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公开(公告)号:CN108698892A
公开(公告)日:2018-10-23
申请号:CN201680082150.9
申请日:2016-12-16
Applicant: 贺利氏石英玻璃有限两合公司
IPC: C03B20/00 , C03C3/06 , C03B19/10 , C03B37/012 , C03B17/04
CPC classification number: C03C1/026 , C03B17/04 , C03B19/108 , C03B19/1085 , C03B20/00 , C03B37/01211 , C03B37/01291 , C03B37/027 , C03B2201/02 , C03B2201/03 , C03B2201/07 , C03C3/06 , C03C2201/02 , C03C2201/11 , C03C2201/23 , C03C2201/32 , C03C2201/40 , C03C2203/10
Abstract: 本发明涉及一种制备石英玻璃体的方法,其包含方法步骤i.)提供可从二氧化硅粉末获得的二氧化硅颗粒,其中所述二氧化硅颗粒的粒度大于所述二氧化硅粉末,ii.)从二氧化硅颗粒制造玻璃熔体,和iii.)从至少一部分所述玻璃熔体制造石英玻璃体,其中熔融坩埚具有至少一个入口和至少一个出口,其中至少一部分所述玻璃熔体通过所述熔融坩埚出口移出。本发明进一步涉及一种可通过这种方法获得的石英玻璃体。本发明进一步涉及一种光导、一种照明体和一种成型体,其各自可通过进一步加工所述石英玻璃体获得。
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公开(公告)号:CN107619183A
公开(公告)日:2018-01-23
申请号:CN201710575143.9
申请日:2017-07-14
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C03B37/012 , C03B37/028 , C03C13/04
CPC classification number: C03B37/0253 , C03B37/01222 , C03B37/027 , C03B2201/075 , C03B2201/12 , C03B2203/34 , C03B2205/40 , C03C3/06 , C03C13/045 , C03C25/68 , C03C25/70 , C03C2201/02 , C03C2201/12 , C03C2201/23 , G02B6/02042
Abstract: 本发明提供了一种用于制造多芯光纤的方法,该多芯光纤包括由纯石英玻璃制成的多个芯,并且表现出较小的传输损耗。根据本发明的制造多芯光纤的方法为制造这样的多芯光纤的方法,该多芯光纤包括由实质上不含Ge的纯石英玻璃制成的多个芯和包围所述多个芯并由含氟石英玻璃制成的包层。该多芯光纤是通过以满足关系0.06g/μm2
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公开(公告)号:CN107209323A
公开(公告)日:2017-09-26
申请号:CN201580075601.1
申请日:2015-12-15
Applicant: NKT光子学有限公司
IPC: G02B6/02 , C03B37/012
CPC classification number: G02B6/03694 , C03B37/02781 , C03B37/0279 , C03B37/10 , C03B2201/02 , C03B2201/12 , C03B2201/21 , C03B2201/22 , C03B2203/14 , C03B2203/23 , C03B2203/42 , C03C13/045 , C03C13/046 , C03C25/1061 , C03C25/1062 , C03C25/1068 , C03C25/607 , C03C2201/02 , C03C2201/21 , C03C2201/22 , G02B6/02347 , G02B6/02357 , G02B6/02361 , G02B6/02366 , G02B6/02395 , G02B6/14 , G02F1/365 , G02F2001/3528
Abstract: 本发明涉及一种光子晶体光纤(PCF)、PCF的制备方法以及包括这种PCF的超连续谱光源。PCF具有纵轴并且包括沿所述纵轴的长度延伸的芯和围绕所述芯的包层区域。至少所述包层区域包括多个在至少微结构长度部分中的以沿着所述PCF的纵轴延伸的内含物形式的微结构。在所述微结构长度部分的至少抗劣化长度部分中,PCF包含氢和/或氘。在至少所述抗劣化长度部分中,所述PCF还包括围绕所述包层区域的主涂层,该主涂层在低于Th的温度下不透氢和/或氘,其中Th为至少约50℃,优选地,50℃
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公开(公告)号:CN107176794A
公开(公告)日:2017-09-19
申请号:CN201710134890.9
申请日:2017-03-09
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: C03B33/02 , B28D5/00 , C03C3/06 , C03C15/00 , C03C17/28 , C03C2201/02 , C03C2203/50 , C03C2218/114 , C03C2218/32 , G01B11/06 , G01N21/23 , C03C17/34 , B24B1/00 , C03B33/074 , C03C2217/70
Abstract: 通过提供合成石英玻璃块材,用在双折射测定波长下具有至少99.0%/mm的透射率的液体涂布该玻璃块材的两个相对表面,通过引导光从其经过而测定该玻璃块材的双折射,基于双折射测定和该基板的尺寸来确定切割厚度,和以确定的切割厚度将该玻璃块材切割,从而制备合成石英玻璃基板。
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公开(公告)号:CN105645757A
公开(公告)日:2016-06-08
申请号:CN201511014666.3
申请日:2015-12-31
Applicant: 侯清麟
IPC: C03C1/02
CPC classification number: C03C1/022 , C03C2201/02
Abstract: 本发明涉及超纯石英砂制备技术领域,公开了一种制备超纯石英砂的工艺方法。是将高纯石英砂经微波辐射处理,所述微波的功率为40~80KW,所述辐射处理时间为10~15h,温度为600~1000℃,高纯石英砂一次处理量为10Kg。所得超纯石英砂纯度可达到99.999%。本发明结合工业生产规模要求,对本发明实验室研究的工艺路线进行了特殊的调整,进一步完善了微波处理生产超纯石英砂的工艺条件,总结出适合于工业生产的工艺条件,尤其是针对我国的石英砂原料来源,切实提供了针对国产石英砂原料的生产工艺条件,成熟、合理、技术效果稳定,主要经济技术指标接近生产要求,动力消耗和工时消耗相对合理,为超纯石英砂的规模化生产、真正降低超纯石英砂的生产成本做出提供技术支持。
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公开(公告)号:CN105461196A
公开(公告)日:2016-04-06
申请号:CN201510630029.2
申请日:2015-09-29
Applicant: 赫罗伊斯石英玻璃股份有限两合公司
IPC: C03B20/00
CPC classification number: C03B19/066 , C03B19/108 , C03B19/1095 , C03B2201/02 , C03C3/06 , C03C11/00 , C03C12/00 , C03C2201/02
Abstract: 本发明公开了生产SiO2颗粒的合成石英玻璃的方法及SiO2颗粒。通过熔化SiO2颗粒生产不透明合成石英玻璃的已知方法包括:合成无定形SiO2初级粒子,使无定形SiO2初级粒子成粒以形成开孔SiO2颗粒,通过在烧结气氛中在烧结温度下和烧结周期内加热来烧结开孔SiO2颗粒,以形成致密化的SiO2颗粒,和在熔融温度下熔融致密化的SiO2颗粒,以形成合成石英玻璃。根据本发明在烧结期间调节烧结气氛、烧结温度和烧结持续时间,使得致密化的SiO2颗粒一方面仍包含开孔,并且另一方面在1700nm波长下显示材料特定的红外透射率T1700,该透射率为相同材料的石英玻璃颗粒的红外透射率T1700的50-95%。
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公开(公告)号:CN102652110B
公开(公告)日:2016-02-24
申请号:CN201080057330.4
申请日:2010-12-24
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Inventor: 植田稔晃
CPC classification number: C01B33/181 , C01B33/14 , C01P2002/02 , C01P2002/82 , C01P2004/03 , C01P2004/54 , C01P2004/61 , C01P2006/12 , C03B19/1025 , C03B19/1065 , C03C3/06 , C03C2201/02 , C03C2203/10 , C03C2203/27 , Y10T428/2982
Abstract: 本发明的合成非晶态二氧化硅粉末,是对二氧化硅粉末实施球化处理后,进行洗涤、干燥而得到的平均粒径D50为10~2000μm的合成非晶态二氧化硅粉末,其特征在于,用BET比表面积除以由平均粒径D50算出的理论比表面积而得的值为1.00~1.35,真密度为2.10~2.20g/cm3,粒子内空隙率为0~0.05,圆形度为0.75~1.00,以及球化率为0.55~1.00。该合成非晶态二氧化硅粉末在表面吸附的气体成分、粉末内部的气体成分少,因此对于使用该粉末制造的合成石英玻璃,即使在高温和减压的环境下使用,也可以大幅减少气泡的产生或膨胀。
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公开(公告)号:CN103597128A
公开(公告)日:2014-02-19
申请号:CN201380001600.3
申请日:2013-02-19
Applicant: 信越石英株式会社
Inventor: 山形茂
CPC classification number: C03B19/02 , C03B19/095 , C03B2201/04 , C03B2201/07 , C03B2201/23 , C03B2201/54 , C03C3/06 , C03C8/02 , C03C10/0009 , C03C21/008 , C03C23/007 , C03C2201/02 , C03C2201/54 , C03C2201/80 , C03C2203/10 , C30B15/10 , C30B29/06 , Y02P40/57 , Y10T117/1032
Abstract: 本发明是一种单晶硅提拉用二氧化硅容器,该单晶硅提拉用二氧化硅容器在内侧具有由透明二氧化硅玻璃构成的透明层,在外侧具有由含有气泡的不透明二氧化硅玻璃构成的不透明层,上述透明层位于上述二氧化硅容器的内表面侧,并由以200~2000massppm的浓度含有OH基的高OH基层和OH基浓度低于该高OH基层的低OH基层构成,上述高OH基层以50~2000massppm的浓度含有Ba。由此,本发明提供一种二氧化硅容器和这种二氧化硅容器的制造方法,该二氧化硅容器在用于提拉单晶硅时,通过使该容器的由透明二氧化硅玻璃构成的内侧表面的整个面在该容器开始使用后的短时间内微晶化(玻璃陶瓷化),可大幅度提高该容器内侧表面的对于硅熔液的耐蚀刻性(耐腐蚀性)。
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公开(公告)号:CN1153795A
公开(公告)日:1997-07-09
申请号:CN96109608.X
申请日:1996-08-30
Applicant: 康宁股份有限公司
IPC: C08L83/04
CPC classification number: C03B37/01413 , C03B19/1415 , C03B2201/02 , C03B2207/32 , C03B2207/85 , C03C3/06 , C03C2201/02 , C03C2203/27 , C07F7/20 , C07F7/21
Abstract: 本发明涉及一种纯化的聚烷基硅氧烷组合物,它在常压下的沸点低于250℃,其中所含常压下沸点高于250℃的高沸点杂质,包括硅氧烷和以硅烷醇为末端的硅氧烷,其总浓度低于14ppm。本发明还涉及一种制备纯化的聚烷基硅氧烷组合物的方法,制得的纯化的聚烷基硅氧烷组合物在常压下的沸点低于250℃,该方法包括蒸馏一种聚烷基硅氧烷起始材料,该起始材料所含常压下沸点高于250℃的高沸点杂质的总浓度至少为14ppm,蒸馏条件能有效地产生常压下沸点低于250℃的纯化的聚烷基硅氧烷组合物,使其中所含常压下沸点高于250℃的高沸点杂质的总浓度低于14ppm。在较佳实施例中,低沸点组分(包括硅烷醇以及较好也包括六甲基环丁硅氧烷)被减少到100ppm以下。本发明还涉及将所述纯化的聚烷基硅氧烷组合物转化为熔凝石英玻璃的生产方法。
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公开(公告)号:CN1105650A
公开(公告)日:1995-07-26
申请号:CN94117916.8
申请日:1994-11-11
Applicant: 赫罗伊斯石英玻璃有限公司
CPC classification number: C03C17/02 , B22C9/12 , C03B19/06 , C03B19/066 , C03B20/00 , C03B2201/23 , C03C3/06 , C03C11/00 , C03C2201/02 , C03C2201/80 , C03C2203/52 , C30B35/002 , G01J1/429 , Y10T428/131 , Y10T428/1317
Abstract: 本发明提供了高精密度、尺寸可小可大且形状可简单可复杂、化学纯度至少99.9%、壁厚从1mm起不透气、冷弯强度高、导热性小且热辐射小、能经受急冷急热并重复经受急冷急热或也能长时间经受1000—1300℃范围内的温度、锐边上可焊接而无临时的连接、紫外至中红外光谱范围内透光度小的非晶态二氧化硅成型体及其制造方法,该成型体不透明、含微孔、壁厚为1mm时在λ=190nm至2650nm波长范围内直射透光度恒定并小于10%且其密度至少为2.15g/cm3。
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