公开(公告)号：DE102018200190B4

公开(公告)日：2019-08-14

申请号：DE102018200190

申请日：2018-01-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KLEIN WOLFGANG

IPC: B81B7/02 ,  B81B3/00 ,  H04R19/02 ,  H04R19/04

Abstract: Ein mikroelektromechanisches System umfasst ein Gehäuse mit einer Zugangsöffnung und eine Schallwandlerstruktur mit einer Membran und einer Rückplattenstruktur, wobei die Schallwandlerstruktur mit der Zugangsöffnung gekoppelt ist. Das mikroelektromechanische System umfasst eine Filterstruktur, die zwischen der Zugangsöffnung und der Schallwandlerstruktur angeordnet ist, und die ein Filtermaterial und zumindest ein Vorspannungselement aufweist, das mechanisch mit dem Filtermaterial verbunden ist, wobei das zumindest eine Vorspannungselement ausgebildet ist, um eine mechanische Spannung in dem Filtermaterial zu erzeugen, um eine Biegeverformung der Filterstruktur in eine Richtung weg von der Rückplattenstruktur bereitzustellen.

公开(公告)号：DE102011084014B4

公开(公告)日：2019-05-29

申请号：DE102011084014

申请日：2011-10-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： AHRENS CARSTEN ,  GLAS ALEXANDER ,  HOFMANN RENATE ,  KLEIN WOLFGANG

IPC: H01L21/822 ,  B81B1/00 ,  B81C1/00 ,  H01F27/255 ,  H01L23/66 ,  H01L27/08

Abstract: Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements, wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist:Bilden einer ersten Induktorspule (120) in und/oder über einem Substrat (100), wobei die erste Induktorspule (120) benachbart zu einer oberen Seite des Substrats (100) gebildet wird,Bilden von ersten Gräben (160) in dem Substrat (100) benachbart zu der ersten Induktorspule (120),Füllen der ersten Gräben (160) zumindest teilweise mit einem magnetischen Füllmaterial (170),anschließend, Ausdünnen zumindest eines ersten Abschnitts des Substrats (100) unter der ersten Induktorspule (120), undanschließend, Bilden einer rückseitigen Magnetschicht (180) unter dem ersten Abschnitt des Substrats (100), wobei die rückseitige Magnetschicht (180) und das magnetische Füllmaterial (170) zumindest einen Teil eines Magnetkernbereichs der ersten Induktorspule (120) bilden,so dass ein Halbleiterbauelement gebildet wird.

公开(公告)号：DE102017209495A1

公开(公告)日：2018-12-06

申请号：DE102017209495

申请日：2017-06-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KLEIN WOLFGANG

IPC: B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  H04R1/00

Abstract: Ein MEMS-Schallwandler umfasst eine Rückplatte und eine Membran, die von einer Randbefestigung so gehalten ist, dass die Membran entlang einer Auslenkrichtung hin zu der Rückplatte auslenkbar ist. Der MEMS-Schallwandler umfasst ein Erhöhungselement, das zwischen der Membran und der Rückplatte angeordnet ist und entlang der Auslenkrichtung eine erste Höhe aufweist. Der MEMS-Schallwandler umfasst eine Stützstruktur und ein Abstandselement, das zwischen der Membran und der Stützstruktur angeordnet ist, und entlang der Auslenkrichtung eine zweite Höhe aufweist, die größer ist als die erste Höhe. Die Stützstruktur ist die Rückplatte selbst oder ist ein Stützelement, das gegenüberliegend der Rückplatte angeordnet ist, so dass die Membran zwischen der Rückplatte und dem Stützelement angeordnet ist.

公开(公告)号：DE102017103719A1

公开(公告)日：2017-08-31

申请号：DE102017103719

申请日：2017-02-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BARZEN STEFAN ,  DEHE ALFONS ,  FRIZA WOLFGANG ,  KLEIN WOLFGANG ,  KRUMBEIN ULRICH

IPC: B81B7/02 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H04R1/00

Abstract: Eine mikroelektromechanische Vorrichtung kann Folgendes umfassen: einen Halbleiterträger; ein mikroelektromechanisches Element, welches in einer vom Halbleiterträger entfernten Position angeordnet ist; wobei das mikroelektromechanische Element ausgelegt ist, um ein elektrisches Signal in Reaktion auf ein mechanisches Signal zu erzeugen oder zu modifizieren, und/oder ausgelegt ist, um ein mechanisches Signal in Reaktion auf ein elektrisches Signal zu erzeugen oder zu modifizieren; wenigstens ein Kontaktpad, welches mit dem mikroelektromechanischen Element elektrisch verbunden ist, um das elektrische Signal zwischen dem Kontaktpad und dem mikroelektromechanischen Element zu übertragen; und eine Verbindungsstruktur, welche sich vom Halbleiterträger zum mikroelektromechanischen Element erstreckt und das mikroelektromechanische Element mechanisch mit dem Halbleiterträger koppelt.

公开(公告)号：DE102006003379B4

公开(公告)日：2011-02-24

申请号：DE102006003379

申请日：2006-01-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KLEIN WOLFGANG ,  KEBINGER HERBERT

IPC: H03H7/01

公开(公告)号：DE50202496D1

公开(公告)日：2005-04-21

申请号：DE50202496

申请日：2002-07-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BERTHOLD ADRIAN ,  BOECK JOSEF ,  KLEIN WOLFGANG ,  HOLZ JUERGEN

IPC: H01L21/8249 ,  H01L27/06

Abstract: The present invention provides a method for parallel production of an MOS transistor in an MOS area of a substrate and a bipolar transistor in a bipolar area of the substrate. The method comprises generating an MOS preparation structure in the MOS area, wherein the MOS preparation structure comprises an area provided for a channel, a gate dielectric, a gate electrode layer and a mask layer on the gate electrode layer. Further, a bipolar preparation structure is generated in the bipolar area, which comprises a conductive layer and a mask layer on the conductive layer. The mask layer is thinned in the area of the gate electrode. For determining a gate electrode and a base terminal area, common structuring of the gate electrode layer and the conductive layer is performed.