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公开(公告)号：WO2018011279A1
公开(公告)日：2018-01-18
申请号：PCT/EP2017/067575
申请日：2017-07-12
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： GERHARD, Sven , EICHLER, Christoph , LELL, Alfred , STOJETZ, Bernhard
CPC classification number: H01S5/1014 , H01S5/1017 , H01S5/22 , H01S5/32341 , H01S2301/166 , H01S2301/18
Abstract: Es wird eine Halbleiterlaserdiode mit einer Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Schicht (3) angegeben, die eine Haupterstreckungsebene aufweist und die dazu eingerichtet ist, im Betrieb in einem aktiven Bereich (5) Licht (8) zu erzeugen und über eine Lichtauskoppelfläche (6) abzustrahlen, wobei sich der aktive Bereich (5) von einer der Lichtauskoppelfläche (6) gegenüberliegenden Rückseitenfläche (7) zur Lichtauskoppelfläche (6) entlang einer longitudinalen Richtung (93) in der Haupterstreckungsebene erstreckt und wobei die Halbleiterschichtenfolge (2) eine Grabenstruktur (10) mit zumindest einem Graben (11, 12) oder einer Mehrzahl von Gräben (11, 12) zumindest auf einer Seite lateral neben dem aktiven Bereich (5) aufweist, wobei sich jeder Graben (11, 12) der Grabenstruktur (10) in longitudinaler Richtung (93) erstreckt und von einer Oberseite (20) der Halbleiterschichtenfolge (2) her in einer vertikalen Richtung (92) in die Halbleiterschichtenfolge (2) hineinragt und wobei die Grabenstruktur (10) in lateraler und/oder vertikaler und/oder longitudinaler Richtung (91, 92, 93) in Bezug auf Eigenschaften des zumindest einen Grabens (11, 12) oder der Mehrzahl von Gräben (11, 12) variiert.
Abstract translation:
本发明提供一种半导体激光二极管的半导体层序列（2）与活性层（3）具有主平面，并且适于（5）的光（8）在有源区中操作期间 以生成和导航用途辐射表面（6），其中所述有源区（5）Lichtauskoppelfl BEAR之一;经由Lichtauskoppelfl＆AUML表面（6）对导航用途berliegendenř导航用途ckseitenfl BEAR表面（7），用于Lichtauskoppelfl＆AUML;枝（6） 沿主延伸平面的纵向方向（93）延伸，并且其中所述半导体层序列（2）的严重结构（10），具有至少一个沟槽（11，12）或多个GR＆AUML;至少在一侧贲（11，12）横向相邻 具有在纵向方向（93）的严重结构（10）的有源区（5），其中，每个沟槽（11，12）和从该半导体层序列的顶部侧（20）（2）在垂直方向（92）来回 突出半导体层序列（2），并且其中相对于所述严重结构（10）在横向和/或垂直和/或纵向方向（91，92，93）到所述至少一个沟槽（11，12）或所述多个GR＆AUML的身份; 本（11,12）各不相同。
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公开(公告)号：WO2017144613A1
公开(公告)日：2017-08-31
申请号：PCT/EP2017/054232
申请日：2017-02-23
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： LOEFFLER, Andreas , VIERHEILIG, Clemens , GERHARD, Sven
IPC: H01S5/40
CPC classification number: H01S5/4031 , H01S5/22 , H01S5/2219 , H01S5/2275 , H01S5/32341 , H01S2304/12
Abstract: Die Erfindung betrifft einen Laserbarren (1) mit einer Halbleiterschicht (11) mit mehreren Schichten und mit einer aktiven Zone (15), wobei die aktive Zone (15) in einer x-y-Ebene angeordnet ist, wobei Laserdioden (12) jeweils in einer x-Richtung zwischen zwei Endflächen einen Modenraum (4) ausbilden, wobei die Modenräume (4) der Laserdioden (12) nebeneinander in der y-Richtung angeordnet sind, wobei zwischen zwei Modenräumen (4) ein Graben (3) in der Halbleiterschicht (11) vorgesehen ist, wobei sich die Gräben (3) in der x-Richtung erstrecken, und wobei sich die Gräben (3) von einer Oberseite der Halbleiterschicht (11) in der z-Richtung bis in eine vorgegebene Tiefe in Richtung der aktiven Zone (15) erstrecken.
Abstract translation:
本发明涉及一种具有具有多个层，并且具有有源区（15）的半导体层（11）的激光棒（1），所述有源区（15）被布置在xy平面内，其中 激光二极管（12）分别以两种Endfl＆AUML之间x方向;陈的方式空间（4）的形式，其中所述Modenr树（4）旁的在y方向上彼此被布置在激光二极管（12），两个Modenr树之间的 （4）设置的槽（3）的半导体层（11），在其中所述的Gr＆AUML;贲（3）在x方向上延伸，并且其中所述的Gr＆AUML;贲（3）从所述半导体层的上表面（11 ）沿z方向移动到活动区域（15）方向上的预定深度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2017055490A1
公开(公告)日：2017-04-06
申请号：PCT/EP2016/073326
申请日：2016-09-29
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： GERHARD, Sven , LELL, Alfred , VIERHEILIG, Clemens , LOEFFLER, Andreas
CPC classification number: H01S5/22 , H01S5/0202 , H01S5/0224 , H01S5/2222 , H01S2301/176
Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement mit einer Schichtstruktur mit einer aktiven Zone zum Erzeugen einer elektromagnetischen Strahlung, wobei die aktive Zone in einer Ebene angeordnet ist, wobei die Schichtstruktur eine Oberseiteund vier Seitenflächen aufweist, wobei eine streifenförmige Ridgestruktur auf der Oberseiteder Schichtstruktur angeordnet ist, wobei sich die Ridgestruktur zwischen der ersten Seitenfläche und der dritten Seitenfläche erstreckt, wobei die erste Seitenfläche eine Abstrahlfläche für elektromagnetische Strahlung darstellt, wobei seitlich neben der Ridgestruktur in die Oberseiteder Schichtstruktur eine erste Ausnehmung eingebracht ist, wobei eine zweite Ausnehmung in die erste Ausnehmung eingebracht ist, und wobei die zweite Ausnehmung sich bis zu der zweiten Seitenfläche erstreckt.
Abstract translation: 本发明涉及一种带有用于产生电磁辐射，其中，所述有源区被布置在平面内的有源区的层结构的光电元件，其中所述层结构包括具有Oberseiteund四个侧面，其中，带状脊结构被布置在层结构的上表面，其中 脊形结构的第一侧表面和所述第三侧表面，其中所述第一侧表面是电磁辐射的发射，其中，第一凹槽的侧除了脊形结构在上表面层结构，其中的第二凹部设置在所述第一凹部由结合之间延伸 并且其中，所述第二凹部延伸到所述第二侧表面延伸。
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公开(公告)号：WO2017055284A1
公开(公告)日：2017-04-06
申请号：PCT/EP2016/073000
申请日：2016-09-27
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： GERHARD, Sven , LELL, Alfred , VIERHEILIG, Clemens , LÖFFLER, Andreas , EICHLER, Christoph
CPC classification number: H01S5/168 , H01S5/0287 , H01S5/0421 , H01S5/16 , H01S5/162 , H01S5/166 , H01S5/3211 , H01S5/3214 , H01S5/32341 , H01S2301/176
Abstract: Es umfasst der Halbleiterlaser (1) eine Halbleiterschichtenfolge(2) mit einem n-leitenden n-Bereich (21), einem p-leitenden p-Bereich (23) und einer dazwischenliegendenaktive Zone (22) zur Erzeugung von Laserstrahlung. Zur Stromeinprägung befindet sich direkt an dem p-Bereich (23) eine für die Laserstrahlung durchlässige p-Kontaktschicht (3) aus einem transparenten leitfähigen Oxid. Direkt an der p-Kontaktschicht (3) ist eine elektrisch leitende und metallische p-Kontaktstruktur (4) angebracht. Die p-Kontaktschicht (3) ist ein Teil einer Mantelschicht, sodass die Laserstrahlung im Betrieb des Halbleiterlasers (1) bestimmungsgemäß in die p-Kontaktschicht (3) eindringt. Zwei Facetten (25) der Halbleiterschichtenfolge (2) bilden Resonatorendflächen für die Laserstrahlung. In wenigstens einem Stromschutzbereich (5) direkt an zumindest einer der Facetten (25) ist eine Stromeinprägung in den p-Bereich (23) unterdrückt. Der Stromschutzbereich weist in Richtung senkrecht zur zugehörigen Facette (25) eine Ausdehnung von mindestens 0,5µm und von höchstens 100 µm und zusätzlich von höchstens 20 % einer Resonatorlänge für die Laserstrahlung auf.
Abstract translation: 半导体激光器（1）包括具有n型的n型区域（21），p型的p型区域（23）和用于产生激光辐射的居间有源区（22）的半导体层序列（2）。 电流注入直接位于所述p-区（23）可透过由透明导电氧化物的激光辐射p接触层（3）。 直接在p型接触层（3）是一种导电性的金属和p接触结构（4）。 p接触层（3）是一包层的一部分，从而使半导体激光器的操作期间所述激光辐射（1），用于渗透到p型接触层（3）。 两个小平面（25）的半导体层序列（2）用于激光辐射形式谐振器端的。 在至少一个电流保护区域（5）直接在刻面中的至少一个（25）抑制了在p区（23）的电流注入。 过电流保护区域具有在沿垂直于相关联的小面（25）具有至少0.5微米的扩展，并且不超过100微米，并且另外至多20用于激光辐射的谐振器的％。
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公开(公告)号：WO2016037863A1
公开(公告)日：2016-03-17
申请号：PCT/EP2015/069698
申请日：2015-08-27
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： GERHARD, Sven , ADLHOCH, Thomas , VEIT, Thomas , LELL, Alfred , PFEIFFER, Joachim , MUELLER, Jens , EICHLER, Christoph
CPC classification number: H01S5/0202 , H01S5/0203 , H01S5/22 , H01S5/2201
Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines Laserchips (140) umfasst Schritte zum Bereitstellen einer Halbleiterscheibe (100) mit einer Oberseite (101) und einer Unterseite (102), wobei die Halbleiterscheibe eine Mehrzahl integrierter Laserdiodenstrukturen (141) aufweist, die entlang einer festgelegten Bruchrichtung (10) hintereinander angeordnet sind, zum Anlegen einer Mehrzahl von entlang der Bruchrichtung hintereinander angeordneten Vertiefungen (200) an der Oberseite der Halbleiterscheibe, wobei jede Vertiefung in Bruchrichtung aufeinander folgend eine vordere Begrenzungsfläche (210) und eine hintere Begrenzungsfläche (220) aufweist, wobei bei mindestens einer Vertiefung die hintere Begrenzungsfläche gegenüber der Oberseite der Halbleiterscheibe um einen Winkel zwischen 95° und 170° geneigt ist, und zum Brechen der Halbleiterscheibe in Bruchrichtung an einer senkrecht zur Oberseite der Halbleiterscheibe orientierten Bruchebene, die durch die Vertiefungen verläuft.
Abstract translation: 制造激光芯片（140）的方法，包括：提供具有顶部（101）和底部（102）的半导体晶片（100）的步骤，所述具有多个集成的激光二极管结构的（141）（沿着预定断裂方向10的半导体晶片 ）被布置成一个在另一个后面，对于在组分方向以下对半导体晶片的顶侧施加的多个沿依次布置的凹槽（200）的断裂方向，每个孔具有连续的前边界表面（210）和后边界表面（220），其中，至少 的凹部，所述后边界表面以一定角度倾斜，相对于半导体晶片的上表面95°和170°之间，且用于断开在断裂方向上的半导体晶片上的垂直于半导体晶片断裂面穿过孔的顶表面取向。
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46.发明授权
公开(公告)号：EP3224917B1
公开(公告)日：2020-02-12
申请号：EP15797665.5
申请日：2015-11-19
Applicant: OSRAM Opto Semiconductors GmbH
Inventor： GERHARD, Sven , LELL, Alfred
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公开(公告)号：EP3357133A1
公开(公告)日：2018-08-08
申请号：EP16785104.7
申请日：2016-09-27
Applicant: OSRAM Opto Semiconductors GmbH
Inventor： GERHARD, Sven , LELL, Alfred , VIERHEILIG, Clemens , LÖFFLER, Andreas , EICHLER, Christoph
CPC classification number: H01S5/168 , H01S5/0287 , H01S5/0421 , H01S5/16 , H01S5/162 , H01S5/166 , H01S5/3211 , H01S5/3214 , H01S5/32341 , H01S2301/176
Abstract: The invention relates to a semiconductor laser (1) comprising a semiconductor layer sequence (2) with an n-type n-region (21), a p-type p-region (23) and an active zone (22) lying between the two for the purpose of generating laser radiation. A p-contact layer (3) that is permeable to the laser radiation and consists of a transparent conductive oxide is located directly on the p-region (23) for the purpose of current input. An electrically-conductive metallic p-contact structure (4) is applied directly to the p-contact layer (3). The p-contact layer (3) is one part of a cover layer, and therefore the laser radiation penetrates as intended into the p-contact layer (3) during operation of the semi-conductor laser (1). Two facets (25) of the semiconductor layer sequence (2) form resonator end surfaces for the laser radiation. Current input into the p-region (23) is inhibited in at least one current protection region (5) directly on at least one of the facets (25). Said current protection region has, in the direction running perpendicularly to the associated facets (25), an extension of at least 0.5 µm and at most 100 µm, and additionally of at least 20% of a resonator length for the laser radiation.
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