NULL-FEHLAUSRICHTUNGS-ZWEI-VIA-STRUKTUREN, VERWENDEND EIN PHOTOBILDBARES DIELEKTRIKUM, EINEN AUFBAUFILM UND ELEKTROLYTISCHES PLATTIEREN

    公开(公告)号:DE112017008339T5

    公开(公告)日:2020-09-10

    申请号:DE112017008339

    申请日:2017-12-30

    Applicant: INTEL CORP

    Abstract: Ein Bauelement-Package und ein Verfahren zum Bilden eines Bauelement-Package sind beschrieben. Das Bauelement-Package umfasst ein Dielektrikum auf einer leitfähigen Anschlussfläche und ein erstes Via auf einem ersten Keim auf einer oberen Oberfläche der leitfähigen Anschlussfläche. Das Bauelement-Package umfasst ferner eine leitfähige Leiterbahn auf dem Dielektrikum und ein zweites Via auf einer zweiten Keimschicht auf dem Dielektrikum. Die leitfähige Leiterbahn ist mit dem ersten Via und dem zweiten Via verbunden, wobei das zweite Via mit einem Rand der leitfähigen Leiterbahn gegenüber dem ersten Via verbunden ist. Das Dielektrikum kann ein photoabbildbares Dielektrikum oder einen Aufbaufilm umfassen. Das Bauelement-Package kann auch einen Keim auf dem Dielektrikum umfassen, vor der leitfähigen Leiterbahn auf dem Dielektrikum, und ein zweites Dielektrikum auf dem Dielektrikum, die leitfähige Leiterbahn, und das erste und zweite Via, wobei das zweite Dielektrikum eine obere Oberfläche des zweiten Vias freilegt.

    "> PACKAGING-ARCHITEKTUR MIT KOMPENSATIONSSCHICHTEN FÜR

    公开(公告)号:DE102023134683A1

    公开(公告)日:2025-01-02

    申请号:DE102023134683

    申请日:2023-12-11

    Applicant: INTEL CORP

    Abstract: Mikroelektronische Anordnungen, zugehörige Bauelemente und Verfahren sind hierin offenbart. Bei einigen Ausführungsbeispielen kann eine mikroelektronische Anordnung eine erste Schicht mit einem ersten Die mit einem ersten Kontakt; einen zweiten Die mit einem zweiten Kontakt; und eine Anschlussfläche-Schicht auf dem ersten und dem zweiten Die mit einer ersten Anschlussfläche und einer zweiten Anschlussfläche umfassen, wobei die erste Anschlussfläche mit dem ersten Kontakt gekoppelt und in einer ersten Richtung von diesem versetzt ist und die zweite Anschlussfläche mit dem zweiten Kontakt gekoppelt und in einer zweiten, von der ersten Richtung verschiedenen Richtung von diesem versetzt ist; und eine zweite Schicht, die einen dritten Die mit dritten und vierten Kontakten umfasst, wobei die erste Schicht mit der zweiten Schicht durch Metall-zu-Metall-Bonds und Fusionsbonds gekoppelt ist, der erste Kontakt mit dem dritten Kontakt durch die erste Anschlussfläche gekoppelt ist und der zweite Kontakt mit dem vierten Kontakt durch die zweite Anschlussfläche gekoppelt ist.

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