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公开(公告)号：KR1020170094814A
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：KR1020160015725
申请日：2016-02-11
Applicant: 한국전자통신연구원
Inventor： 도재원 , 김해천 , 민병규 , 임종원 , 강동민 , 김동영 , 김성일 , 신민정 , 안호균 , 윤형섭 , 이상흥 , 이종민 , 장유진 , 정현욱 , 조규준 , 주철원
IPC: H01L29/778 , H01L29/16 , H01L29/66
Abstract: 반도체소자는, 기판상에순차적으로제1 반도체층과제2 반도체층을형성하고, 상기제2 반도체층상에그래핀층을형성하고, 상기그래핀층상에서로이격된소스전극과드레인전극을형성하고, 상기소스전극과상기드레인전극을마스크로하여그래핀층을패터닝하고, 상기제2 반도체층상면에절연막을형성하고, 상기제2 반도체층상면에게이트전극을형성함으로써제조될수 있다.
Abstract translation: 一种半导体器件，其特征在于，在衬底上依次形成第一半导体层的半导体层的第一半导体层，在第二半导体层上形成石墨烯层，在石墨烯层上形成源电极和漏电极， 使用源电极和漏电极作为掩模来图案化石墨烯层;在第二半导体层上形成绝缘膜;以及在第二半导体层上形成栅电极。
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公开(公告)号：KR1020160119328A
公开(公告)日：2016-10-13
申请号：KR1020150046989
申请日：2015-04-02
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03F3/60
Abstract: 본발명은 RF 전력소자내부정합형패키지용정합회로설계에적용하기위하여 RF 전력소자의특성을추출하는방법과이를이용하여구현한정합회로를포함하는전력증폭장치에관한것이다. 구체적으로, 본발명은전력소자의특성추출기준점을제안하고이를이용하여전력소자의특성추출을기존의모델링과디임베딩방식이아닌기준점을달리한측정방식을활용하여전력소자의특성을정확히추출한후 정합회로설계에활용하는방법및 이를통해구현된전력증폭장치를제공한다.
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公开(公告)号：KR1020150139667A
公开(公告)日：2015-12-14
申请号：KR1020140067490
申请日：2014-06-03
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H03G1/0088 , H03F1/083 , H03F3/08 , H03F2200/153 , H03G3/12
Abstract: 본발명은귀환증폭기에관한것이다. 본발명의귀환증폭기는입력단자로부터입력되는입력신호를증폭시켜출력단자로출력하는증폭회로부, 입력단자와출력단자사이에위치하고, 출력단자로출력되는신호에귀환저항값을적용하고, 귀환저항값이결정된상태에서인가되는바이어스전압에의해입력신호를조절하여증폭회로부의이득을조절하는귀환회로부, 바이어스전압을생성하는바이어스회로부, 출력단자로부터의출력을최소신호레벨과의비교를통해귀환저항값에포함된고정저항값을제어하기위한고정저항제어신호를발생시키는패킷신호감지부, 및고정저항제어신호에응답하여귀환저항값에포함된고정저항값을제어하는고정저항제어부를포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种反馈放大器，包括：放大单元，用于放大输入信号，从输入端输入，并将输入信号输出到输出端; 反馈电路单元，布置在输入端子和输出端子之间，用于向信号施加反馈电阻值，通过输出端子输出，并通过在施加的偏置电压之后施加偏置电压来调节输入信号来调节放大电路单元的增益 确定反馈电阻值; 用于产生偏置电压的偏置电路单元; 分组信号感测单元，用于通过比较输出端子的输出和最小信号电平来产生用于控制包括在反馈电阻值中的固定电阻值的固定电阻控制信号; 以及固定电阻控制单元，用于响应于固定电阻控制信号控制包括在反馈电阻值中的固定电阻值。
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公开(公告)号：KR1020150073560A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：KR1020130161400
申请日：2013-12-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G01R31/26
CPC classification number: G01R31/2621 , G01R31/2608
Abstract: 본발명의실시예에테스트장치는측정라인에바이어스를인가하고측정라인을계측하도록구성되는테스팅유닛, 측정라인과복수의샘플들을각각전기적으로연결하기위한복수의스위칭유닛들, 복수의스위칭유닛들을순차적으로턴온시켜복수의샘플들에순차적으로바이어스를인가하는제어유닛을포함한다. 제어유닛은복수의샘플들각각에바이어스가인가될때 테스팅유닛의계측에따른측정값을토대로해당소자샘플이불량인지여부를판별한다.
Abstract translation: 根据本发明实施例的测试装置包括：测试单元，其被构造成对测量线施加偏压并测量测量线; 多个开关单元，用于分别电连接测量线和多个样本; 以及控制单元，其通过串联接通开关单元来将样本串联施加偏压。 当偏置被应用于每个样本时，控制单元根据测试单元的测量，基于测量值来确定对应的设备样本是否是故障的。
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公开(公告)号：KR101164407B1
公开(公告)日：2012-07-09
申请号：KR1020090025678
申请日：2009-03-26
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: Y02D70/42
Abstract: 본 발명은 RF 소자를 제공한다. 이 소자는 나도 튜브 고유 진동수(f0)를 가지고 진동하는 탄소나노튜브, 탄소나노튜브의 일단에 고정 결합된 음극, 탄소나노튜브의 타단에 대향하여 배치되고 가변의 공진 주파수로 진동하는 튜닝 전극, 및 튜닝 전극의 일단에 전기적으로 연결된 양극를 포함하되, 튜닝 전극의 타단은 상기 탄소 나노튜브의 타단과 인접하여 배치되고, 탄소나노튜브는 케리어 주파수를 가지는 외부 전자기파에 따라 케리어 주파수로 진동하고, 가변 공진 주파수 특성을 갖는 튜닝 전극은 상기 탄소나노튜브의 타단과 튜닝 전극의 타단의 거리 변화를 증폭시켜 전계 방출에 따른 전자 방출 감도를 증가시킬 수 있다.
탄소나노튜브(Carbon nanotube(CNT)), 라디오 주파수 소자(radio frequency(RF) device), 안테나(antenna), 복조(demodulation), 증폭기(amplifier)Abstract translation: 目的：提供射频装置，以形成基于使用CNT的电子和结构性质的纳米材料的微型和低功率结构。 构成：碳纳米管（110）根据纳米管固有频率产生振动。 阴极（120）固定在碳纳米管的一端。 调谐电极（130）设置在碳纳米管的另一端。 阳极（140）电连接到调谐电极的一端。 调谐电极的另一端与碳纳米管的另一端相连。 碳纳米管根据具有载波频率的外部电磁波振动到载波频率。 调谐电极通过放大碳纳米管和调谐电极的另一端的另一端的距离变化来增加电子发射灵敏度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020110101706A
公开(公告)日：2011-09-16
申请号：KR1020100020912
申请日：2010-03-09
Applicant: 한국전자통신연구원
Inventor： 주철원
IPC: H01L21/208
CPC classification number: H01L31/1828
Abstract: 본 발명은 박막 형성 장치에 관한 것으로, 기판을 수용하는 챔버와, 상기 챔버 내에 설치되어 상기 기판에 용액을 제공하는 스프레이 노즐과, 그리고 상기 챔버 내에 설치되어 상기 기판을 가열하는 히터를 포함할 수 있다. 상기 히터는 상기 기판이 균일한 온도를 갖게끔 가열하고, 상기 스프레이 노즐은 상기 기판에 상기 용액을 스프레이식으로 제공할 수 있다. 본 발명에 의하면, 상기 기판 상에 원하는 화학조성 및/또는 균일한 두께의 박막을 형성할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020100063606A
公开(公告)日：2010-06-11
申请号：KR1020090025678
申请日：2009-03-26
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: PURPOSE: A radio frequency device is provided to form a micro type and a low power structure based on a nano material using an electronic and structural property of a CNT. CONSTITUTION: A carbon nano-tube(110) generates a vibration according to a nano-tube natural frequency. A cathode(120) is fixed to one end of the carbon nano-tube. A tuning electrode(130) is arranged on the other end of the carbon nano-tube. An anode(140) is electrically connected to the one end of the tuning electrode. The other end of the tuning electrode is arranged with the other end of the carbon nano-tube with contiguous. The carbon nano-tube vibrates to the carrier frequency according to an external electromagnetic wave having a carrier frequency. The tuning electrode increases an electronic emission sensitivity by amplifying a distance variation of the other end of the other end of the carbon nano-tube and the tuning electrode.
Abstract translation: 目的：提供射频装置，以形成基于使用CNT的电子和结构性质的纳米材料的微型和低功率结构。 构成：碳纳米管（110）根据纳米管固有频率产生振动。 阴极（120）固定在碳纳米管的一端。 调谐电极（130）设置在碳纳米管的另一端。 阳极（140）电连接到调谐电极的一端。 调谐电极的另一端与碳纳米管的另一端相连。 碳纳米管根据具有载波频率的外部电磁波振动到载波频率。 调谐电极通过放大碳纳米管和调谐电极的另一端的另一端的距离变化来增加电子发射灵敏度。
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公开(公告)号：KR100713121B1
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：KR1020050089724
申请日：2005-09-27
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/13025 , H01L2224/16 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541
Abstract: 본 발명은 칩과 이를 이용한 칩 스택 및 그 제조방법에 관한 것으로, 웨이퍼상에 형성된 적어도 하나 이상의 패드와 상기 패드의 저면이 노출되도록 상기 웨이퍼를 관통하는 비아홀에 상기 웨이퍼의 저면으로부터 일정한 두께까지 돌출되도록 형성된 금속층을 포함하는 복수개의 칩이 적층되되, 상기 각 칩의 패드와 금속층이 서로 마주보도록 접합되어 적층함으로써, 칩의 제조공정이 간편해지고 칩의 성능을 향상시켜줄 뿐만 아니라 칩 스택 시 풋 프린트(foot print)가 작아지는 효과가 있다.
칩 스택, 웨이퍼, 패드, 비아홀, 플립칩, 범프, 풋 프린트-
公开(公告)号：KR100696190B1
公开(公告)日：2007-03-20
申请号：KR1020050027862
申请日：2005-04-04
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L24/81
Abstract: 본 발명은 플립 칩 본딩방법에 관한 것으로, 반도체 칩의 패드 상에 금속범프를 형성하는 단계와, 상기 금속범프의 말단에 소정두께의 전도성 접착제를 형성하는 단계와, 열 접합공정을 통해 상기 반도체 칩을 미리 마련된 반도체 기판의 패드에 접합시키는 단계를 포함함으로써, 원가가 절감되고 공정이 간편해질 뿐만 아니라 열 방출이 원활하게 할 수 있는 효과가 있다.
플립 칩, 반도체 기판, 반도체 칩, 전도성 접착제, 실버 에폭시, 이방 전도성 필름(ACF), 금속범프-
公开(公告)号：KR1020060041459A
公开(公告)日：2006-05-12
申请号：KR1020040090673
申请日：2004-11-09
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/737
CPC classification number: H01L29/66318 , H01L29/7371
Abstract: 본 발명은 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판 상에 서브 컬렉터층, 컬렉터층, 베이스층, 에미터층 및 에미터캡층을 순차적으로 적층하는 단계와, 상기 에미터캡층 상부에 에미터 전극을 형성하는 단계와, 상기 에미터 전극을 마스크로 하여 상기 기판에 수직 및 역경사 방향으로 상기 에미터캡층 및 상기 에미터층을 순차적으로 식각하여 상기 베이스층이 노출되도록 메사형태의 에미터를 형성하는 단계와, 상기 에미터 전극을 마스크로 하여 노출된 상기 베이스층의 상부에 상기 에미터 전극과 자기정렬되는 베이스전극을 형성하는 단계를 포함함으로써, 메사형태의 에미터와 베이스 전극간의 간격을 최소화하고 재현성 있게 제어할 수 있으며, 고주파 특성이 우수한 자기정렬 소자를 구현할 수 있는 효과가 있다.
이종접합 바이폴라 트랜지스터, 자기정렬, 결정이방성, 메사식각, 에미터 전극, 베이스 전극
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