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公开(公告)号：KR1020170094814A
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：KR1020160015725
申请日：2016-02-11
Applicant: 한국전자통신연구원
Inventor： 도재원 , 김해천 , 민병규 , 임종원 , 강동민 , 김동영 , 김성일 , 신민정 , 안호균 , 윤형섭 , 이상흥 , 이종민 , 장유진 , 정현욱 , 조규준 , 주철원
IPC: H01L29/778 , H01L29/16 , H01L29/66
Abstract: 반도체소자는, 기판상에순차적으로제1 반도체층과제2 반도체층을형성하고, 상기제2 반도체층상에그래핀층을형성하고, 상기그래핀층상에서로이격된소스전극과드레인전극을형성하고, 상기소스전극과상기드레인전극을마스크로하여그래핀층을패터닝하고, 상기제2 반도체층상면에절연막을형성하고, 상기제2 반도체층상면에게이트전극을형성함으로써제조될수 있다.
Abstract translation: 一种半导体器件，其特征在于，在衬底上依次形成第一半导体层的半导体层的第一半导体层，在第二半导体层上形成石墨烯层，在石墨烯层上形成源电极和漏电极， 使用源电极和漏电极作为掩模来图案化石墨烯层;在第二半导体层上形成绝缘膜;以及在第二半导体层上形成栅电极。
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公开(公告)号：KR1020170106576A
公开(公告)日：2017-09-21
申请号：KR1020160029526
申请日：2016-03-11
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L2224/49175
Abstract: 본발명은전력소자가구비된기판에관한것이다. 본발명에따르면, 한쌍의제1 마커및 한쌍의제2 마커가형성된메탈캐리어, 상기메탈캐리어상에구비되며, 입력단이상기한 쌍의제1 마커중 어느하나에대응되고, 출력단이상기한 쌍의제1 마커중 나머지하나에대응되도록배치되는전력소자, 상기전력소자의일 측에배치되는입력정합부및 상기전력소자의타 측에배치되는출력정합부를포함하며, 상기한 쌍의제2 마커는상기한 쌍의제1 마커의외측에형성되고, 상기입력정합부의일 측면은상기제2 마커중 어느하나에대응되도록배치되며, 상기출력정합부의일 측면은상기제2 마커중 나머지하나에대응되도록배치되는, 전력소자가구비된기판이제공된다.
Abstract translation: 具有电源的基板技术领域本发明涉及一种设有电源的基板。 根据本发明，一对第一标记物和一对金属载体2，一标记形成时，它被设置在所述金属载体上，该输入级移相器对第一标记中的一个的相应的一个，输出移相器对第一 并且输出匹配部分设置在电源的另一侧上，其中该对第二标记布置在电源的另一侧上， 其中，所述输入匹配单元的一侧对应于所述第二标记中的一个，所述输出匹配单元的一侧对应于所述第二标记中的另一个， 提供衬底。
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公开(公告)号：KR1020170095453A
公开(公告)日：2017-08-23
申请号：KR1020160016412
申请日：2016-02-12
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01Q9/0407 , H01Q1/50 , H01Q9/0442
Abstract: 본발명은패치안테나에관한것으로, 본발명의일 실시예에따른패치안테나는, 복수의유전체층들이적층된다층기판; 상기다층기판의중심영역의외부에서, 상기복수의유전체층들사이에개재된적어도하나의금속패턴층; 상기다층기판의상부면상에배치되고, 상기중심영역내에위치하는안테나패치; 상기다층기판의하부면에배치된접지층; 상기복수의유전체층들을관통하여상기금속패턴층과상기접지층을전기적으로연결하고, 상기중심영역을에워싸는복수의연결비아패턴들; 상기다층기판의상부면상에배치되고상기중심영역외부에위치하는제1 전송선로부와, 상기다층기판의상부면상에배치되고상기중심영역내에위치하는제2 전송선로부를포함하는전송선로; 및상기다층기판의중심영역내에서상기제2 전송선로부의아래에위치하는임피던스변환기를포함할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及贴片天线，并且根据本发明实施例的贴片天线包括：堆叠的多个介电层; 至少一个金属图案层，介于多层基板的中心区域外的多个介电层之间; 天线贴片，设置在所述多层基板的上表面上并位于所述中央区域中; 设置在多层基板的下表面上的接地层; 多个连接通孔图案，其通过所述多个电介质层电连接所述金属图案层和所述接地层并且围绕所述中心区域; 第一传输线部分，其设置在所述多层基板的上表面上并且位于所述中心区域的外侧;以及第二传输线部分，其设置在所述多层基板的上表面上并且位于所述中央区域中; 以及位于多层衬底的中心区域内的第二传输线部分下方的阻抗转换器。
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公开(公告)号：KR1020170059520A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：KR1020150163258
申请日：2015-11-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/43 , H01L29/778 , H01L29/45 , H01L29/772 , H01L21/02
Abstract: 본발명의실시예에따른전계효과트랜지스터는서로마주하는제1 면및 제2 면을포함하는활성층; 상기활성층의상기제1 면상에형성되고, 상기활성층의상기제1 면을노출하는제1 개구영역을포함하는캡핑층; 상기캡핑층상에형성된소스오믹전극및 드레인오믹전극; 상기활성층의상기제1 면상부에배치되고, 상기제1 개구영역내부에배치된일부를포함하는전면게이트; 상기활성층의상기제2 면상부에배치되고, 상기소스오믹전극및 상기드레인오믹전극사이의상기활성층의상기제2 면을노출하는제2 개구영역을포함하는반도체기판; 및상기활성층의상기제2 면상부에배치되고, 상기제2 개구영역내부에배치되어상기전면게이트에중첩된후면게이트를포함할수 있다.
Abstract translation: 根据本发明实施例的场效应晶体管包括：有源层，包括彼此面对的第一表面和第二表面; 覆盖层，形成在有源层的第一表面上并且包括暴露有源层的第一表面的第一开口区域; 形成在覆盖层上的源欧姆电极和漏欧姆电极; 布置在有源层的第一侧上并且包括设置在第一开口区内的部分的前栅极; 半导体衬底，所述半导体衬底设置在所述有源层的所述第二表面上并且包括暴露所述源极欧姆电极和所述漏极欧姆电极之间的所述有源层的所述第二表面的第二开口区域; 以及布置在有源层的第二侧之上并设置在第二开口区域内以与前栅极重叠的后栅极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR102211392B1
公开(公告)日：2021-02-04
申请号：KR1020160016412
申请日：2016-02-12
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본발명은패치안테나에관한것으로, 본발명의일 실시예에따른패치안테나는, 복수의유전체층들이적층된다층기판; 상기다층기판의중심영역의외부에서, 상기복수의유전체층들사이에개재된적어도하나의금속패턴층; 상기다층기판의상부면상에배치되고, 상기중심영역내에위치하는안테나패치; 상기다층기판의하부면에배치된접지층; 상기복수의유전체층들을관통하여상기금속패턴층과상기접지층을전기적으로연결하고, 상기중심영역을에워싸는복수의연결비아패턴들; 상기다층기판의상부면상에배치되고상기중심영역외부에위치하는제1 전송선로부와, 상기다층기판의상부면상에배치되고상기중심영역내에위치하는제2 전송선로부를포함하는전송선로; 및상기다층기판의중심영역내에서상기제2 전송선로부의아래에위치하는임피던스변환기를포함할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020170097808A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：KR1020160019012
申请日：2016-02-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/772 , H01L29/51 , H01L21/225 , H01L21/027 , H01L21/768 , H01L21/20
Abstract: 질화물계트랜지스터의제조방법은기판상에소스전극, 드레인전극, 게이트전극및 전극패드를형성하는단계; 상기소스전극및 상기드레인전극중 하나와상기전극패드를노출시키는제1 개구부들을구비하는제1 포토레지스트패턴을형성하는단계; 상기제1 개구부에의해노출된전극, 상기전극패드, 및상기제1 포토레지스트패턴상에시드금속층을형성하는단계; 상기제1 개구부에의해노출된전극및 상기전극패드사이의상기시드금속층을노출시키는제2 개구부를구비하는제2 포토레지스트패턴을형성하는단계; 노출된상기시드금속층상에도금법을이용하여배선을형성하는단계; 및용매를이용하여상기제1 포토레지스트패턴및 상기제2 포토레지스트패턴을제거하며, 상기제1 및제2 포토레지스트패턴사이의시드금속층을제거하는단계를포함한다. 여기서, 상기제1 개구부는상부로갈수록폭이증가하는형상을가질수 있다.
Abstract translation: 一种制造氮化物基晶体管的方法包括：在衬底上形成源电极，漏电极，栅电极和电极焊盘; 形成具有源电极和漏电极中的一个的第一光致抗蚀剂图案以及暴露电极焊盘的第一开口; 在所述电极，所述电极焊盘和由所述第一开口暴露的所述第一光刻胶图案上形成电极金属层; 形成具有通过所述第一开口暴露的电极的第二光致抗蚀剂图案和暴露所述电极焊盘之间的所述种子金属层的第二开口; 使用电镀方法在暴露的种子金属层上形成布线; 并且使用溶剂去除第一光致抗蚀剂图案和第二光致抗蚀剂图案，并且去除第一和第二光致抗蚀剂图案之间的种子金属层。 这里，第一开口可以具有朝着顶部增加宽度的形状。
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公开(公告)号：KR1020170095455A
公开(公告)日：2017-08-23
申请号：KR1020160016435
申请日：2016-02-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/778 , H01L29/66 , H01L29/78 , H01L29/45 , H01L29/417
CPC classification number: H01L29/404 , H01L21/6835 , H01L29/0619 , H01L29/0657 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/401 , H01L29/4175 , H01L29/66462 , H01L29/7786 , H01L29/7787 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834
Abstract: 본발명의실시예에따른고전자이동도트랜지스터는서로마주보는제1면과제2 면을포함하고, 상기제1 면과상기제2 면을관통하는비아홀을구비한기판과, 상기기판의제1 면상에제공된활성층과, 상기활성층상에위치하고상기활성층의일부를노출하는게이트리쎄스영역을포함한캡층과, 상기캡층상에위치하며상기캡층및 상기활성층중 어느하나의층에오믹접촉한소스전극과, 상기캡층상에서상기소스전극으로부터이격되며상기캡층에오믹접촉한드레인전극과, 상기소스전극과상기드레인전극상에위치하고상기게이트리쎄스영역에대응되는개구부를구비하여상기게이트리쎄스영역을노출시키는절연층과, 상기절연층상에서상기소스전극과상기드레인전극사이에위치한제1 전계전극과, 상기절연층상에서상기제1 전계전극과전기적으로연결된게이트전극및 상기기판의제2 면상에제공되며상기비아홀을통해상기활성층과접촉되는제2 전계전극을포함한다.
Abstract translation: 根据本发明的晶体管包括彼此面对的第一表面分配第二表面的一个实施例的高电子迁移率，通孔具有贯穿该第一表面和第二表面的衬底，所述第一的所述衬底 和设置在所述表面上，其中，所述活性位于所述层上的覆盖层，包括一栅极栗sseseu区域以暴露所述有源层的一部分和定位在所述层上的帽和帽层中的任何一个层的欧姆接触的源电极与所述有源层和在有源层 从源电极在所述帽层并定位在欧姆接触漏电极，源电极和与具有暴露栅极栗sseseu区域对应于栅极栗sseseu面积的开口的帽层的漏电极，间隔开 绝缘层，第一场电极位于所述绝缘层上的源电极和在所述绝缘层和所述第一栅电极连接到所述第一场电极及电漏电极与所述设备之间 议程设置和第二侧面包括第二场电极，其与通过通孔的有源层接触。
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公开(公告)号：KR1020170089466A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：KR1020160009519
申请日：2016-01-26
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본발명의실시예에따른궤환증폭기는입력단자로부터입력되는입력신호를증폭시켜출력단자로출력하는증폭회로부와, 상기입력단자와상기출력단자사이에직렬로연결된제1 고정저항과제2 고정저항을포함하는궤환회로부와, 서로다른레벨의제어신호에따라상기제1 고정저항의적용여부를결정하는신호레벨동작선택부와, 상기제어신호에따라상기제2 고정저항의적용여부를제어하는신호검출부와, 바이어스전압을생성하는바이어스회로부를포함하고, 상기제1 고정저항과상기제2 고정저항은상기제어신호에따라선택적으로적용한다.
Abstract translation: 根据本发明实施例的反馈放大器包括：放大器电路部分，用于放大从输入端子输入的输入信号并将放大的输入信号输出到输出端子;以及第一固定电阻任务2固定电阻器，串联连接在输入端子和输出端子之间 信号电平操作选择器，用于根据不同电平的控制信号确定是否施加第一固定电阻器，信号检测器，用于根据控制信号控制是否施加第二固定电阻器， 以及用于产生偏置电压的偏置电路，其中根据控制信号选择性地施加第一固定电阻器和第二固定电阻器。
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公开(公告)号：KR102248808B1
公开(公告)日：2021-05-10
申请号：KR1020180046336
申请日：2018-04-20
Applicant: 한국전자통신연구원
Inventor： 안호균 , 신민정 , 김정진 , 김해천 , 도재원 , 민병규 , 윤형섭 , 이형석 , 임종원 , 장성재 , 정현욱 , 조규준 , 강동민 , 김동영 , 김성일 , 이상흥 , 이종민 , 지홍구
IPC: H01L29/778 , H01L29/66 , H01L21/762 , H01L21/027
Abstract: 제 1 반도체층과제 2 반도체층사이에절연층이매립된기판, 상가기판을관통하는관통홀, 상기관통홀은상기제 1 반도체층을관통하는제 1 홀, 및상기제 1 홀의바닥면으로부터상기절연층및 상기제 2 반도체층을관통하는제 2 홀을포함하고, 상기관통홀 내에배치되는에피층, 상기제 2 홀내에배치되어상기에피층의일면과접하는드레인전극, 및상기에피층의다른일면상에배치되는소스전극및 게이트전극을포함하는반도체소자를제공한다.
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