱 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
단전자 트랜지스터, 전계효과 트랜지스터, 쇼트키 장벽, SOI 기판, 실리사이드

公开(公告)号：KR100560432B1

公开(公告)日：2006-03-13

申请号：KR1020040109298

申请日：2004-12-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김약연 ,  장문규 ,  신재헌 ,  이성재

IPC: H01L21/338

Abstract: N형 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터 소자 및 제조 방법을 제시한다. 본 발명에 따르면, 채널 영역이 형성될 실리콘층, 실리콘층 상에 채널 영역 상에 중첩되게 형성되되 실리콘층과 계면에 게이트 유전층을 수반하는 게이트, 실리콘층 상에 채널 영역을 사이에 두는 소스/드레인으로 형성된 희토류 금속 실리사이드층 및 전이 금속 실리사이드층을 포함하는 이중층으로 구성되는 N형 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터 소자를 제시한다.
SBTT, 전이 금속 실리사이드, 기생 저항, 포화 전류값, 희토류 금속 실리사이드

Abstract translation: 公开了一种N型肖特基势垒穿透晶体管器件和制造方法。 根据本发明，该硅层，所述硅层中被形成的沟道区域的硅层上，并给接口上重叠涉及对栅极的栅极电介质，源极/漏极，以夹在硅层上的沟道区被形成在沟道区域 由包括稀土金属硅化物层和形成为单层结构的过渡金属硅化物层的双层构成的肖特基势垒穿透晶体管器件。

公开(公告)号：KR1020050065899A

公开(公告)日：2005-06-30

申请号：KR1020030097061

申请日：2003-12-26

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김약연 ,  장문규 ,  신재헌 ,  이성재

IPC: H01L27/08 ,  H01L27/12 ,  H01L31/108

CPC classification number: H01L29/47

Abstract: 본 발명은 SOI 기판을 이용한 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터 및 그 제조방법으로, 종래의 불순물을 주입하여 소스 및 드래인 영역을 구성하는 방식의 전계효과 트랜지스터 대신에 소스 및 드레인을 실리콘과 금속의 반응 물질인 실리사이드로 대체하여 금속-반도체간에 형성되는 쇼트키 장벽을 이용하여 제작하는 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터를 제공한다.

公开(公告)号：KR1020030062078A

公开(公告)日：2003-07-23

申请号：KR1020020002499

申请日：2002-01-16

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김약연 ,  한기평 ,  손영준 ,  김태엽 ,  백문철 ,  조경익

IPC: G11B7/1365

Abstract: PURPOSE: An optical recording head using a birefringent material is provided to increase depth of focus more than depth of focus formed by one focus, thereby easily controlling a focus without increasing the accuracy of a focus servo. CONSTITUTION: A solid immersion lens(204) is provided. A laser diode(201) generates an incident beam to be projected to the solid immersion lens. A polarizing beam splitter(202) is installed between the laser diode and the solid immersion lens. A photo diode(206) forms bits on a storage medium(205) through a birefringent optical element(209), a condenser(203), and the solid immersion lens. The photo diode detects a bit signal and a focus control signal through a signal light. A focus of a vertical polarized light(210) and a focus of a horizontal polarized light(211) are formed at different positions on an optical axis(201a), so that depth of focus is increased.

Abstract translation: 目的：提供使用双折射材料的光学记录头，以增加焦点的深度，而不是增加聚焦伺服的精度，从而容易地控制聚焦的聚焦深度。 构成：提供固体浸没透镜（204）。 激光二极管（201）产生投射到固体浸没透镜的入射光束。 偏振分束器（202）安装在激光二极管和固体浸没透镜之间。 光电二极管（206）通过双折射光学元件（209），冷凝器（203）和固体浸没透镜在存储介质（205）上形成位。 光电二极管通过信号光检测位信号和聚焦控制信号。 垂直偏振光（210）的焦点和水平偏振光（211）的焦点形成在光轴（201a）上的不同位置，从而增加了焦深。

公开(公告)号：KR1020030054760A

公开(公告)日：2003-07-02

申请号：KR1020010085167

申请日：2001-12-26

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 한기평 ,  김약연 ,  손영준 ,  김태엽 ,  백문철 ,  조경익

IPC: G01B11/14

Abstract: PURPOSE: A gap measuring apparatus for a solid immersion lens is provided to easily measure a gap formed between a storage medium and the solid immersion lens by detecting a distribution of interference signals. CONSTITUTION: A gap measuring apparatus includes a refracting device(201), and a light detecting device(202). The refracting device(201) allows internal total-reflection light(204) reflected from a lower plane(104a) of a solid immersion lens and transmission light(205) reflected from a surface of a storage medium(105) to be focused at one spot. The light detecting device(202) detects a light intensity distribution of an interference signal generated by the refracting device(201). The refracting device(201) includes at a refractive optical device having at least one lens. The light detecting device(202) includes photoelectronic device or a charge coupled device.

Abstract translation: 目的：提供一种用于固体浸没透镜的间隙测量装置，用于通过检测干涉信号的分布来容易地测量形成在存储介质和固体浸没透镜之间的间隙。 构成：间隙测量装置包括折射装置（201）和光检测装置（202）。 折射装置（201）允许从固体浸没透镜的下平面（104a）反射的内部全反射光（204）和从存储介质（105）的表面反射的透射光（205）聚焦在一个 点。 光检测装置（202）检测由折射装置（201）产生的干涉信号的光强度分布。 折射装置（201）包括具有至少一个透镜的折射光学装置。 光检测装置（202）包括光电子器件或电荷耦合器件。

公开(公告)号：KR100298209B1

公开(公告)日：2001-08-07

申请号：KR1019980054893

申请日：1998-12-14

Applicant: 주식회사 케이티 ,  한국전자통신연구원

Inventor： 김덕준 ,  한진우 ,  한기평 ,  김약연 ,  이상석

IPC: C04B35/462

Abstract: 본 발명은 25∼43wt% TiO
2 , 39∼57wt% ZrO
2 , 7∼28wt% SnO
2 로 구성되는 주조성물에 Ca를 포함하는 물질을 주조성을 기준으로 0.2∼8.0wt% 첨가하는 동시에 Nb
2 O
5 를 주조성을 기준으로 0.2∼5.0wt% 첨가한 마이크로파 유전체 세라믹용 조성물 및 그 유전체 세라믹에 관한 것으로, 이러한 조성의 본 발명의 조성물을 하소한 후 성형 및 소결을 거쳐 제조된 마이크로파 유전체 세라믹스는 유전상수와 품질계수가 높으며 공진주파수의 온도계수를 조절하는 것이 용이하다. 또한, 이 조성물은 TiO
2 -ZrO
2 -SnO
2 계 세라믹스의 통상 소결온도인 1600℃보다 낮은 1300∼1400℃의 온도에서 소결하는 것이 가능하다

公开(公告)号：KR1020000019493A

公开(公告)日：2000-04-15

申请号：KR1019980037616

申请日：1998-09-11

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 한진우 ,  김덕준 ,  한기평 ,  김약연 ,  이상석 ,  최태구

IPC: C04B35/46

CPC classification number: C04B35/465

Abstract: PURPOSE: MgTiO3-CaTiO3 based ceramic composition for microwave is provided which has low sintering temperature, high quality factor, and stable temperature coefficient of resonant frequency, and the manufacturing method of dielectric ceramics using this composition is also provided. CONSTITUTION: This composition is consisted of MgTiO3 and CaTiO3 as main components, and also includes Li2O3 and MgO as minor components. This composition is represented as the following formula: 94 MgTiO3 - 6 CaTiO3 + x Li2CO3 + y MgO (mol%) wherein x (Li2Co3) is 0-0.8 mol% and y (MgO) is 0-6 mol%. The manufacturing method comprises the following steps: weighing, mixing, and grinding of starting materials such as MgO, CaCO3, TiO2, and Li2CO3, calcination at 900-1000°C for 2 hours, and sintering at 1100-1250°C for 2-4 hours.

Abstract translation: 目的：提供用于微波的MgTiO3-CaTiO3基陶瓷组合物，其具有低的烧结温度，高品质因数和稳定的谐振频率温度系数，并且还提供了使用该组合物的介电陶瓷的制造方法。 构成：该组成由MgTiO 3和CaTiO 3作为主要成分，还包括作为次要成分的Li 2 O 3和MgO。 该组成由下式表示：其中x（Li 2 Co 3）为0-0.8摩尔％，y（MgO）为0-6摩尔％）的94 MgTiO 3 -6 CaTiO 3 + x Li 2 CO 3 + y MgO（摩尔％）。 制造方法包括以下步骤：将MgO，CaCO 3，TiO 2和Li 2 CO 3等原料称重，混合和研磨，在900-1000℃下煅烧2小时，并在1100-1250℃下烧结2- 4个小时。