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公开(公告)号：KR1020110004242A
公开(公告)日：2011-01-13
申请号：KR1020090089114
申请日：2009-09-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L35/28
Abstract: PURPOSE: A thermoelectric device and a method for manufacturing the same are provided to effectively separate a heat absorbing part and a heat emitting part by forming the thermoelectric device in a vertical type. CONSTITUTION: A first electrode(110) and a second electrode(150) are formed on a substrate(100). A first leg(111) comprises a first semiconductor pattern(116) and a first barrier pattern(126). A second leg(151) comprises a second semiconductor pattern and a second barrier pattern(166). A common electrode is formed on the first leg and the second leg. The thermal conductivity of the first barrier pattern is smaller than that of the first semiconductor pattern.
Abstract translation: 目的：提供一种热电装置及其制造方法，通过以垂直方式形成热电装置来有效地分离吸热部和发热部。 构成：在基板（100）上形成第一电极（110）和第二电极（150）。 第一支腿（111）包括第一半导体图案（116）和第一阻挡图案（126）。 第二支腿（151）包括第二半导体图案和第二阻挡图案（166）。 公共电极形成在第一腿部和第二腿部上。 第一阻挡图案的导热率小于第一半导体图案的热导率。
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公开(公告)号：KR1020100059364A
公开(公告)日：2010-06-04
申请号：KR1020080118110
申请日：2008-11-26
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: PURPOSE: A thermoelectric element, a thermoelectric element module and a formation method of the thermoelectric element are provided to reduce costs and mass-produce the thermoelectric element by forming the thermoelectric element on a substrate plane with a lamination type. CONSTITUTION: A first semiconductor nanowire(110) of a first challenge type includes a first barrier region(112). A second semiconductor nanowire(120) of a second challenge type includes a second barrier region. A first electrode(130) is connected to one phase of the first semiconductor nanowire. A second electrode(140) is connected to one phase of the second semiconductor nanowire. A common electrode(150) is connected to the other terminal of the first semiconductor nanowire and the second semiconductor nanowire. A thermal conductivity of the first barrier region is greater than the thermal conductivity of the first semiconductor nanowire.
Abstract translation: 目的：提供热电元件，热电元件模块和热电元件的形成方法，以通过在层叠型基板平面上形成热电元件来降低成本并大量生产热电元件。 构成：第一种类型的第一半导体纳米线（110）包括第一阻挡区（112）。 第二挑战型的第二半导体纳米线（120）包括第二阻挡区域。 第一电极（130）连接到第一半导体纳米线的一相。 第二电极（140）连接到第二半导体纳米线的一相。 公共电极（150）连接到第一半导体纳米线和第二半导体纳米线的另一个端子。 第一阻挡区域的热导率大于第一半导体纳米线的热导率。
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公开(公告)号：KR1020090061340A
公开(公告)日：2009-06-16
申请号：KR1020070128323
申请日：2007-12-11
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/336
Abstract: A schottky barrier single electron transistor and a manufacturing method thereof are provided to reduce a size of a quantum dot and to perform operations at a high temperature by preventing a short circuit between a gate electrode and a source/drain through a gate insulation film without use of a side wall insulation film. A source(270a) and a drain(270b) are formed on a substrate(210), and are made of metal silicide. A quantum dot(270c) is formed between the source and the drain. A gate insulation film(240) and a gate electrode(250) are successively formed on a top part of the quantum dot. The gate insulation film blocks short circuit of the gate electrode, the source, the drain, and the quantum dot. The substrate is a SOI(Silicon On Insulator) substrate in which a silicon wafer, a filling oxide film, and a silicon layer are successively formed. The source and the drain form the quantum dot and the schottky barrier.
Abstract translation: 提供了一种肖特基势垒单电子晶体管及其制造方法，以减少量子点的尺寸并通过防止栅极绝缘膜与源极/漏极之间的短路而不使用而在高温下进行操作 的侧壁绝缘膜。 源极（270a）和漏极（270b）形成在衬底（210）上，并且由金属硅化物制成。 在源极和漏极之间形成量子点（270c）。 栅极绝缘膜（240）和栅电极（250）依次形成在量子点的顶部。 栅极绝缘膜阻挡栅电极，源极，漏极和量子点的短路。 衬底是其中连续形成硅晶片，填充氧化物膜和硅层的SOI（绝缘体上硅）衬底。 源极和漏极形成量子点和肖特基势垒。
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公开(公告)号：KR101395088B1
公开(公告)日：2014-05-16
申请号：KR1020100011284
申请日：2010-02-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L35/32
CPC classification number: H01L35/30
Abstract: 본 발명은 열전 어레이에 관한 것으로, 기판 상에 형성된 열 흡수부, 제1 열 방출부, 제2 열 방출부, 제1 도전형 레그 및 제2 도전형 레그를 포함하는 복수의 열전소자들이 m행 n열(m, n은 1 이상의 정수)로 배치된 구조를 갖되, 행 방향 또는 열 방향으로 이웃한 상기 열전소자들에 포함된 상기 열 흡수부는 열 흡수부끼리, 상기 이웃한 열전소자들에 포함된 상기 제1,제2 열 방출부는 열 방출부들끼리 인접하도록 배열된 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 열전 어레이에서 인접하는 각 열전소자간의 열적 간섭을 최대한 억제할 수 있으므로, 높은 열전효율을 갖는 열전 어레이를 구현할 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면, 반도체 공정을 이용하여 열전소자의 열 흡수부, 레그 및 열 방출부를 동시에 형성할 수 있으므로, 열 흡수부, 레그 및 열 방출부를 각각 형성한 후 이를 조립하는 종래의 열전 어레이에 비해 제조비용을 감소시킬 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101249292B1
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：KR1020080118110
申请日：2008-11-26
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 열전소자, 열전소자 모듈, 및 그 열전 소자의 형성 방법을 제공한다. 상기 소자는 하나의 이상의 제1 장벽영역을 포함하는 제1 도전형의 제1 반도체 나노와이어, 하나의 이상의 제2 장벽영역을 포함하는 제2 도전형의 제2 반도체 나노와이어, 제1 반도체 나노와이어의 일단에 연결된 제1 전극, 제2 반도체 나노와이어의 일단에 연결된 제2 전극, 및 제1 반도체 나노와이어의 타단 및 제2 반도체 나노와이어 타단에 연결된 공통 전극을 포함한다. 제1 장벽 영역의 열전도도(thermal conductivity)는 제1 반도체 나노와이어의 열전도도보다 크고, 제2 장벽 영역의 열전도도는 제2 반도체 나노와이어의 열전도도보다 클 수 있다.
열전 소자, 반도체 나노 와이어, 열적 장벽-
公开(公告)号：KR1020110071291A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：KR1020090127812
申请日：2009-12-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L35/32
Abstract: PURPOSE: A thermoelectric device a super lattice structure is provided to dry-etch the entire insulation film without forming a photo resist pattern, thereby forming upper and lower electrodes through one time lithography process. CONSTITUTION: A first insulation layer(120) and a second insulation layer(130a) are formed on a substrate(110). An n-type electrode(140n) and a p-type electrode(140p) are separated on the first insulation layer. A lower electrode(140) is formed on the second insulation layer. Super lattice structures(150n,150p) are formed on the n-type electrode and the p-type electrode respectively. A common electrode(170) is formed on the super lattice structures.
Abstract translation: 目的：提供一种超晶格结构的热电装置，用于干燥蚀刻整个绝缘膜而不形成光刻胶图案，由此通过一次光刻工艺形成上电极和下电极。 构成：在基板（110）上形成第一绝缘层（120）和第二绝缘层（130a）。 n型电极（140n）和p型电极（140p）在第一绝缘层上分离。 下电极（140）形成在第二绝缘层上。 分别在n型电极和p型电极上形成超晶格结构（150n，150p）。 公共电极（170）形成在超晶格结构上。
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公开(公告)号：KR1020100072610A
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：KR1020080131061
申请日：2008-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/775 , H01L31/10
CPC classification number: H01L29/122 , B82Y10/00 , H01L31/113 , Y10S977/937 , Y10S977/953
Abstract: PURPOSE: A semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to detect the charge quantity of low amount suspension of power supply induced with sing photon. CONSTITUTION: A single electron box comprises a charge storage gate(120) changing charge with a first quantum dot(110) and also includes a first gate electrode(130) for controlling the electric potential of the first quantum dot on the charge storage gate. A single electron transistor comprises a second quantum dot(210) which is capacitively combined under the first quantum dot in the first quantum dot, source(220) touching in one side of the second quantum dot, a drain(230) touching other side corresponding to the one side, and a second gate electrode(240) controlling the electric potential of the second quantum dot under the second quantum dot.
Abstract translation: 目的：提供半导体器件及其制造方法，以检测由光子引起的电源的低量悬浮的电荷量。 构成：单个电子盒包括用第一量子点（110）改变电荷的电荷存储栅极（120），并且还包括用于控制电荷存储栅极上的第一量子点的电位的第一栅电极（130）。 单电子晶体管包括第二量子点（210），其在第一量子点内的第一量子点下电容性地组合，源（220）在第二量子点的一侧接触;漏极（230）接触另一侧对应 以及控制第二量子点下的第二量子点的电位的第二栅电极（240）。
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公开(公告)号：KR1020090060635A
公开(公告)日：2009-06-15
申请号：KR1020070127521
申请日：2007-12-10
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: A bio sensor which detects bio material through interaction between target molecule and probe molecule is provided to minimize the sensitivity to the difference of pH concentration and salt concentration and improve detection accuracy. A bio sensor comprises: a photo diode which contains a P-type doping layer(440), N-type doping layer(450) and non-doping area; an electrode which is formed at the both ends of P-type doping layer and N-type doping layer; and a probe molecule(P) which is fixed at the upper side of non-doping area. A method for manufacturing the bio sensor comprises: a step of forming photo diode containing the P-type doping layer, N-type doping layer and non-doping area; a step of forming electrode at the both ends of the P-type doping layer and N-type doping layer; a step of fixing the probe molecule at the upper side of the non-doping area; and a step of injecting target molecule into a sample.
Abstract translation: 提供通过靶分子和探针分子之间的相互作用检测生物材料的生物传感器，以最小化对pH浓度和盐浓度的差异的敏感性，并提高检测精度。 生物传感器包括：光电二极管，其包含P型掺杂层（440），N型掺杂层（450）和非掺杂区域; 在P型掺杂层和N型掺杂层的两端形成的电极; 以及固定在非掺杂区域的上侧的探针分子（P）。 一种用于制造生物传感器的方法，包括：形成含有P型掺杂层，N型掺杂层和非掺杂区的光电二极管的步骤; 在P型掺杂层和N型掺杂层的两端形成电极的步骤; 将探针分子固定在非掺杂区域的上侧的步骤; 以及将靶分子注入样品的步骤。
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公开(公告)号：KR100898752B1
公开(公告)日：2009-05-25
申请号：KR1020070094687
申请日：2007-09-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
Abstract: 본 발명은 반도체 메모리 소자의 고집적화에 따른 누설전류(leakage current)의 발생을 억제하여 정확한 데이터 판독이 가능한 고집적 반도체 메모리 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 이를 위한 본 발명의 고집적 반도체 메모리 소자는 기판에 형성되고, 채널영역과 쇼트키접합(schottky junction)을 형성하는 소스 및 드레인 전극 및 상기 채널영역의 기판 상부에 형성되고, 복수개의 실리콘나노점으로 구성된 플로팅게이트를 포함하고 있으며, 이를 통하여 반도체 메모리 소자의 고집적화에 따른 누설전류의 발생을 억제시켜 정확한 데이터 판독이 가능한 고집적 반도체 메모리 소자를 제공하는 효과가 있다.
플래시메모리, 쇼트기 접합, 금속 실리사이드
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