Electron-emitting source, electron-emitting element, and method of manufacturing electron-emitting source
    45.
    发明专利
    Electron-emitting source, electron-emitting element, and method of manufacturing electron-emitting source 审中-公开
    电子发射源,电子发射元件和制造电子发射源的方法

    公开(公告)号:JP2009032697A

    公开(公告)日:2009-02-12

    申请号:JP2008196587

    申请日:2008-07-30

    CPC classification number: H01J1/304 H01J3/021 H01J2201/30426 H01J2201/30453

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide: an electron-emitting source; an electron-emitting element; and a method of manufacturing an electron-emitting source. SOLUTION: This electron-emitting source has a carbon-based substance, and a deterioration-preventing substance for the carbon-based substance, wherein binding energy between the deterioration-preventing substance for the carbon-based substance and external oxygen is larger than that between the carbon-based substance and the external oxygen. This electron-emitting element is provided with the electron-emitting source. This manufacturing method is provided for manufacturing the electron-emitting source. Accordingly, the electron-emitting source can have excellent field-emission efficiency, and long life. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

    Abstract translation: 要解决的问题:提供:电子发射源; 电子发射元件; 以及制造电子发射源的方法。 解决方案:该电子发射源具有碳系物质和碳系物质的劣化防止物质,其中碳系物质的劣化防止物质与外部氧之间的结合能较大 比碳基物质和外部氧气之间的温度高。 该电子发射元件设置有电子发射源。 该制造方法用于制造电子发射源。 因此,电子发射源可以具有优异的场致发射效率和长的使用寿命。 版权所有(C)2009,JPO&INPIT

    Cold field emitter
    46.
    发明专利
    Cold field emitter 有权
    冷场发射器

    公开(公告)号:JP2008181876A

    公开(公告)日:2008-08-07

    申请号:JP2008010227

    申请日:2008-01-21

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a cold field electron emitter with an improved stability. SOLUTION: The stabilized cold field electron emitter is manufacture by forming a coating on an emitter and a base material. Since the coating protects the emitter from a suction of a residual gas and from an ion shock, the cold field emitter can demonstrate a stability in a comparatively high pressure for a short and long term and a moderate angle electron emission. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

    Abstract translation: 要解决的问题:提供具有改进的稳定性的冷场电子发射器。 解决方案:通过在发射极和基底材料上形成涂层来制造稳定的冷场电子发射体。 由于涂层保护发射器免受残留气体的吸入和离子冲击,所以冷场发射器可以在较短的一段长时间和中等角度的电子发射中表现出相当高的压力的稳定性。 版权所有(C)2008,JPO&INPIT

    冷陰極電子源及びその製造方法並びにそれを用いた発光素子
    47.
    发明申请
    冷陰極電子源及びその製造方法並びにそれを用いた発光素子 审中-公开
    冷阴极电子源,其制造方法和使用其的发光元件

    公开(公告)号:WO2008069243A1

    公开(公告)日:2008-06-12

    申请号:PCT/JP2007/073507

    申请日:2007-12-05

    Abstract:  カソード電極およびその上に形成された電子放出部を有する冷陰極電子源において、電子放出部に活性化処理された金属酸化物を用いる。活性化処理としては、テープピーリングによる起毛処理、レーザー光による照射処理、高電界印加処理等が挙げられる。レーザー光による照射処理や高電界印加処理を用いると、導電性を有さない金属酸化物を用いても、低い印加電圧でエミッション現象を発現させることができる。  カーボンナノチューブ等と比べて安価な金属酸化物をエミッタ材料として用いた冷陰極電子源を提供することができる。

    Abstract translation: 具有阴极和设置在阴极上并使用活化金属氧化物的电子发射部分的冷阴极电子源。 激光通过胶带剥离,通过施加激光束,通过施加高电场等而升高来进行。 如果使用激光应用或高电场应用,即使使用非导电金属氧化物,即使在低施加电压下也可能产生发光现象。 可以提供其中使用比碳纳米管更便宜的金属氧化物作为发射极材料的冷阴极电子源。

    MULTILAYER EMITTER ELEMENT AND DISPLAY COMPRISING SAME
    48.
    发明申请
    MULTILAYER EMITTER ELEMENT AND DISPLAY COMPRISING SAME 审中-公开
    多层发射器元件和包含它的显示器

    公开(公告)号:WO1998013849A1

    公开(公告)日:1998-04-02

    申请号:PCT/US1997017017

    申请日:1997-09-24

    CPC classification number: H01J1/3042 H01J2201/30426 Y10T428/2495

    Abstract: A field emitter element (10) comprising a bottom layer (14, 15) of material shaping the overall emitter element (10), and a top layer (16, 17) of low work function material or otherwise of high electron emissivity characteristic. The low work function top layer (16, 17) preferably is shaped to a sharp point. The bottom layer (14, 15) may be formed of a material such as tantalum, molybdenum, gold, or silicon (or alloys thereof), and the top layer (16, 17) may be formed of a material such as Cs, Cs2, CrSI2, Nbs2, Nb, C2O3 or SiC. In a specific aspect, at least one of the first and second emitter materials is chromium oxide (C2O3). In another variant, the first emitter material is an insulator of leaky dielectric, e.g., SiO with a 10 - 60 % C by weight based on the weight of SiO, and the second emitter material is SiO+50-90 % C by weight, based on the weight of SiO.

    Abstract translation: 包括形成整个发射体元件(10)的材料的底层(14,15)和低功函数材料的顶层(16,17)或具有高电子发射率特性的场发射极元件(10)。 低功函数顶层(16,17)优选地被成形为尖锐点。 底层(14,15)可以由诸如钽,钼,金或硅(或其合金)的材料形成,并且顶层(16,17)可以由诸如Cs,Cs2的材料形成 ,CrSI2,Nbs2,Nb,C2O3或SiC。 在具体方面,第一和第二发射体材料中的至少一个是氧化铬(C 2 O 3)。 在另一个变型中,第一发射极材料是漏电介质的绝缘体,例如基于SiO的重量,重量比为10-60%C的SiO,第二发射体材料为SiO + 50-90%C, 基于SiO的重量。

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