公开(公告)号：CN100505124C

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200410089821.3

申请日：2004-11-01

Applicant: 学校法人早稻田大学 ,  冲电气工业株式会社 ,  东京応化工业株式会社

Inventor： 逢坂哲弥 ,  小岩一郎 ,  桥本晃 ,  佐藤善美

IPC: H01G4/33 ,  H01G4/06 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01G4/33 ,  H01G4/008 ,  H01G4/1227 ,  H01G13/006 ,  H05K1/162 ,  H05K3/388 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2201/0179 ,  H05K2203/016 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/43 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49147 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/49165 ,  Y10T29/49169

Abstract: 本发明提供不损害高密度组装衬底的电特性和尺寸特性，可内置在衬底内、并且具有充分的电容的薄膜电容器、薄膜电容器内置型高密度组装衬底、以及薄膜电容器的制造方法。制造下述结构的薄膜电容器，作为半导体布线板的内置用无源部件使用：至少具有高介电层和从上下夹住它的上部电极层和下部电极层而构成，上述上部和下部电极层的触点部引出到上述上部电极之上，上述高介电层的膜厚为200nm-50nm。

公开(公告)号：CN101461293A

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200780020870.3

申请日：2007-05-25

Applicant: AB微电子有限公司

Inventor： B·黑格勒

IPC: H05K1/05 ,  H05K3/28 ,  H05K3/44

CPC classification number: H05K1/053 ,  C03C3/064 ,  C23C4/18 ,  H05K1/092 ,  H05K2201/0116 ,  H05K2201/017 ,  H05K2201/0179 ,  H05K2203/1147 ,  H05K2203/1366 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/49146

Abstract: 一种电路载体，其包括金属的载体层，在载体层上至少局部设置介电层，该介电层具有许多细孔，细孔至少在介电层的背离载体层的一侧用玻璃密封。

公开(公告)号：CN101310385A

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200680039953.2

申请日：2006-09-05

Applicant: 新加坡科技研究局

Inventor： 卢志伟 ,  陆汶庆

IPC: H01L27/00 ,  H01L21/77 ,  H01G4/33

CPC classification number: H05K1/162 ,  H01L23/50 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2924/3011 ,  H05K1/112 ,  H05K3/4644 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2201/0179 ,  H05K2201/09509

Abstract: 一种宽带电源去耦的基板结构和方法包括一个或多个嵌入电容器，每个嵌入电容器包括铁电材料。

公开(公告)号：CN101180714A

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200680003398.8

申请日：2006-01-26

Applicant: 阿德文泰克全球有限公司

Inventor： 托马斯·P·布罗迪 ,  约瑟夫·A·马尔卡尼奥

IPC: H01L21/4763

CPC classification number: H01L21/768 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/76802 ,  H05K1/0393 ,  H05K3/143 ,  H05K3/4076 ,  H05K3/467 ,  H05K2201/0179 ,  H05K2203/1545

Abstract: 本发明公开一种多层式电子器件，包括：绝缘基板(212)；气相沉积的第一导体层(312)，其位于所述绝缘基板(212)上；气相沉积的第一绝缘层(314)，其位于所述第一导体层(312)上，所述第一绝缘层(314)中具有至少一个过孔(316)；以及气相沉积的导电填充剂(320)，其位于所述第一绝缘层(314)的过孔(316)中。优选的是，所述导电填充剂(320)沉积在所述第一绝缘层(314)的过孔(316)中，使得所述导电填充剂(320)的与所述第一导体层(312)相对的表面相对于所述第一绝缘层(314)的与所述第一导体层(312)相对的表面基本上共面。

公开(公告)号：CN101151688A

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200580041951.2

申请日：2005-12-07

Applicant: M-富多富莱电子公司

Inventor： R·W·威特克 ,  J·D·格拉 ,  奇普里安·马克西

IPC: H01F27/28

CPC classification number: H01F27/266 ,  H01F17/0033 ,  H01F17/062 ,  H01F19/04 ,  H01F27/2804 ,  H01F41/046 ,  H01F2017/002 ,  H05K1/165 ,  H05K1/189 ,  H05K3/389 ,  H05K3/429 ,  H05K3/4644 ,  H05K2201/0179 ,  H05K2201/086 ,  H05K2201/097 ,  H05K2201/09809 ,  H05K2201/10416 ,  Y10T29/49124 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/49156 ,  Y10T29/49165

Abstract: 本发明揭示微型电路和电感器组件，其中多层印刷电路形成在支撑面板的各侧面上，所述支撑面板通常为印刷电路板或硬软合板。多个镀敷的通孔导体提供所述多层电路与围绕磁性部件的多个绕组之间的电连接。较小的通孔开口容纳多个所述镀敷的通孔导体，因为由例如具有高介电强度的聚对二甲苯的真空沉积的有机层的非常薄的层使所述镀敷的通孔导体彼此绝缘。通过首先将粘附性促进剂施加到所述有机层的表面，接着进行所述有机层的真空沉积，将此经镀敷的铜粘附到所述有机层。

公开(公告)号：CN101091422A

公开(公告)日：2007-12-19

申请号：CN200680001549.6

申请日：2006-02-23

Applicant: 株式会社创研

Inventor： 川上孝 ,  佐草信之

IPC: H05K3/28 ,  H05K1/11 ,  H05K3/18

CPC classification number: H05K3/28 ,  H05K1/03 ,  H05K1/0366 ,  H05K1/038 ,  H05K1/0393 ,  H05K3/184 ,  H05K3/241 ,  H05K3/4614 ,  H05K3/4635 ,  H05K2201/0116 ,  H05K2201/0154 ,  H05K2201/0179 ,  H05K2201/029 ,  Y10T29/49155

Abstract: 本发明的目的在于得到非常柔软的印刷基板。本发明的上述目的通过在由非导电性材料构成的多孔质薄片或者箔上形成的、由导电性材料构成的电路图案上通过蒸镀聚合法形成有机高分子膜作为绝缘薄膜的印刷基板，或者，具有以下步骤的印刷基板的制造方法来实现：在非导电性的多孔质薄片或者箔上形成光敏抗蚀剂层；在上述规定的光敏抗蚀剂层上通过进行曝光、显影来形成规定电路图案；在上述电路图案上镀敷导电性材料；除去上述光敏抗蚀剂层；在由上述导电性材料构成的电路图案上通过蒸镀聚合法蒸镀有机高分子材料作为绝缘薄膜。

公开(公告)号：CN101003434A

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：CN200610137373.9

申请日：2006-10-20

Applicant: E.I.内穆尔杜邦公司

Inventor： W·J·伯兰德 ,  J·F·伊勒菲尔德 ,  J·-P·马丽亚

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/624 ,  H01G4/12 ,  H01G4/33

CPC classification number: C01G23/006 ,  C01G25/00 ,  C01P2006/42 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/49 ,  C04B35/632 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/663 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1241 ,  C23C18/1279 ,  C23C18/1295 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/33 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/55 ,  H05K1/162 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2201/0179 ,  H05K2201/0355

Abstract: 揭示了高电容率(介电常数)、薄膜CSD钛酸钡基电介质组合物，该组合物中的钛部分地被锆、锡或铪取代。该组合物表现出能够更好地满足X7R需要的电容随温度的变化。

公开(公告)号：CN1315138C

公开(公告)日：2007-05-09

申请号：CN99124488.5

申请日：1999-11-23

Applicant: 微涂层技术公司

Inventor： A·T·亨特 ,  J·S·弗拉纳甘 ,  G·A·纽曼 ,  T·J·黄 ,  H·G·霍尼斯 ,  W-Y·林 ,  M·亨德里克

IPC: H01G4/08 ,  H01G4/005

CPC classification number: H05K1/162 ,  H01G4/085 ,  H05K3/388 ,  H05K3/467 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2201/0179 ,  H05K2201/0317 ,  H05K2201/0355 ,  H05K2201/09309

Abstract: 本发明涉及形成薄膜电容器，该薄膜电容器是由第一柔性金属层、淀积在其上的厚度约是0.03至约2微米的介电层和淀积在介电层上的第二柔性金属层形成。第一柔性金属层是金属箔，例如铜、铝或镍箔，或者是淀积在聚合物支持板上的金属层。这些层是通过燃烧化学气相淀积或控制气氛的化学气相淀积法淀积的。

公开(公告)号：CN1894758A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200480037296.9

申请日：2004-12-14

Applicant: 摩托罗拉公司

Inventor： 罗伯特·T·克罗斯韦尔 ,  格雷戈里·J·杜恩 ,  罗伯特·B·伦普科夫斯基 ,  阿伦·V·通加雷 ,  约维察·萨维奇

IPC: H01G4/20

CPC classification number: H05K1/162 ,  H05K3/0029 ,  H05K3/025 ,  H05K3/384 ,  H05K3/429 ,  H05K3/4652 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2201/0179 ,  H05K2201/0355 ,  H05K2201/09309 ,  H05K2201/09509 ,  H05K2201/09718

Abstract: 嵌入到印刷电路结构中的多个电容器之一包括：第一电极(415)，覆盖在印刷电路结构的第一衬底层(505)之上；晶体化介电氧化物核(405)，覆盖在第一电极之上；第二电极(615)，覆盖在晶体化介电氧化物核之上；以及高温抗氧化剂层(220)，位于晶体化介电氧化物核与第一和第二电极中至少一个之间，并且同晶体化介电氧化物核与第一和第二电极中至少一个相接触。所述晶体化介电氧化物核的厚度小于1微米，电容密度大于1000pF/mm2。多个电容器中每个的材料和厚度都相同。晶体化介电氧化物核可与多个电容器中所有其他电容器的晶体化介电氧化物核相隔离。

公开(公告)号：CN1681056A

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：CN200510055192.7

申请日：2000-04-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 本田和义 ,  越后纪康 ,  小田桐优 ,  杉本高则

IPC: H01G4/38 ,  H01G4/33 ,  H01L21/02 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01G4/33 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/50 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3011 ,  H05K1/0231 ,  H05K1/0289 ,  H05K1/141 ,  H05K1/162 ,  H05K3/0026 ,  H05K3/403 ,  H05K3/467 ,  H05K2201/0179 ,  H05K2201/049 ,  H05K2201/09236 ,  H05K2201/10734

Abstract: 本发明涉及电子部件的制造方法，具有重复层叠金属薄膜和电介质薄膜的工序，在层叠了金属薄膜后，层叠有开口的电介质薄膜，通过再层叠金属薄膜覆盖上述开口，形成通过上述开口导电性地连接多个上述金属薄膜的贯通电极。