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公开(公告)号：CN104795297A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201410024483.9
申请日：2014-01-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J29/18 , H01J1/304 , H01J1/308 , H01J1/312 , H01J31/127 , H01J2201/30461 , H01J2201/30469 , H01J2201/3125 , H01J2329/0449 , H01J2329/0455 , H01J2329/0478 , H01J2329/0484
Abstract: 本发明涉及一种电子发射装置，其包括多个条形第一电极及条形第二电极交叉且间隔设置，所述多个条形第一电极相互间隔并沿第一方向延伸，所述多个条形第二电极相互间隔并沿第二方向延伸，位于交叉位置处的条形第一电极与条形第二电极之间形成一电子发射单元，每一电子发射单元包括依次层叠设置的一半导体层及一绝缘层，所述条行第一电极为一碳纳米管层，所述半导体层包括多个孔洞，所述条形碳纳米管层覆盖所述多个孔洞，对应孔洞位置处的条形碳纳米管层悬空设置。
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公开(公告)号：CN104795291A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201410024347.X
申请日：2014-01-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J29/18 , H01J1/308 , H01J1/312 , H01J31/127 , H01J2201/30461 , H01J2201/30469 , H01J2201/3125 , H01J2329/0449 , H01J2329/0455 , H01J2329/0478 , H01J2329/0484 , H01J9/02 , H01J9/022 , H01J31/12
Abstract: 本发明涉及一种电子发射装置，其包括多个条形第一电极以及多个条形第二电极交叉且间隔设置，所述多个条形第一电极相互间隔并沿一第一方向延伸，所述多个条形第二电极相互间隔并沿一第二方向延伸，位于交叉位置处的条形第一电极与条形第二电极之间设置一绝缘层，所述条形第一电极为一碳纳米管复合结构，所述碳纳米管复合结构包括一碳纳米管层及一半导体层复合层叠设置，所述半导体层设置于所述碳纳米管层与所述绝缘层之间。本发明涉及一种电子发射装置的制备方法以及采用上述电子发射装置的显示器。
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公开(公告)号：CN102479483B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201110367517.0
申请日：2011-11-18
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 平川弘幸
IPC: G09G3/22
CPC classification number: G09G3/22 , B82Y10/00 , G09G3/2018 , G09G2320/029 , G09G2320/043 , G09G2320/048 , H01J1/312
Abstract: 本发明涉及电子发射装置及其驱动方法。本发明提供一种对包括第一发射电极、在第一电极上形成的并且包含绝缘微粒的微粒层、以及在微粒层上形成的第二电极的电子发射装置的驱动方法，其包括：将电压施加于第一和第二电极之间，以从第一电极发射电子，从而电子通过微粒层被加速，并且被从第二电极发射，其中，施加的电压包括具有第一频率并且以低于第一频率的第二频率被震荡的脉冲。
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公开(公告)号：CN101894719A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200910204470.9
申请日：2009-09-29
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01J1/30 , H01J1/312 , H01J63/02 , H01J29/04 , H01J63/06 , G02F1/13357 , G02F1/133 , H01J31/12 , G03G15/00 , H01J9/02
CPC classification number: G03G15/02 , B82Y10/00 , G02F2001/133625 , H01J1/312 , H01J31/127 , H01J63/06 , H01J2201/3125 , H01J2329/0484
Abstract: 提供一种电子发射元件、电子发射装置、自发光设备、图像显示装置、送风装置、冷却装置、带电装置、图像形成装置、电子线硬化装置及电子发射元件的制造方法。本发明的电子发射元件中，设在电极基板和薄膜电极之间的电子加速层有含有绝缘性微粒的微粒层构成，该微粒层中含有碱性分散剂。从而，可以提供一种没有绝缘体层内的绝缘破坏的问题且可以廉价地制造的电子发射元件。
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公开(公告)号：CN101055824B
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200710097045.5
申请日：2007-04-12
Applicant: 株式会社日立制作所
Inventor： 岩崎富生
CPC classification number: H01L28/65 , B82Y10/00 , H01J1/312 , H01J2329/00
Abstract: 本发明提供一种耐热性高的薄膜型电子源。在包括衬底、在上述衬底的一个主表面一侧形成的下部电极、与上述下部电极相接触地形成的绝缘层、以及与上述绝缘层相接触地形成的上部电极的薄膜电子源中，上述上部电极为第1基础层、第2基础层、中间层、表面层的层积结构，上述第1基础层以IrO2或RuO2作为主要构成材料，上述第2基础层以Ir或Ru作为主要构成材料，上述中间层以从PtIr、PtRu、PtRh的组中选择的一种作为主要构成材料，上述表面层以从Au、Ag的组中选择的一种作为主要构成材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100403486C
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN02829411.4
申请日：2002-10-18
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01J29/481 , B82Y10/00 , H01J1/312 , H01J31/127 , H01J2201/3125
Abstract: 在薄膜型电子源阵列的作为向上部电极(13)供电的供电线的上部电极供电布线(16)之下形成第二层间绝缘层(15)来防止短路。而且，通过用第二层间绝缘层(15)限制电子发射部，覆盖在电子加速层(12)和第一层间绝缘层(14)的边界上偏析出来的缺陷，抑止长时间绝缘破坏。
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公开(公告)号：CN100399487C
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN02801378.6
申请日：2002-04-24
Applicant: 松下电工株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/304 , H01J1/312 , H01J9/022 , H01J9/025 , H01J2201/30446 , H01J2201/3125
Abstract: 在场致发射型电子源(10)中，在n-型硅衬底(1)上设置强场漂移层(6)和由金薄膜构成的表面电极(7)。在n-型硅衬底(1)的背面上设置欧姆电极(2)。加給直流电压，使表面电极(7)相对于欧姆电极(2)成为正极性。按照这种方式，自欧姆电极(2)通过n-型硅衬底(1)注入到强场漂移层(6)中的电子在该强场漂移层(6)内漂移，并通过表面电极(7)被发射到外面。强场漂移层(6)具有大量纳米级的半导体超微晶粒(63)，部分地由构成所述强场漂移层(6)的半导体层形成，还有大量绝缘膜(64)，每个膜都形成在每个半导体超微晶粒(63)的表面上，这些薄膜的厚度使得发生电子穿透现象。
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公开(公告)号：CN100369195C
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN03159791.2
申请日：2003-09-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/30 , G03F7/00
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/312 , H01J9/022 , H01J9/027 , H01J2237/31774 , H01J2237/31783
Abstract: 本发明提供了用于电子束投影式光刻系统的发射器和其制造方法。该电子束发射器包括一基板，一覆盖在基板上的绝缘层，及一门电极，它包括一以均匀厚度形成在所述绝缘层上的基层和一以预定图案在所述基层上形成的电子束阻挡层。一种制造方法包括以下步骤：准备基板；在所述基板上形成绝缘层；以预定厚度在所述绝缘层上淀积导电金属而形成一所述门电极的基层；以预定厚度在所述基层淀积能够阳极化的金属而形成一所述门电极的电子束阻挡层；及通过刻蚀在所述电子束阻挡层上刻蚀出预定的图案。所述发射器能够提供均匀电场并提供简化的制造方法。
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公开(公告)号：CN101055824A
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200710097045.5
申请日：2007-04-12
Applicant: 株式会社日立制作所
Inventor： 岩崎富生
CPC classification number: H01L28/65 , B82Y10/00 , H01J1/312 , H01J2329/00
Abstract: 本发明提供一种耐热性高的薄膜型电子源。在包括衬底、在上述衬底的一个主表面一侧形成的下部电极、与上述下部电极相接触地形成的绝缘层、以及与上述绝缘层相接触地形成的上部电极的薄膜电子源中，上述上部电极为第1基础层、第2基础层、中间层、表面层的层积结构，上述第1基础层以IrO2或RuO2作为主要构成材料，上述第2基础层以Ir或Ru作为主要构成材料，上述中间层以从PtIr、PtRu、PtRh的组中选择的一种作为主要构成材料，上述表面层以从Au、Ag的组中选择的一种作为主要构成材料。
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公开(公告)号：CN1757087A
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：CN200480006150.8
申请日：2004-03-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y10/00 , H01J1/312 , H01J9/022 , H01J9/025 , H01J31/125 , H01J2329/00
Abstract: 本发明的主要目的在于有效地提供一种具有与现有技术同等或更好的性能的电子发射元件。本发明的电子发射元件是备有：基底材料、设置在上述基底材料上的电极层、设置在上述电极层上的电子发射层、以及不接触上述电子发射层配置的控制电极层的电子发射元件，其特征在于：上述电子发射层包含在电场中发射电子的电子发射材料(20、30)，上述电子发射材料是有网状结构骨架的多孔体，网状结构骨架由内部和表面部构成，表面部包含电子发射成分(21、31)，内部被i)绝缘性材料及半绝缘性材料中的至少一种(22)，ii)空间(32)，或iii)绝缘性材料及半绝缘性材料中的至少一种及空间占有。
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