公开(公告)号：WO2017046261A1

公开(公告)日：2017-03-23

申请号：PCT/EP2016/071855

申请日：2016-09-15

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHULZ, Robert ,  LEIRER, Christian ,  PERZLMAIER, Korbinian

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/62 ,  H01L33/64

CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L33/62 ,  H01L33/647 ,  H01L2933/0016

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements angegeben, wobei das Verfahren ein induktives Anregen eines Stroms durch eine induktive Komponente (4) des optoelektronischen Bauelements (10) umfasst, so dass das optoelektronische Bauelement (10) zur Emission elektromagnetischer Strahlung (2) angeregt wird, und ein Messen mindestens einer elektrooptischen Eigenschaft des optoelektronischen Bauelements (10) erfolgt, und ein Aufbringen eines Konvertermaterials (3) auf eine Abstrahlseite (1) desoptoelektronischen Bauelements (10) erfolgt, wobei eine Menge desaufzubringenden Konvertermaterials (3) aus der Messung der elektrooptischen Eigenschaft bestimmt wird.

Abstract translation: 提供了一种方法用于制造光电子组件，所述方法包括感应激励电流通过该光电部件（10）的电感元件（4），从而使光电元件（10）激发而发射的电磁辐射（2） 是，并测量完成光电子器件（10）中的至少一个电光学特性，并且在放射面施加转换器材料（3）（1）desoptoelektronischen装置（10），其中，从测量的量desaufzubringenden转换器材料（3） 电光特性被确定。

公开(公告)号：WO2017036841A1

公开(公告)日：2017-03-09

申请号：PCT/EP2016/069813

申请日：2016-08-22

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PERZLMAIER, Korbinian ,  KASPRZAK-ZABLOCKA, Anna ,  HÖPPEL, Lutz ,  LEIRER, Christian

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/64

CPC classification number: H01L33/486 ,  H01L33/642

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (100) angegeben, umfassend einen Halbleiterkörper (1), der eine Halbleiterschichtenfolge (2) aufweist, einen Träger (10), der einen Kunststoff aufweist und eine erste Durchkontaktierung (11) und eine zweite Durchkontaktierung (12) aufweist, eine p-Kontaktschicht (6) und eine n-Kontaktschicht (8, 8A), welche zumindest bereichsweise zwischen dem Träger (10) und dem Halbleiterkörper (1) angeordnet sind, eine metallische Verstärkungsschicht (14), welche zumindest bereichsweise zwischen der n-Kontaktschicht (8, 8A) und dem Träger (10) angeordnet ist, wobei die metallische Verstärkungsschicht (14) mindestens 5 pm dick ist, und mindestens eine p-Kontaktdurchführung (7), welche zwischen der ersten Durchkontaktierung (11) und der p-Kontaktschicht (6) angeordnet ist, wobei die p-Kontaktdurchführung (7) mindestens 5 pm dick ist und in lateraler Richtung zumindest bereichsweise von der Verstärkungsschicht (14) umgeben ist. Ferner wird ein vorteilhaftes Verfahren zur Herstellung eines derartigen optoelektronischen Halbleiterbauelements (100) angegeben.

Abstract translation: 提供了一种包括具有半导体层序列的半导体主体（1）（2），载体（10），其具有塑料和通过（11）的第一和经由第二的光电子半导体器件（100）（12） 一个p型接触层（6），并且至少在所述载体（10）和半导体主体之间的区域（1）被布置成一个n型接触层（8，8A），金属加强层（14），其至少在n之间的区域 接触层（8，8A）和所述支撑件（10）布置，其特征在于，通孔（11）设置在所述第一之间的金属增强层（14）m厚至少为5，和至少一个p型接触衬套（7）和p 设置接触层（6），其特征在于，通过（7）至少5μmp接触厚和至少在所述加强层（14）的区域中包围在横向方向上。 此外，被指定用于制造这样的光电子半导体器件（100）的有利方法。

公开(公告)号：WO2017021301A1

公开(公告)日：2017-02-09

申请号：PCT/EP2016/068166

申请日：2016-07-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MEYER, Tobias ,  LEIRER, Christian

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Nitrid-Halbleiterbauelements (10) angegeben, umfassend die Schritte: -epitaktisches Aufwachsen einer Nitrid-Halbleiterschichtenfolge (2) auf einem Aufwachssubstrat (1), wobei an einer Grenzfläche (5A)einer Halbleiterschicht (5) der Halbleiterschichtenfolge (2) Vertiefungen (7) ausgebildet werden, -Aufwachsen einer p-dotierten Kontaktschicht (8) über der Halbleiterschicht (5), wobei die p-dotierte Kontaktschicht (8) die Vertiefungen zumindest teilweise auffüllt, und wobei die p-dotierte Kontaktschicht (8) in ersten Bereichen (81), die zumindest teilweise in den Vertiefungen (7) angeordnet sind, eine geringere Dotierstoffkonzentration aufweist als in zweiten Bereichen (82), die außerhalb der Vertiefungen (7) angeordnet sind, und -Aufbringen einer Anschlussschicht (9), die ein Metall, eine Metalllegierung oder ein transparentes leitfähiges Oxid aufweist, auf diep-dotierte Kontaktschicht (8).Weiterhin wird ein mit dem Verfahren herstellbares Nitrid- Halbleiterbauelement (10) angegeben.

Abstract translation: 提供了一种用于制造包括以下步骤的氮化物半导体器件（10）的方法：-epitaktisches（2）在生长衬底上生长氮化物半导体层序列（1），其中在一个半导体层（5）的半导体层序列的的边界表面（5A）， （2）的凹槽（7）被-Aufwachsen p掺杂接触层（8）的半导体层（5）上，其中，所述掺杂的p接触层（8）至少部分地填充了凹部，且其中所述p型掺杂的接触层（形成 8）（在第一区域81）至少在所述凹部（7）部分地被布置，下部掺杂剂浓度比在82），其被布置在凹部（7）的外部的第二区域（和-Aufbringen连接层（9 ），其包括金属，金属合金或透明导电氧化物（p型接触层8上）.Weiterhin与方法的可生产 氮化物半导体器件（10）来表示。

公开(公告)号：WO2017017143A1

公开(公告)日：2017-02-02

申请号：PCT/EP2016/067912

申请日：2016-07-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHWARZ, Thomas ,  SINGER, Frank ,  LEIRER, Christian

IPC: H01L25/075

CPC classification number: H01L25/0753 ,  H01L33/52 ,  H01L33/62

Abstract: Ein Videowand-Modul umfasst eine Mehrzahl von Leuchtdiodenchips, die jeweils eine an einer Oberseite des Leuchtdiodenchips angeordnete Oberseitenelektrode und eine an einer Unterseite des Leuchtdiodenchips angeordnete Unterseitenelektrode aufweisen. Die Leuchtdiodenchips sind in einen Formkörper eingebettet. Die Oberseitenelektroden sind mit einer an einer Vorderseite des Formkörpers angeordneten Vorderseitenmetallisierung verbunden. Die Unterseitenelektroden sind mit einer an einer Rückseite des Formkörpers angeordneten Rückseitenmetallisierung verbunden. An der Rückseite des Formkörpers ist eine dielektrische Schicht angeordnet. Die Rückseitenmetallisierung ist elektrisch leitend mit einer an der dielektrischen Schicht angeordneten Außenmetallisierung verbunden.

Abstract translation: 视频墙模块包括多个LED芯片，每个都具有设置在LED芯片顶部表面电极的上表面上，并设置在LED芯片基底电极的下侧。 LED芯片被嵌入的模塑制品。 顶部电极连接到设置在模制体前侧金属化的前侧的电极。 底部电极连接到设置在所述模制后侧金属化的背面侧的电极。 在该成型体的背面上的电介质层被设置。 背侧金属化导电地连接到设置在介电层外金属化的电极。

公开(公告)号：WO2017009183A1

公开(公告)日：2017-01-19

申请号：PCT/EP2016/066170

申请日：2016-07-07

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LEIRER, Christian ,  PERZLMAIER, Korbinian

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/36 ,  H01L33/38

CPC classification number: H01L33/382 ,  H01L33/08 ,  H01L33/36

Abstract: Es wird eine optoelektronische Anordnung angegeben, umfassend - einen Formkörper (2) mit einer Bodenfläche (2b), - eine erste Pixelgruppe (41), der eine Vielzahl von Pixeln (1) zugeordnet ist, jeweils aufweisend einen ersten Halbleiterbereich (11), einen zweiten Halbleiterbereich (12) und einen aktiven Bereich (10), - eine Vielzahl von Trennstrukturen (3), die zwischen den Pixeln (1) angeordnet sind, und - zumindest eine erste Kontaktstruktur (51, 52, 53) aufweisend eine erste Kontaktebene (51) und eine erste Kontaktstelle (52), die an der Bodenfläche (2b) frei zugänglich ist, wobei - die Pixel (1) der ersten Pixelgruppe (41) nebeneinander an der Deckfläche (2a) angeordnet sind, - die ersten Halbleiterbereiche (11) und/oder die zweiten Halbleiterbereiche (12) benachbarter Pixel (1) der ersten Pixelgruppe (41) mittels der Trennstrukturen (3) voneinander elektrisch isoliert sind, - der ersten Pixelgruppe (41) eine erste Kontaktstruktur (51, 52, 53) eineindeutig zugeordnet ist, und - die ersten Halbleiterbereiche (11) der Pixel (1) der ersten Pixelgruppe (41) mittels der ersten Kontaktebene (51) elektrisch leitend miteinander verbunden sind und mittels der ersten Kontaktstelle (52) elektrisch kontaktierbar sind.

Abstract translation: 它是指定的光电子装置，包括： - 模制主体（2），其具有底部表面（2b）中， - 第一像素组，其与多个像素相关联的（41）（1）每个包括第一半导体区域（11），一个 所述第二半导体区域（12）和有源区（10）， - 多个分区结构（3），其被布置在像素（1）之间，以及 - 至少一个第一接触结构（51，52，53），包括第一接触平面（ 51）和第一接触点（52）（底部表面2b）上是自由访问，其特征在于， - 所述像素（1）的第一像素组（41）的并排的顶表面（2A）上并排设置， - 所述的第一半导体区（11 ）和/或所述第二半导体的第一像素组（41）的相邻像素（1）的由所述隔离结构的装置的区域（12）（3）是电绝缘的， - 所述第一像素组（41）具有第一接触结构（51，52，53）明确 是分配的，以及 - 通过第一接触平面（51）的装置中的第一像素组（41）的像素（1）的（11）导电地连接到彼此，并通过所述第一接触点（52）的装置中的第一半导体区域电接触。

公开(公告)号：WO2017001327A1

公开(公告)日：2017-01-05

申请号：PCT/EP2016/064830

申请日：2016-06-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LEIRER, Christian ,  RAMMELSBERGER, Stefanie ,  HOXHOLD, Bjoern

IPC: H01L33/46 ,  H01L33/48 ,  H01L33/38 ,  H01L33/62 ,  H01S5/028

CPC classification number: H01L33/60 ,  H01L21/568 ,  H01L33/46 ,  H01L33/486 ,  H01L33/52 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/24 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/94 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0058 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2933/0091

Abstract: Die Erfindung betrifft eine optoelektronische Leuchtvorrichtung, umfassend: - ein optoelektronisches Halbleiterbauteil mit einer eine lichtemittierenden Fläche umfassende Oberseite, - ein das Halbleiterbauteil einbettendes und die lichtemittierende Fläche freilassendes Gehäuse, - wobei eine Gehäusefläche mit einer lichtstreuenden dielektrischen Lackschicht beschichtet ist, die auf eine der Gehäusefläche abgewandten Fläche der Lackschicht einfallendes Licht streuen kann. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung.

Abstract translation: 本发明涉及一种光电子发光装置，包括： - 光电子半导体器件具有发光表面，其包括顶部， - 一个半导体部件嵌入和发光面离开所述壳体的自由端， - 一个外壳表面涂覆有设置在外壳表面中的一个的光扩散介电涂层层 抗蚀剂层的远程表面可散射入射光。 本发明还涉及到一种制造光电发光装置的方法。

公开(公告)号：WO2016124632A1

公开(公告)日：2016-08-11

申请号：PCT/EP2016/052257

申请日：2016-02-03

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： EISERT, Dominik ,  LEIRER, Christian

IPC: H01L33/58 ,  H01L33/50 ,  F21S8/10

CPC classification number: H01L33/58 ,  F21S41/14 ,  F21S41/16 ,  F21Y2105/10 ,  H01L33/505 ,  H01L33/507 ,  H01L33/508

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Konversionselement, welches auf einem pixelierten strahlungsemittierenden Halbleiterchip anordbar ist. Das Konversionselement weist eine Trägerschicht, eine Konversionsschicht und eine zwischen der Trägerschicht und der Konversionsschicht angeordnete Zwischenschicht auf. Die Trägerschicht weist ein strahlungsdurchlässiges Trägermaterial auf. Die Konversionsschicht weist ein Konversionsmaterial zur Strahlungskonversion auf. Die Zwischenschicht weist ein Zwischenschichtmaterial mit einem Brechungsindex auf, welcher kleiner ist als ein Brechungsindex des Trägermaterials und ein Brechungsindex des Konversionsmaterials. Die Erfindung betrifft des Weiteren ein optoelektronisches Bauelement aufweisend einen pixelierten strahlungsemittierenden Halbleiterchip und ein Konversionselement, und ein Verfahren zum Herstellen eines Konversionselements.

Abstract translation: 本发明涉及一种能够被布置在像素化发射辐射的半导体芯片上的转换元件。 转换元件具有载体层，位于该载体层和转换层中间层之间的转换层。 背衬层包括辐射透明的载体材料。 转换层具有用于辐射转换的转换材料。 该中间层包括具有比所述基板的折射率和转换材料的折射率小的折射率的中间层材料。 本发明还涉及包括像素化发射辐射的半导体芯片和一个转换元件，以及制造转换元件的方法的光电子器件。

公开(公告)号：WO2015189062A1

公开(公告)日：2015-12-17

申请号：PCT/EP2015/062125

申请日：2015-06-01

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LEIRER, Christian ,  MAUTE, Markus

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/54 ,  H01L33/60 ,  H01L33/46 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L33/486 ,  H01L25/165 ,  H01L25/167 ,  H01L29/861 ,  H01L33/46 ,  H01L33/54 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2933/0083

Abstract: Es wird ein Licht emittierendes Halbleiterbauelement angegeben, das zumindest einen Licht emittierenden Halbleiterchip (1) mit einer Halbleiterschichtenfolge, einer Lichtauskoppelfläche (10), einer der Lichtauskoppelfläche (10) gegenüber liegenden Rückseitenfläche (11) und Seitenflächen (12), die die Lichtauskoppelfläche (10) und die Rückseitenfläche (11) verbinden, undeinen Trägerkörper (3) aufweist, der einen Formkörper (4) aufweist, der die Seitenflächen (12) des Licht emittierenden Halbleiterchips (1) formschlüssig und unmittelbar bedeckt, wobei der Trägerkörper (3) an der Lichtauskoppelfläche (10) des Licht emittierenden Halbleiterchips (1) eine Oberseite (30) aufweist, auf der ein dielektrischer Spiegel (5) aufgebracht ist.

Abstract translation: 公开了一种半导体发光装置，（1），其具有半导体层序列的至少一个发光半导体芯片，光输出表面（10），光输出表面的一个（10）相对的后表面（11）和侧表面（12），光输出表面（10 连接）和背面（11）和支撑体（3），其具有一个形主体（4）的发光半导体芯片的侧表面（12）的（1）正和立即覆盖，其中，在所述载体本体（3） 具有顶表面（30），所述发光半导体芯片（1）的光输出表面（10）在其上沉积电介质镜（5）。

公开(公告)号：WO2015074900A1

公开(公告)日：2015-05-28

申请号：PCT/EP2014/074071

申请日：2014-11-07

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LEIRER, Christian ,  HAHN, Berthold ,  ENGL, Karl ,  BAUR, Johannes ,  HERRMANN, Siegfried ,  PLÖSSL, Andreas ,  KATZ, Simeon ,  MEYER, Tobias ,  ZINI, Lorenzo ,  MAUTE, Markus

IPC: H01L27/15 ,  H01L25/16 ,  H01L33/38 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L27/0248 ,  H01L25/0753 ,  H01L25/167 ,  H01L27/15 ,  H01L33/32 ,  H01L33/382 ,  H01L33/387 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (1) mit einem integrierten Überbrückungselement (9, 9A) angegeben, das zum Schutz vor Überspannungen dient.

Abstract translation: 提供了一种光电子半导体芯片（1）与成为过电压保护的一体的桥接元件（9，9A）。

公开(公告)号：WO2015036443A1

公开(公告)日：2015-03-19

申请号：PCT/EP2014/069314

申请日：2014-09-10

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LEIRER, Christian ,  HAHN, Berthold ,  ZEISEL, Roland ,  BAUR, Johannes ,  ENGL, Karl

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/38 ,  H01L25/16

CPC classification number: H01L25/167 ,  H01L25/0753 ,  H01L27/15 ,  H01L27/156 ,  H01L33/382 ,  H01L33/483 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48479 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/4554

Abstract: Es wird eine optoelektronischer Halbleiterchip (1) mit einer Halbleiterschichtenfolge (2, 2') angegeben, die einen ersten Halbleiterbereich (3) eines ersten Leitfähigkeitstyps und einen zweiten Halbleiterbereich (4) eines zweiten Leitfähigkeitstyps und eine aktive Zone mit einem pn-Übergang (5) aufweist, die zwischen dem ersten Halbleiterbereich (3) und dem zweiten Halbleiterbereich (4) ausgebildet ist. Die Halbleiterschichtenfolge (2) ist auf einem Träger (8) angeordnet ist. Der Halbleiterchip (1) weist weiterhin einen ersten Kontakt auf, der zum elektrischen Anschließen des ersten Halbleiterbereichs (3) vorgesehen ist, und einen von dem ersten Kontakt verschiedenen zweiten Kontakt, der zum elektrischen Anschließen des zweiten Halbleiterbereichs (4) vorgesehen ist. Außerdem umfasst der Halbleiterchip (1) ein parallel zu dem pn-Übergang (5) geschaltetes erstes kapazitives elektrisches Element mit einem ersten dielektrischen Element, das dazu geeignet ist, bei Überspannung in Sperrrichtung des pn-Übergangs (5) zumindest einen Teil der Ladung aufzunehmen.

Abstract translation: 它是一种光电子半导体芯片（1）具有指定的半导体层序列（2，2“），第一半导体区域（3）具有第一导电类型和第二半导体区域的（4）的第二导电类型，并与pn结的有源区（5 ），该（第一半导体区3）和第二半导体区域（4）之间形成。 半导体层序列（2）被布置在载体（8）上。 在半导体芯片（1）还包括被设置用于在所述第一半导体区域（3）电连接第一接触，并且不同于所述第一接触被设置用于所述第二半导体区域电连接的第二接触（4）。 此外，在半导体芯片（1）包括一平行于所述pn结（5）切换具有适于在pn结的相反方向上以接收至少一个用于过电压的电荷的部分的第一电介质元件的第一电容元件（5） ，