公开(公告)号：DE112017008337T5

公开(公告)日：2020-09-10

申请号：DE112017008337

申请日：2017-12-30

Applicant: INTEL CORP

Inventor： DOGIAMIS GEORGIOS C ,  OSTER SASHA N ,  KAMGAING TELESPHOR ,  SHOEMAKER KENNETH ,  EWY ERICH N ,  ELSHERBINI ADEL A ,  SWAN JOHANNA M

IPC: H01P3/16 ,  H01P3/13

Abstract: Ausführungsformen umfassen ein Hohlleiterbündel, einen dielektrischen Hohlleiter und ein Fahrzeug. Das Hohlleiterbündel umfasst dielektrische Hohlleiter, wobei jeder dielektrische Hohlleiter einen Dielektrikumskern und eine leitfähige Beschichtung um den Dielektrikumskern herum aufweist. Das Hohlleiterbündel weist außerdem eine Leistungsabgabeschicht, die um den dielektrischen Hohlleiter herum gebildet ist, und einen isolierenden Mantel, der das Hohlleiterbündel umschließt, auf. Das Hohlleiterbündel kann auch die Leistungsabgabeschicht als einen geflochtenen Schirm umfassen, wobei der geflochtene Schirm mindestens eines aus einer DC- und einer AC-Energieleitung bereitstellt. Das Hohlleiterbündel kann ferner einen der dielektrischen Hohlleiter umfassen, der eine DC-Erdung über ihre leitfähigen Beschichtungen bereitstellt, wobei die AC-Energieleitung den geflochtenen Schirm nicht als Referenz oder Erdung verwendet. Das Hohlleiterbündel kann umfassen, dass die Leistungsabgabeschicht von den dielektrischen Hohlleitern durch einen geflochtenen Schirm getrennt ist, wobei die Leistungsabgabeschicht eine geflochtene Leistungsabgabefolie ist.

公开(公告)号：DE102018129885A1

公开(公告)日：2019-07-04

申请号：DE102018129885

申请日：2018-11-27

Applicant: INTEL CORP

Inventor： KAMGAING TELESPHOR ,  ELSHERBINI ADEL ,  DOGIAMIS GEORGIOS ,  OSTER SASHA

IPC: H01P5/107

Abstract: Ausführungsbeispiele umfassen Wellenleiterankoppler und -verbinder (WLC; Waveguide Connector), und ein Verfahren zum Bilden eines WLC. Der WLC umfasst einen Wellenleiterverbinder mit einem Wellenleiterankoppler, einer Verjüngung und einem Schlitzleitung-Signalwandler; und eine Balunstruktur auf dem Schlitzleitung-Signalwandler, wobei die Verjüngung auf dem Schlitzleitung-Signalwandler und einem Anschlussende des Wellenleiterverbinders angeordnet ist, um einen Kanal und einen verjüngten Schlitz zu bilden. Der WLC kann den Wellenleiterverbinder auf dem Gehäuse angeordnet und einen Wellenleiter, der mit dem Wellenleiterverbinder gekoppelt ist, umfassen. Der WLC kann Zusammensetzungs-Anschlussflächen und Außenwände des Wellenleiterverbinders umfassen, die elektrisch mit dem Gehäuse gekoppelt sind. Der WLC kann die Balunstruktur ein Signal in ein Schlitzleitungssignal umwandeln lassen, und der Wellenleiterankoppler wandelt das Schlitzleitungssignal in ein geschlossenes Wellenleiter-Modus-Signal um, und emittiert das geschlossene Signal entlang des Kanals und breitet das geschlossene Signal entlang des Verjüngungsschlitzes zu dem Wellenleiter, der mit dem Wellenleiterverbinder gekoppelt ist, aus.

公开(公告)号：DE112015007202T5

公开(公告)日：2018-09-06

申请号：DE112015007202

申请日：2015-12-21

Applicant: INTEL CORP

Inventor： NAIR VIJAY K ,  OSTER SASHA N ,  ELSHERBINI ADEL A ,  KAMGAING TELESPHOR ,  EID FERAS

IPC: H05K1/02 ,  H05K1/18 ,  H05K3/46

Abstract: Ausführungsformen der Erfindung weisen eine Wellenleiterstruktur auf, die ein unteres Element, mindestens ein mit dem unteren Element gekoppeltes Seitenwandelement und ein oberes Element aufweist. Das untere Element, das mindestens eine Seitenwandelement und das obere Element weisen mindestens eine leitende Schicht zum Ausbilden eines Hohlraums in einem Substrat auf, um Datenübertragungen zwischen Vorrichtungen zu ermöglichen, die mit dem Substrat gekoppelt oder an diesem angebracht sind.

公开(公告)号：DE102014116416A1

公开(公告)日：2015-06-11

申请号：DE102014116416

申请日：2014-11-11

Applicant: INTEL CORP

Inventor： OSTER SASHA ,  SANKMAN ROBERT L ,  GEALER CHARLES ,  KARHADE OMKAR ,  GUZEK JOHN S ,  MAHAJAN RAVI V ,  MATAYABAS JR JAMES C ,  SWAN JOHANNA ,  EID FERAS ,  LIFF SHAWNA ,  MCINTOSH TIMOTHY ,  KAMGAING TELESPHOR ,  ELSHERBINI ADEL ,  AYGUN KEMAL

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/50 ,  H01L23/18 ,  H01L23/29 ,  H01L23/50

Abstract: Diese Offenlegung bezieht sich auf Geräte, Systeme und Verfahren zur Fertigung einer flexiblen mikroelektronischen Baugruppe. In einem Beispiel wird ein Polymer über eine mikroelektronische Komponente geformt, die Polymerform nimmt nach dem Formen einen im Wesentlichen starren Zustand an. Eine Leitschicht mit Bezug auf die mikroelektronische Komponente und die Polymerform wird gebildet, wobei die Leitschicht Spuren enthält, die elektrisch mit der mikroelektronischen Komponenten verkoppelt sind. Eine Einwirkung wird auf die Polymerform aufgetragen, woraufhin sich die Polymerform vom grundsätzlich starren Zustand zu einem grundsätzlich flexiblen Zustand wandelt.

公开(公告)号：DE102022112392A1

公开(公告)日：2022-12-22

申请号：DE102022112392

申请日：2022-05-17

Applicant: INTEL CORP

Inventor： KAMGAING TELESPHOR ,  STRONG VERONICA ,  PRABHU GAUNKAR NEELAM ,  ALEKSOV ALEKSANDAR ,  DOGIAMIS GEORGIOS C ,  TANAKA HIROKI

IPC: H01G4/33 ,  H01L21/60 ,  H01L23/15 ,  H01L23/48 ,  H01L25/00 ,  H01L49/02

Abstract: Die hier beschriebenen Ausführungsformen können sich auf Vorrichtungen, Verfahren und Techniken zur Herstellung von Kondensatoren an der Schnittstelle eines Glassubstrats beziehen. Bei diesen Kondensatoren kann es sich um dreidimensionale (3-D) Kondensatoren handeln, die mit Hilfe von Gräben innerhalb des Glaskerns des Substrats durch lasergestützte Ätztechniken hergestellt werden. Eine erste Elektrode kann auf dem Glas gebildet sein, einschließlich auf der Oberfläche von Gräben oder anderen in das Glas geätzten Merkmalen, gefolgt von einer Abscheidung eines dielektrischen Materials oder eines kapazitiven Materials. Anschließend kann eine zweite Elektrode auf dem dielektrischen Material gebildet werden. Andere Ausführungsbeispiele können beschrieben und/oder beansprucht sein.

公开(公告)号：DE102020129974A1

公开(公告)日：2021-12-09

申请号：DE102020129974

申请日：2020-11-13

Applicant: INTEL CORP

Inventor： BRAUNISCH HENNING ,  DOGIAMIS GEORGIOS ,  CORREAS-SERRANO DIEGO ,  PRABHU GAUNKAR NEELAM ,  KAMGAING TELESPHOR ,  LEVY COOPER S ,  THAKKAR CHINTAN S ,  PELLERANO STEFANO

IPC: H04B3/32 ,  G06F17/14 ,  H04L25/03

Abstract: Ausführungsformen können sich auf ein Basisbandmodul mit Kommunikationspfaden für ein erstes Datensignal und ein zweites Datensignal beziehen. Das Basisbandmodul kann auch ein finites Impulsantwort (Finite Impulse Response, FIR)-Filter in einem Kommunikationspfad zwischen dem ersten Signaleingang und dem zweiten Signalausgang beinhalten. Andere Ausführungsformen können beschrieben oder beansprucht werden.

公开(公告)号：DE112016007577T5

公开(公告)日：2019-10-17

申请号：DE112016007577

申请日：2016-12-30

Applicant: INTEL CORP

Inventor： NAIR VIYAY K ,  OSTER SASHA N ,  SWAN JOHANNA M ,  KAMGAING TELESPHOR ,  DOGIAMIS GEORGIOS C ,  ELSHERBINI ADEL A

IPC: H01L23/66 ,  H01L23/522

Abstract: Wellenleiter, die entweder in einer Interposer-Schicht oder direkt im Halbleitergehäusesubstrat angeordnet sind, können zur Signalübertragung zwischen mit dem Halbleitergehäuse gekoppelten Halbleiter-Dies verwendet werden. Zum Beispiel zur Kommunikation zwischen Halbleiter-Dies unter Verwendung von mm-Wellen-Trägersignalen, die in Wellenleiter angekoppelt werden, die spezielle abgestimmt sind, um Übertragungsparameter von derartigen Signalen zu optimieren. Die Verwendung von derart hohen Frequenzen stellt nutzbringend eine zuverlässige Übertragung von modulierten Signalen mit einer hohen Datenrate mit niedrigeren Verlusten im Vergleich zu leitfähigen Spuren und weniger Nebensprechen bereit. Die Verwendung von mm-Wellen-Wellenleitern stellt höhere Datenübertragungsraten pro Bump für bumpbegrenzte Dies bereit, sowie vorteilhafterweise eine verbesserte Signalintegrität selbst bei derartigen höheren Datenübertragungsraten. Derartige mm-Wellen-Wellenleiter können direkt in Halbleitergehäuseschichten eingebaut sein oder sie können in einer oder mehreren zwischengeordneten Schichten integriert sein, die zwischen den Halbleiter-Dies und dem Halbleitergehäusesubstrat physisch und kommunizierbar gekoppelt sind.

公开(公告)号：DE112017006740T5

公开(公告)日：2019-09-26

申请号：DE112017006740

申请日：2017-01-05

Applicant: INTEL CORP

Inventor： DOGIAMIS GEORGIOS ,  OSTER SASHA ,  KAMGAING TELESPHOR

IPC: H01P5/08 ,  G06F15/16 ,  H01P3/16

Abstract: Ausführungsbeispiele der Erfindung umfassen eine aktive mm-Wellen-Verbindung. Bei einem Ausführungsbeispiel umfasst die aktive mm-Wellen-Verbindung einen dielektrischen Wellenleiter, der mit einem ersten Verbinder und einem zweiten Verbinder gekoppelt ist. Gemäß einem Ausführungsbeispiel kann jeder des ersten und zweiten Verbinders eine mm-Wellen-Funktionseinheit umfassen. Bei einem Ausführungsbeispiel können die mm-Wellen-Funktionseinheiten einen Leistungsverwaltungs-Die, einen Modulator-Die, einen Demodulator-Die, einen mm-Wellen-Sender-Die und einen mm-Wellen-Empfänger-Die umfassen. Zusätzliche Ausführungsbeispiele können Verbinder umfassen, die eine Schnittstelle mit vordefinierten Schnittstellen bilden, wie beispielsweise Small Form-Factor Pluggables (SFP), Quad Small Form-Factor Pluggables (QSFP), oder Octal Small Form-Factor Pluggables (OSFP) sind. Dementsprechend ermöglichen Ausführungsbeispiele der Erfindung eine Plug-and-Play-Funktionalität mit bestehenden Servern und anderen High-Performance-Rechensystemen.

公开(公告)号：DE112017006499T5

公开(公告)日：2019-09-26

申请号：DE112017006499

申请日：2017-11-22

Applicant: INTEL CORP

Inventor： DOGIAMIS GEORGIOS C ,  KAMGAING TELESPHOR ,  COHEN EMANUEL ,  OSTER SASHA N

IPC: H04B10/2575 ,  H04B3/52 ,  H04B10/2507

Abstract: Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung können einen Sendeempfänger zum gleichzeitigen Senden und Empfangen von Hochfrequenz- (HF) Signalen über einen dielektrischen Wellenleiter betreffen. In Ausführungsformen kann der Sendeempfänger einen Sender zum Senden eines kanalisierten Hochfrequenz- (HF) Sendesignals über einen dielektrischen Wellenleiter an einen gepaarten Sendeempfänger aufweisen. Ein Empfänger kann von dem gepaarten Sendeempfänger ein kanalisiertes HF-Empfangssignal über den dielektrischen Wellenleiter empfangen. In Ausführungsformen kann das kanalisierte HF-Empfangssignal ein Echo des kanalisierten HF-Sendesignals aufweisen. Der Sendeempfänger kann ferner eine Echounterdrückungsschaltung aufweisen, um von dem kanalisierten HF-Empfangssignal das Echo des kanalisierten HF-Sendesignals zu unterdrücken. In einigen Ausführungsformen können das kanalisierte HF-Sendesignal und das kanalisierte HF-Empfangssignal in einem Frequenzbereich von ungefähr 30 Gigahertz (GHz) bis ungefähr 1 Terahertz (THz) liegen, und der Sendeempfänger kann eine Vollduplex-Millimeterwellen-Kommunikation bereitstellen.

公开(公告)号：DE112015006969T5

公开(公告)日：2018-11-08

申请号：DE112015006969

申请日：2015-09-25

Applicant: INTEL CORP

Inventor： ELSHERBINI ADEL A ,  KAMGAING TELESPHOR ,  OSTER SASHA N ,  RAWLINGS BRANDON M ,  DOGIAMIS GEORGIOS C

IPC: H04B1/00 ,  G06F13/14

Abstract: Die Kommunikation zwischen IC-Baugruppen unter Verwendung einer drahtlosen Millimeterwellen-Funk-Fabric ist beschrieben. In einem Beispiel weist eine erste Baugruppe einen Funksendeempfänger zum Kommunizieren mit einem Funksendeempfänger einer zweiten Baugruppe auf. Die zweite Baugruppe weist einen Funksendeempfänger zum Kommunizieren mit dem Funksendeempfänger der ersten Baugruppe auf. Ein Switch kommuniziert mit der ersten Baugruppe und der zweiten Baugruppe, um eine Verbindung über die jeweiligen Funksendeempfänger zwischen der ersten Baugruppe und der zweiten Baugruppe herzustellen. Eine Systemplatine trägt die erste Baugruppe, die zweite Baugruppe und den Switch.