Abstract:
A surface-coated polymer actuators and a method of manufacturing the same are provided to prevent the solvent leaks out by the inner pressure generated by the solvent movement by the electrostimulation in the actuator operation by coating the metal electrode surface of the polymer actuators. The polymer driver comprises the metal electrode(20) formed at the ion conductive polymer layer(10), and both sides of the ion conductive polymer layer and the coating layer(30) formed on each metal electrode. The ion conductive polymer layer is made of the Nafion polymer film. The metal electrode is the platinum or the gold electrode. The coating layer is comprised of coating material having the elasticity and chemical resistance. The coating material is made of the polyurethanes or the silicon. The metal electrode is formed through the electroplating method.
Abstract:
본 발명은 나노 와이어 배열소자의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 나노와이어 배열소자 제조방법은, (a)기판 상에 나노 와이어가 포함된 나노 와이어 용액을 도포하는 단계; (b)상기 기판 상에 형성된 나노 와이어를 스트라이프 형태로 패터닝하고 기판을 노출시켜 상기 스트라이프 형태의 제 1 식각 영역을 형성하는 단계; (c)상기 패터닝된 나노 와이어를 사이에 두고 드레인 전극선과 소스 전극선을 평행하게 형성하는 단계; (d)일단은 상기 드레인 전극선에 연결되며 적어도 하나의 나노 와이어와 접촉하는 복수의 드레인 전극 및 일단은 상기 소스 전극선에 연결되며 상기 드레인 전극과 접촉하는 나노 와이어에 접촉하는 복수의 소스 전극을 형성하는 단계; (e)한 쌍의 상기 드레인 전극 및 소스 전극 쌍들이 전기적으로 접촉되지 않도록 상기 드레인 전극 및 소스 전극 쌍 사이에 제 2 식각 영역을 형성하는 단계; (f)상기 기판상에 절연층을 형성하는 단계; 및 (g)상기 절연층 상에 상기 나노 와이어와 접촉하는 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명에 의하면 나노 와이어를 전극선과 평행하게 정렬하지 못하더라도 대규모 나노와이어 배열 소자를 구현할 수 있으므로, 정렬시키기 힘든 나노 와이어를 이용한 집적소자 및 디스플레이에도 본 발명을 적용할 수 있다. 나아가 플렉서블(flexible) 기판을 응용한 소자 분야에도 본 발명을 적용할 수 있다. 나노 와이어, 트랜지스터 어레이, 선택적 식각, 선태적 패터닝
Abstract:
A heterojunction layer is provided to predict the bending direction of an electric field by forming a heterojunction layer capable of predicting a driving direction. A heterojunction layer(100) includes a first layer(110) including first nano particles of a first conductivity type and a second layer(120) including second nano particles of a second conductivity type wherein the first layer is bonded to the second layer. The aspect ratio of the first and second nano particles can be not less than 30. The first nano particles can be V2O5, and the second nano particles can be a carbon nano tube.
Abstract translation:提供异质结层以通过形成能够预测驱动方向的异质结层来预测电场的弯曲方向。 异质结层(100)包括第一层(110),其包括第一导电类型的第一纳米颗粒和包括第二导电类型的第二纳米颗粒的第二层(120),其中第一层结合到第二层。 第一和第二纳米颗粒的纵横比可以不小于30.第一纳米颗粒可以是V 2 O 5,第二纳米颗粒可以是碳纳米管。
Abstract:
An interdigitated electrode structure for an electronic device and an electronic device using the same are provided to simplify processes compared to a general electronic device having different electrodes in the upper and the lower part. An interdigitated electrode structure for an electronic device comprises a plurality of positive electrodes(32) and a plurality of negative electrodes(33). The positive electrodes and the negative electrodes are arranged in a radial direction and interdigitated to be electrically insulated from each other.
Abstract:
A method for producing a highly stable polymer actuator is provided to allow the use of a polymer actuator at a low temperature and even after treatment at an extremely high temperature. A method for producing a highly stable polymer actuator comprises: a step(S11) of preparing an ionic polymer/metal composite comprising metal electrodes plated on both surfaces of a conductive polymer membrane; a step(S12) of removing water from the conductive polymer membrane of the ionic polymer/metal composite; and a step(S13) of swelling the ionic polymer/metal composite in a polar solvent having a higher boiling point and a lower freezing point than water. The polar solvent includes propylene carbonate.
Abstract:
A method for fabricating a nano wire device using nano imprinting lithography is provided to reduce an interval of fabrication time of a nano wire device by forming a pattern only once. An insulation layer(20) is formed on a substrate(10). A nano wire solution including a nano wire(60) is deposited on the insulation layer wherein a plurality of nano wires and an organic solvent can be mixed in the nano wire solution. Photoresist is formed on the resultant structure. The photoresist is stamped by using a nano imprinting stamp having a pattern of a nano size. A metal layer for a metal electrode is deposited on the stamped photoresist. The photoresist remaining on the insulation layer is removed by a lift-off process.
Abstract:
본 발명은 근접장 광 기록(Near Field Recording; NFR) 방식으로 고밀도의 광 정보를 기록 및 재생하기 위한 광섬유 조명계, 광섬유 조명계의 제작 방법, 광섬유 조명계를 구비하는 광 기록 헤드, 및 광 기록 및 재생 장치에 관한 것이다. 광섬유 조명계는 광이 입사되는 코어 및 상기 코어를 둘러싸는 클래드로 이루어지며, 일측 종단에 경사면으로 이루어진 미러가 형성된 광섬유와, 상기 미러에 반사된 광을 집속하기 위해 상기 광섬유의 외측면에 형성된 렌즈를 포함한다. 광 조사 및 검출을 위한 광학적 구조가 종래보다 개선되어 광 입력 제어 및 제작이 용이하고, 어레이 형태로 배열이 용이하다. 상기 광섬유 조명계를 이용하여 광 기록 헤드 및 다중 개구탐침을 구비하는 어레이 형태의 광 기록 및 재생 장치를 구성하면 구조가 간단하고 부피가 적어 소형화가 가능하며, 잡음 대 신호비가 매우 높고 고밀도의 광 정보를 매우 빠른 속도로 기록 및 재생할 수 있다. 광섬유 조명계, 근접장, 개구탐침, 피에조 레지스트, 압전구동기
Abstract:
본 발명은 표면 형상 측정을 위한 Z 방향 구동기를 사용함에 있어서, 하나의 구동기로 표면 높이를 추종하는 역할과 켄티레버를 그 고유진동수로 가진하는 역할을 동시에 할 수 있는 비접촉식 측정 장치 및 주파수 응답 분리법을 이용한 비접촉식 표면 측정 방법을 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은, X축 및 Y축 방향으로 이동하는 샘플과 일정 거리를 유지하면서 상기 샘플의 표면 형상을 자신의 공진 주파수의 진폭의 변화를 통해 센싱하는 센싱부; 상기 센싱부를 통해 센싱된 신호를 주파수 형태의 제1신호로 변환하여 출력하는 주파수 변환부; 상기 제1신호와 주파수 발생부로부터 출력되는 제2신호를 합성하는 주파수 합성부-상기 제2신호는 상기 공진 주파수와 동일하며 상기 제1신호에 비해 고주파임; 및 상기 합성된 신호 중 상기 제1신호에 응답하여 상기 센싱수단을 Z축 방향으로 구동시키며, 상기 센싱수단이 상기 제2신호에 선택적으로 동작하도록 하기 위해 상기 센싱수단에 상기 합성된 신호를 제공하는 구동부를 포함하는 비접촉식 측정 장치를 제공한다. 또한, 본 발명은 주파수 응답 분리법을 이용한 비접촉식 표면 측정 방법을 제공한다.
Abstract:
본 발명에 따른 정보저장매체는 기판, 다수의 하부 전극선, 다수의 상부 전극선, 및 정보 기록층을 포함한다. 여기서, 다수의 하부 전극선은 기판 상에 서로 일정한 간격으로 평행하게 배열되며, 다수의 상부 전극선은 다수의 하부 전극선과 교차하며, 서로 일정한 간격으로 평행하게 배열된다. 정보 기록층은 하부 전극선과 상부 전극선 사이의 교차점에 셀을 형성하여 매트릭스 구조를 갖는 정보 기록층을 포함하며, 여기서 셀의 결정 상태는 상기 셀을 형성하는 상기 하부 전극선과 상기 상부 전극선에 인가되는 전압의 차이에 따라 비정질 상태 또는 결정 상태로 형성된다. 본 발명에 따른 정보저장매체에서는 상기 정보 기록층의 셀의 초기 상태가 결정(crystal) 상태 또는 비정질(amorphous) 상태이며, 전기적인 가열에 의해 상기 두 상태 중 하나에서 다른 하나로 변환된다. 상기 셀이 결정 상태일 경우와 비정질 상태일 경우의 입사 광에 대한 반사율이 상이하므로, 이러한 성질을 이용하여 상기 정보저장매체에 기록된 정보를 재생할 수 있다.
Abstract:
PURPOSE: A data storage media and an optical system using the data storage media are provided to record or regenerate data at or from the data storage media using a matrix type electric circuit mechanism. CONSTITUTION: The media comprises plural lower electrode lines(120), plural upper electrode lines(140), and a data record layer(130). The plural lower electrode lines(120) are equidistantly and in parallel arranged on a transistor. The plural upper electrode lines(140) are also equidistantly and in parallel arranged on a transistor while they cross the plural lower electrode lines(120). The data record layer(130) includes cells formed between the plural lower electrode lines(120) and plural upper electrode lines(140). The overall surface is covered with a silicon oxide film. The transistor actively controls the current amount supplied for the each cell.