公开(公告)号：KR1020040057031A

公开(公告)日：2004-07-01

申请号：KR1020030011016

申请日：2003-02-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박종혁

IPC: H01L21/203 ,  H01L29/06 ,  H01L29/15 ,  B82Y40/00

Abstract: PURPOSE: An apparatus and method for manufacturing a silicon nano dot thin film capable of emitting light are provided to obtain the silicon nano dot thin film having a uniform doping concentration without damage by depositing an Si based matrix thin film using a PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) and simultaneously doping luminescent material in the thin film using a sputtering process. CONSTITUTION: An apparatus for manufacturing a silicon nano dot thin film capable of emitting light is provided with a chamber(10) having a gas supply line(1) and a gas exhaust line(6), and a shower head(2) connected with the gas supply line in the chamber. The apparatus further includes a stage(4) opposite to the shower head for loading a substrate(3) and a sputter gun(7) at one sidewall of the chamber toward the substrate. A matrix thin film is deposited on the substrate by using the plasma(9) between the shower head and substrate. At this time, luminescent material is doped in the thin film by using the sputter gun.

Abstract translation: 目的：提供一种能够发射光的硅纳米点薄膜的制造装置和方法，以通过使用PECVD（等离子体增强化学品）沉积Si基基质薄膜来获得具有均匀掺杂浓度而不损坏的硅纳米点薄膜 气相沉积），并使用溅射工艺在薄膜中同时掺杂发光材料。 本发明提供一种能够发光的硅纳米点薄膜的制造装置，具有：具有气体供给管线（1）和排气管线（6）的室（10），以及与 气室中的气体供应管线。 该装置还包括与淋浴喷头相对的台（4），用于将衬底（3）和溅射枪（7）装载到腔室的一个侧壁朝向衬底。 通过使用淋浴头和基底之间的等离子体（9）将基质薄膜沉积在基底上。 此时，通过使用溅射枪将发光材料掺杂在薄膜中。

公开(公告)号：KR1020110098423A

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：KR1020100018043

申请日：2010-02-26

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박종혁 ,  오지영

IPC: G01N27/12 ,  H01L21/28 ,  G01N27/02

Abstract: 가스감지 센서 및 그 형성방법이 제공된다. 가스감지 센서의 형성방법은 기판 상에 감지 전극을 형성하는 것, 그리고 감지 전극에 접촉하며, 금속 산화물 나노입자를 포함하는 감지막을 형성하는 것을 포함한다. 감지막은 용액 공정(solution process)을 수행하여 형성된다.

公开(公告)号：KR1020100065036A

公开(公告)日：2010-06-15

申请号：KR1020090030256

申请日：2009-04-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 오지영 ,  박종혁 ,  강승열 ,  김철암 ,  유인규 ,  조경익

IPC: H01L21/31 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02208 ,  H01L29/42312 ,  H01L29/78696

Abstract: PURPOSE: A method for forming a metal oxide and a method for forming a transistor structure including the same are provided to efficiently form the metal oxide by forming a doped zinc oxide with a solution process method. CONSTITUTION: A metal oxide precursor solution and an alcohol based solution are prepared. The metal oxide precursor solution comprises dopant chemical species. The alcohol based solution includes alkaline chemical species. A reactant is formed by reacting the metal oxide precursor solution with the alcohol based solution. A metal oxide(150) is formed by refining the reactant.

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成金属氧化物的方法和形成包含该金属氧化物的晶体管结构的方法，以通过用溶液处理方法形成掺杂的氧化锌来有效地形成金属氧化物。 构成：制备金属氧化物前体溶液和醇基溶液。 金属氧化物前体溶液包括掺杂剂化学物质。 醇基溶液包括碱性化学物质。 通过使金属氧化物前体溶液与醇基溶液反应形成反应物。 通过精制反应物形成金属氧化物（150）。

公开(公告)号：KR100953825B1

公开(公告)日：2010-04-20

申请号：KR1020070051530

申请日：2007-05-28

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 박종혁 ,  맹성렬 ,  박래만 ,  홍성현 ,  김원식

IPC: H01L21/205 ,  B82Y40/00

Abstract: 본 발명은 나노구조물의 형성 전후의 원하지 않는 반응을 억제하여 고품질의 금속산화물 나노구조물을 제작할 수 있는 급속 열증착을 이용한 금속산화물 나노구조물 제조방법을 개시한다. 본 발명에 따른 급속 열증착을 이용한 금속산화물 나노구조물 제조방법은 하나 또는 그 이상의 할로겐 램프들이 그 주위에 설치된 챔버를 준비하는 단계, 챔버 내에 금속 소스 및 기판을 장입하는 단계, 금속 소스로부터 기판 방향의 유속을 갖는 캐리어 가스를 챔버 내로 공급하는 단계, 기판 상에 금속산화물 나노구조물을 형성하기 위하여, 할로겐 램프를 이용하여 금속 소스를 가열하는 단계, 및 기판 상에 형성된 금속산화물 나노구조물을 냉각하는 단계를 포함한다.
금속산화물, 나노구조물, 급속 열증착, 할로겐램프

公开(公告)号：KR100929812B1

公开(公告)日：2009-12-08

申请号：KR1020070077764

申请日：2007-08-02

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이승엽 ,  전용석 ,  강만구 ,  윤호경 ,  박종혁 ,  박헌균 ,  김종대

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01G9/2031 ,  H01G9/2059 ,  Y02E10/542

Abstract: 본 발명은 증가된 에너지 변환 효율을 갖는 태양전지 및 그 제조 방법을 제공한다. 이 염료감응 태양전지는 중공형의 반도체 입자들을 포함하는 반도체 전극층 및 반도체 전극층의 표면에 흡착된 염료층을 구비하되, 염료층은 반도체 입자들의 외부면 및 내부면에 흡착된다.

Abstract translation: 本发明提供能量转换效率高的染料敏化太阳能电池及其制造方法。 染料敏化太阳能电池具有半导体电极层，该半导体电极层包含中空状半导体颗粒和吸附在半导体电极层表面上的染料层，染料层吸附在半导体颗粒的外表面和内表面上。

公开(公告)号：KR100921754B1

公开(公告)日：2009-10-15

申请号：KR1020070104921

申请日：2007-10-18

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 윤호경 ,  전용석 ,  강만구 ,  이승엽 ,  박헌균 ,  박종혁 ,  김종대

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01G9/2031 ,  H01G9/209 ,  Y02E10/542 ,  Y02P70/521

Abstract: 염료 감응 태양전지 및 그 제조 방법을 제공한다. 이 염료감응 태양전지는 서로 이격된 하부 기판 및 상부 기판, 하부 기판 상에 배치된 반도체 전극층, 반도체 전극층의 표면에 흡착된 염료층 및 하부 및 상부 기판들 사이에 배치되는 전해질 용액을 포함한다. 이때, 반도체 전극층에 인접한 하부 기판의 상부 표면은 반도체 전극층과의 접촉 면적을 증가시킬 수 있는 적어도 하나의 홈을 갖도록 형성된다.

公开(公告)号：KR1020090033713A

公开(公告)日：2009-04-06

申请号：KR1020070098887

申请日：2007-10-01

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박종혁 ,  강만구 ,  전용석 ,  이승엽 ,  윤호경 ,  박헌균 ,  김종대

IPC: B82B3/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01G9/2031 ,  C25D11/02 ,  C25D11/34 ,  C25D13/02 ,  H01G9/2059 ,  H01L51/0086 ,  Y02E10/542 ,  Y10T428/24174

Abstract: A nanocomposite is provided to increase a surface area of nanoparticles in order to improve the amount of dye molecule absorbed and allow electron to move freely using nanotubes. A nanocomposite(120) comprises a plurality of nanotubes formed in a perpendicular direction of a substrate and a plurality of nanoparticles(110) dispersed between the nanotubes(100). The nanotubes and the nanoparticles contain titanium oxide(TiO2), tin oxide(SnO2), zinc oxide(ZnO) and tungsten oxide(WO3) or a mixture thereof. An outer diameter of nanotube is 50nm to 300nm. An inner diameter of nanotube shows 50nm to 200nm. A size of the nanoparticle is 2nm to 50nm. The nanoparticle has a formation of sphere, tube, rod or tubular shape.

Abstract translation: 提供纳米复合材料以增加纳米颗粒的表面积，以改善吸收的染料分子的量，并允许电子使用纳米管自由移动。 纳米复合材料（120）包括在基底的垂直方向上形成的多个纳米管和分散在纳米管（100）之间的多个纳米颗粒（110）。 纳米管和纳米颗粒含有氧化钛（TiO 2），氧化锡（SnO 2），氧化锌（ZnO）和氧化钨（WO 3）或其混合物。 纳米管的外径为50nm至300nm。 纳米管内径为50nm〜200nm。 纳米颗粒的尺寸为2nm至50nm。 纳米颗粒具有球形，管状，棒状或管状形状。

公开(公告)号：KR100889752B1

公开(公告)日：2009-03-24

申请号：KR1020070063121

申请日：2007-06-26

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  고려대학교 산학협력단

Inventor： 박종혁 ,  김은경 ,  문승언 ,  이홍열 ,  박강호 ,  김종대 ,  김규태 ,  이강호 ,  이성민

IPC: H01L41/08 ,  B82Y40/00

CPC classification number: B41J2/14314 ,  F03G7/005 ,  Y10T428/25

Abstract: 본 발명은 이종 접합막 및 그의 제조 방법에 관한 것으로서 제 1 도전형을 갖는 제 1 나노 입자를 포함하는 제 1 층; 및 제 2 도전형을 갖는 제 2 나노 입자를 포함하는 제 2 층을 포함하고, 상기 제 1 층과 상기 제 2 층이 접합된 이종 접합막을 제공한다. 본 발명의 이종 접합막은 단일막으로 이루어진 종래의 버키 페이퍼에 비하여 구동 효율이 훨씬 우수할 뿐만 아니라 구동방향의 예측이 가능하고 제조도 간단한 장점이 있다.
이종 접합막, 버키 페이퍼, 탄소 나노튜브, 나노와이어, 바나듐 펜톡사이드

公开(公告)号：KR100853200B1

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：KR1020070035723

申请日：2007-04-11

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박종혁 ,  맹성렬 ,  박래만 ,  페라리안드레아씨. ,  파솔리안드레아 ,  콜리알란

IPC: B82B3/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L29/267 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/068

Abstract: A nanowire of multi-structure and a fabrication method thereof are provided to obtain a nanowire for optical element or electronic device by jointing silicon nanowire at both ends of compound semiconductor nanorod. A nanowire of multi-structure(100) has: a nanorod(110) of group II-VI compound or group III-V compound; and a silicon nanowire(130) which is jointed with each end in the opposite site of the nanorod and extended to each end of the nanorod, respectively. The compound semiconductor is one selected from a group consisting of AlN, AlP, AlAs, GaN, GaP, GaAs, InP, InAs, InSb, AlInGaP, AlGaAs, InGaN, CdS, CdSe, CdTe, ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, TiO2, HgTe and CdHgTe. A fabrication method of the nanowire of multi-structure comprises steps of: preparing a number of compound semiconductor; forming catalyst tip(120) at both ends of the nanorod; and growing silicon nanowire at both ends of the nanorod having catalyst tip. The catalyst tip is removed by wet-process after completing the growing of the silicon nanowire. The step of growing the silicon nanowire comprises a process comprising steps of: dispersing the nanorod on a substrate; and putting the substrate having the dispersed nanorod to a chamber in a silicon source atmosphere and subjecting the chamber to heat-treatment in order to decompose the silicon source to silicon element or silicon molecule.

Abstract translation: 提供多结构的纳米线及其制造方法，以通过在化合物半导体纳米棒的两端连接硅纳米线来获得光学元件或电子器件的纳米线。 多结构（100）的纳米线具有：II-VI族化合物或III-V族化合物的纳米棒（110）; 和一个硅纳米线（130），其分别与纳米棒的相对位置的每个端部连接并分别延伸到纳米棒的每一端。 化合物半导体是选自AlN，AlP，AlAs，GaN，GaP，GaAs，InP，InAs，InSb，AlInGaP，AlGaAs，InGaN，CdS，CdSe，CdTe，ZnO，ZnS，ZnSe，ZnTe，TiO2中的一种 ，HgTe和CdHgTe。 多结构纳米线的制造方法包括以下步骤：制备多种化合物半导体; 在纳米棒的两端形成催化剂尖端（120）; 并在具有催化剂末端的纳米棒的两端生长硅纳米线。 在完成硅纳米线的生长之后，通过湿法除去催化剂尖端。 生长硅纳米线的步骤包括以下步骤：将纳米棒分散在基底上; 并将具有分散的纳米棒的基板放置在硅源气氛中的室中，并对该室进行热处理，以将硅源分解成硅元素或硅分子。

公开(公告)号：KR100848312B1

公开(公告)日：2008-07-24

申请号：KR1020060103137

申请日：2006-10-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이효영 ,  방경숙 ,  박종혁 ,  이정현 ,  최낙진 ,  구자룡

IPC: H01L29/66

Abstract: 하부 도전층과 분자 활성층과의 사이에 형성된 유기 유전박막을 포함하는 분자 전자 소자 및 그 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 분자 전자 소자는 기판과, 기판 위에 형성되어 있는 유기 유전박막과, 유기 유전박막 위에 형성되어 있고 전하 트랩 사이트를 가지는 분자 활성층과, 분자 활성층 위에 형성된 전극을 포함한다. 유기 유전박막은 전극 또는 Si층 위에 자기조립 방법으로 고정화될 수 있다. 유기 유전박막은 상호 수소 결합되어 있는 제1 분자층 및 제2 분자층을 포함할 수 있다. 유기 유전박막은 M'-RT (식중, M'은 티올 유도체 또는 실란 유도체이고, R은 F로 치환 또는 비치환된 C
1 ∼ C
20 의 포화 또는 불포화 탄화수소기이고, T는 -NH
2 또는 -COOH)로 표시되는 구조를 가지는 유기 화합물이 기판상에 자기조립됨으로써 형성될 수 있다.
분자 전자 소자, 유기 유전박막, 아민알킬티올, 분자 활성층, 자기조립