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公开(公告)号：KR1020170053555A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：KR1020160067550
申请日：2016-05-31
Applicant: 한국전자통신연구원 , 순천대학교 산학협력단
IPC: H01B13/00 , H01B5/14 , H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/0236 , G06F3/041 , G02F1/1343
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명의실시예에따른투명전도성산화물박막의제조방법은, 제1 폴리머용액을준비하는단계와, 제2 폴리머용액을준비하는단계와, 상기제1 폴리머용액과상기제2 폴리머용액을혼합한제3 폴리머용액을형성하는단계와, 상기제3 폴리머용액을기판상에코팅하는단계와, 상기기판을건조시켜상기기판상에박막을형성하는단계, 및수소플라즈마처리공정을통해상기박막의표면처리를실시하는단계를포함할수 있다.
Abstract translation: 根据本发明的一个实施方式的透明导电氧化物薄膜的制造方法包括制备聚合物溶液的第一步骤，和第二，包括以下步骤：制备聚合物溶液，其特征在于，所述第一聚合物溶液中，两种聚合物溶液的第二混合物 通过干燥步骤的薄膜的表面上，所述衬底涂覆的阶段和所述第三聚合物溶液中以形成通过的工序的基板上的第三聚合物溶液中，并在基板上形成的薄膜的氢等离子体处理步骤 并执行一个过程。
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公开(公告)号：KR1020170049703A
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：KR1020150149610
申请日：2015-10-27
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본발명은고출력및 광송신서브어셈블리및 상기고출력및 광송신서브어셈블리를냉각하는방열부를포함하는고출력레이저모듈을구현하여 1W 이상의고출력에서도동작가능하며신뢰성이향상된다.
Abstract translation: 本发明实现了一种高输出激光模块，其包括用于冷却高输出和光传输子组件的高输出和光传输子组件和散热单元，使得其即使在1W或更高的高输出功率下也能够工作并且其可靠性得到改善。
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公开(公告)号：KR101191236B1
公开(公告)日：2012-10-16
申请号：KR1020080131058
申请日：2008-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04B10/00 , H04B10/2581
CPC classification number: H01S5/4062 , H01S5/0268 , H01S5/0612 , H01S5/0687 , H01S5/141 , H01S5/4087
Abstract: 다파장 레이저 다이오드는, 제1 광 증폭기들, 제2 광 증폭기, 파장 선택기, 및 광 검출기를 포함한다. 제1 광 증폭기들은, 제1 내지 제n(상기 n은 2 이상의 자연수) 파장 신호를 각각 발생하고 증폭한다. 제2 광 증폭기는 모니터 파장 신호를 발생하고 증폭한다. 파장 선택기는, 상기 증폭된 제1 내지 제n 파장 신호와 상기 증폭된 모니터 파장 신호를 선택하여 출력한다. 광 검출기는 파장 선택기로부터 출력되는 모니터 파장 신호의 반사 파장 신호를 검출한다.
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公开(公告)号：KR1020120067629A
公开(公告)日：2012-06-26
申请号：KR1020100129150
申请日：2010-12-16
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G01J3/42 , H04B10/40 , H04B10/503 , H04B10/506
Abstract: PURPOSE: A terahertz wave trans-receiving module, and an apparatus including thereof are provided to effectively applying the voltage for improving the heat radiation efficiency. CONSTITUTION: A terahertz wave trans-receiving module comprises the following: a photo mixer chip(10) including an active layer(14), antennas, and electrode pads; a lens(20) located on the upper side of the photo mixer chip; a circuit board(30) including solder balls(34) connected to the electrode pads under the photo mixer chip facing the lens; and a package surrounding the lower surface and the side surface of the circuit board, and emitting heat generated from the active layer to outside.
Abstract translation: 目的：提供太赫兹波反式接收模块及其装置，以有效地施加电压以提高散热效率。 构成：太赫兹波反式接收模块包括：包括有源层（14），天线和电极焊盘的光混合器芯片（10） 位于所述光混合器芯片的上侧的透镜（20）; 电路板（30），包括连接到面向所述透镜的所述光混合器芯片下方的所述电极焊盘的焊球（34） 以及围绕电路板的下表面和侧表面的封装，并且将从有源层产生的热量发射到外部。
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公开(公告)号：KR1020110069538A
公开(公告)日：2011-06-23
申请号：KR1020090126310
申请日：2009-12-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/10
CPC classification number: H01S5/1003 , B82Y20/00 , H01S1/02 , H01S5/02461 , H01S5/0261 , H01S5/028 , H01S5/0612 , H01S5/1092 , H01S5/125 , H01S5/3434
Abstract: PURPOSE: A laser device is provided to minimize output intensity difference between first and second laser light sources, by changing a gain curve of an active layer. CONSTITUTION: A 1×2 distributor is arranged on a substrate. The 1x2 distributor includes a stem core, a first branch core and a second branch core. An active layer(110) is connected to the stem core. The active layer generates a light source with plural wavelength. The active layer provides gain. A first diffraction grating(125a) is coupled to the first branch core. A second diffraction grating is coupled to the second branch core. An active layer-micro heater(140a) supplies heat to the active layer. A first and a second micro heater(145a,145b) supply heat to the first and the second diffraction grating respectively.
Abstract translation: 目的：通过改变活性层的增益曲线，提供激光装置以最小化第一和第二激光光源之间的输出强度差异。 构成：1×2分配器布置在基板上。 1x2分配器包括杆芯，第一分支芯和第二分支芯。 活性层（110）连接到茎芯。 有源层产生具有多个波长的光源。 有源层提供增益。 第一衍射光栅（125a）耦合到第一分支芯。 第二衍射光栅耦合到第二分支芯。 有源层 - 微加热器（140a）向活性层提供热量。 第一和第二微加热器（145a，145b）分别向第一和第二衍射光栅供应热量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020110069453A
公开(公告)日：2011-06-23
申请号：KR1020090126196
申请日：2009-12-17
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G02F1/3534 , G02F2203/13 , G02F2203/70 , H01S5/0092 , H01S5/02248 , H01S5/06216 , H01S5/50
Abstract: PURPOSE: A photo mixer module and terahertz wave generating method thereof are provided to increase the strength of exciting light for generating a terahertz wave, thereby increasing the stability of the photo mixer. CONSTITUTION: A semiconductor optical amplifier(110) amplifies incident laser light. The semiconductor optical amplifier includes a gain waveguide(112) and an electrode(114) for amplifying incident excitation light. A photo mixer(120) generates a consecutive terahertz wave by exciting the amplified laser light. The photo mixer comprises electrodes(126,127) for providing bias to antennas(124,125). The photo mixer is formed of the same module as the semiconductor optical amplifier.
Abstract translation: 目的：提供一种光混合器模块和太赫兹波发生方法，以增加产生太赫兹波的激发光的强度，从而提高光混合器的稳定性。 构成：半导体光放大器（110）放大入射激光。 半导体光放大器包括用于放大入射激发光的增益波导（112）和电极（114）。 光混合器（120）通过激发放大的激光来产生连续的太赫兹波。 光混合器包括用于向天线（124,125）提供偏置的电极（126,127）。 光混合器由与半导体光放大器相同的模块形成。
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公开(公告)号：KR100927657B1
公开(公告)日：2009-11-20
申请号：KR1020070128861
申请日：2007-12-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/293
CPC classification number: G02B6/12016 , G02B6/12011 , G02B6/132
Abstract: Provided is a photonics device. The photonics device includes: a substrate including a star coupler region and a transition region; a lower core layer formed on the substrate; and upper core patterns formed on the substrate to define a waveguide. The upper core patterns are disposed on the lower core layer at the transition region, so that the transition region has a multi-layered core structure.
Abstract translation: 提供的是一种光子器件。 该光子器件包括：包括星形耦合器区域和过渡区域的衬底; 形成在所述衬底上的下芯层; 以及形成在基板上以限定波导的上部芯图案。 上芯图案在过渡区处设置在下芯层上，使得过渡区具有多层芯结构。
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公开(公告)号：KR100825723B1
公开(公告)日：2008-04-29
申请号：KR1020060071657
申请日：2006-07-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/00
CPC classification number: G02F1/025 , G02F2203/50 , G11C13/04
Abstract: 광소자의 동적특성을 저하시키지 않고 위상변화와 전파손실을 증대시킬 수 있는 에지 효과를 용이하게 구현하는 광소자를 제공한다. 그 광소자는 제1의 도전형의 불순물로 도핑되고 상부에 리세스된 홈이 형성된 제1 반도체층 상의 일부를 덮는 게이트절연막 및 게이트절연막의 상부면을 덮고 제1 도전형과 반대되는 제2 도전형으로 도핑된 제2 반도체층을 구비한다
광소자, 위상변화, 전파손실, 에지효과-
公开(公告)号：KR1020080010939A
公开(公告)日：2008-01-31
申请号：KR1020060071657
申请日：2006-07-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/00
CPC classification number: G02F1/025 , G02F2203/50 , G11C13/04
Abstract: An optical device including a gate insulator with an edge effect is provided to improve a change of a refractive index or an optical attenuation effect without deterioration of a dynamic characteristic by increasing an optical confinement factor of a charged layer near a gate insulating film. An optical device including a gate insulator with an edge effect includes a semiconductor substrate(102), an insulator(104), a first semiconductor layer, a gate insulating film(150), and a second semiconductor layer. The insulator is arranged on the semiconductor substrate. The first semiconductor layer is doped with a first conductive impurity arranged on the insulator and has a recessed groove(152) on a top part thereof. The gate insulating film covers the groove and a part of the first semiconductor layer. The second semiconductor layer covers the gate insulating film and is doped with a second conductive impurity opposite to the first conductive impurity.
Abstract translation: 提供包括具有边缘效应的栅极绝缘体的光学器件，以通过增加栅极绝缘膜附近的带电层的光学限制因子来改善折射率或光学衰减效果的变化而不会使动态特性变差。 包括具有边缘效应的栅极绝缘体的光学器件包括半导体衬底（102），绝缘体（104），第一半导体层，栅极绝缘膜（150）和第二半导体层。 绝缘子布置在半导体衬底上。 第一半导体层掺杂有布置在绝缘体上的第一导电杂质，并且在其顶部上具有凹槽（152）。 栅极绝缘膜覆盖沟槽和第一半导体层的一部分。 第二半导体层覆盖栅极绝缘膜，并掺杂有与第一导电杂质相反的第二导电杂质。
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公开(公告)号：KR1020070044678A
公开(公告)日：2007-04-30
申请号：KR1020050100872
申请日：2005-10-25
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01S5/065 , H01S5/0625 , H01S5/0657 , H01S5/1039 , H01S5/1203
Abstract: 포화흡수체와 같은 비선형 영역이 없는 다영역 레이저 다이오드에서 수동 모드 잠김을 이용한 광 펄스 생성 방법을 제공한다. 그 레이저 다이오드는 리플렉터(reflector) 역할을 하는 DFB(distributed feedback) 영역; 및 상기 DFB 영역에 연결되고 끝단에 절단면(as-cleaved facet)이 형성된 이득 영역(gain region)을 포함한다. 본 발명에 의한 레이저 다이오드는 DFB 영역에 문턱 전류 이하의 전류를 인가하여 리플렉터로 작동시킬 경우 수동 모드 잠김이 원활히 발생하여, 포화 흡수체와 같은 영역이 불필요하여 제작이 간편하고, 포화 흡수체를 사용하는 경우에 비해 주파수의 가변 영역을 확대할 수 있다.
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