公开(公告)号：CN113215409A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202110508114.7

申请日：2017-03-15

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 伊藤顺一 ,  荒川淳一 ,  横田拓也 ,  樋口直树

IPC: C22B7/00 ,  B09B3/00 ,  C22B23/00 ,  C22B3/04 ,  C22B3/30 ,  C22B3/38 ,  C22B3/44 ,  C22B15/00 ,  C22B21/00 ,  C22B26/12 ,  C22B47/00 ,  H01M10/54

Abstract: 本发明的锂离子电池废料的处理方法包括以下工序：浸出工序，对锂离子电池废料进行浸出，并对由此得到的浸出后液体进行固液分离，而得到第一分离后液体；脱铁工序，向第一分离后液体中添加氧化剂，将第一分离后液体的pH调整为3.0～4.0的范围内，其后进行固液分离，将第一分离后液体中的铁去除而得到第二分离后液体；及脱铝工序，将第二分离后液体中和至pH4.0～6.0的范围内之后，进行固液分离，将第二分离后液体中的铝去除而得到第三分离后液体。

公开(公告)号：CN110462077B

公开(公告)日：2021-08-03

申请号：CN201880022121.2

申请日：2018-03-23

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 中妻宗彦 ,  高桥知亮

IPC: C22C9/06 ,  H01B1/02 ,  C22F1/00 ,  C22F1/08

Abstract: 本申请发明的目的在于：提供在提高强度的同时减少蚀刻后的表面凹凸、并提高蚀刻后的尺寸精度的Cu‑Ni‑Si系铜合金条。本申请发明的Cu‑Ni‑Si系铜合金条是含有1.5～4.5质量%的Ni、0.4～1.1质量%的Si的Cu‑Ni‑Si系铜合金条，电导率为30%IACS以上，拉伸强度为800MPa以上，关于欧拉角(φ1、Φ、φ2)，所有欧拉角的晶体取向的极密度均为12以下，以轧制平行方向作为长度方向切出宽度20mm×长度200mm的试验片，当使用已调整至波美度47的液温40℃的氯化铁水溶液进行半蚀刻时，距离蚀刻前的长度方向的翘曲量的变化∆b为6mm以下。

公开(公告)号：CN112930618A

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN201980071137.7

申请日：2019-10-25

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 后田智也 ,  山田敬祐 ,  冈岛伸明

IPC: H01M10/54 ,  B09B5/00 ,  C01G53/00 ,  C22B3/04 ,  C22B3/06 ,  C22B5/10 ,  C22B7/00 ,  C22B23/00 ,  C22B26/12 ,  C22B47/00 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525

Abstract: 一种对锂离子二次电池的包含钴、镍、锰和锂的正极活性物质废弃物进行处理的方法，其具有以下工序：碳混合工序，其将粉末状的所述正极活性物质废弃物与碳混合，得到所述正极活性物质废弃物和碳的合计质量中的碳的质量比率成为10％～30％的混合物；焙烧工序，其将所述混合物在600℃～800℃的温度下进行焙烧而得到焙烧粉末；锂溶解工序，其包括使所述焙烧粉末中的锂溶解于水或含锂溶液的第一溶解过程、及使在所述第一溶解过程中得到的残渣中的锂溶解于水的第二溶解过程；以及酸浸出工序，其用酸将在所述锂溶解工序中得到的残渣浸出。

公开(公告)号：CN108220892B

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN201711189275.4

申请日：2015-08-06

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 高村博 ,  铃木了

IPC: C23C14/34

Abstract: 本发明涉及溅射靶‑背衬板接合体。一种溅射靶‑背衬板接合体，其为使用焊接材料将溅射靶和背衬板接合而得到的溅射靶‑背衬板接合体，其特征在于，将溅射靶和背衬板之间的焊接材料的外周用熔点为600～3500℃且轴向截面形状为圆形、椭圆形或矩形的线状材料覆盖。本发明提供有效地抑制在使用焊接材料接合溅射靶和背衬板的情况下的由焊接材料在溅射靶和背衬板之间露出引起的电弧放电产生、粉粒产生的技术。

公开(公告)号：CN109385554B

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN201810872065.3

申请日：2018-08-02

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 坂东慎介

IPC: C22C9/00 ,  C22C9/02 ,  C22C9/04 ,  C22C9/06 ,  C22F1/08 ,  H05K1/09

Abstract: 本发明提供一种弯曲性优异的柔性印刷基板用铜箔。所述柔性印刷基板用铜箔是包含99.0质量%以上的Cu、余量的不可避免的杂质的轧制铜箔，铜箔表面的I(111)/I0(111)、I(200)/I0(200)、I(220)/I0(220)和I(311)/I0(311)的4个集合度之中形成最高值的最大集合度为5以下，导电率为75%以上。

公开(公告)号：CN109504873B

公开(公告)日：2021-02-12

申请号：CN201811050851.1

申请日：2018-09-10

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 北川宽之

IPC: C22C9/06 ,  C22F1/08

Abstract: 本发明提供模具磨损性优异的Cu‑Ni‑Si系铜合金。Cu‑Ni‑Si系铜合金，以质量％计，含有Ni：2.0～5.0％、Si：0.3～1.5％，Ni/Si比为1.3以上且6.7以下，且剩余部分由Cu和不可避杂质构成，0.2％耐力YS为700MPa以上，直径0.5～0.6μm的第1 Ni‑Si粒子为0.04×103～1.4×103个/mm2，直径不足0.5μm的第2 Ni‑Si粒子的个数为前述第1 Ni‑Si粒子的个数以上且不足4.0×103个/mm2。

公开(公告)号：CN108884557B

公开(公告)日：2020-12-08

申请号：CN201780020247.1

申请日：2017-03-23

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 古谷祐树

IPC: C23C14/34 ,  C22C19/07

Abstract: 本发明提供一种氧化物粒子分散型强磁性材料溅射靶，其具有能够有效地减少由氧化物粒子引起的异常放电、粉粒产生的微细结构。在以金属或合金的形式含有0摩尔％以上且45摩尔％以下的Pt、55摩尔％以上且95摩尔％以下的Co、0摩尔％以上且40摩尔％以下的Cr，还含有至少两种以上氧化物的烧结体溅射靶中，使得氧化物存在于金属或合金中，且氧化物的个数密度的标准偏差为2.5以下。

公开(公告)号：CN108699677B

公开(公告)日：2020-12-04

申请号：CN201780011757.2

申请日：2017-01-04

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 小庄孝志

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/06 ,  G11B5/64 ,  G11B5/851 ,  H01F10/14 ,  H01F41/18

Abstract: 一种溅射靶或膜，其特征在于，包含选自FeO、Fe3O4、K2O、Na2O、PbO、ZnO中的任意一种以上的氧化物为0.1摩尔％～10摩尔％，Pt为5摩尔％～70摩尔％，剩余部分包含Fe。本发明的课题在于提供能够大幅减少由非磁性材料引起的粉粒、并且能够显著提高成膜时的成品率的溅射靶。由此，能够进行品质良好的磁记录层的成膜，并且能够改善磁记录介质的成品率等。

公开(公告)号：CN111792919A

公开(公告)日：2020-10-20

申请号：CN202010534063.0

申请日：2014-03-04

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 高见英生 ,  中村祐一郎 ,  荒川笃俊 ,  荻野真一

IPC: C04B35/04 ,  C04B35/46 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645 ,  C23C14/34

Abstract: 本发明涉及MgO-TiO烧结体靶及其制造方法。一种MgO-TiO烧结体，其含有25～90摩尔％TiO，其余包含MgO和不可避免的杂质。本发明的课题在于提供一种成膜速度快、且能够进行粉粒产生少的直流(DC)溅射的高密度靶及其制造方法。

公开(公告)号：CN111669898A

公开(公告)日：2020-09-15

申请号：CN202010147685.8

申请日：2020-03-05

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 工藤雄大

IPC: H05K3/02 ,  H05K1/09 ,  H05K1/02

Abstract: 本发明的课题是提供无论制造柔性覆铜层叠板时的加热条件如何均能够稳定地获得弯曲性、尤其是折叠性优异的用于柔性印刷基板的压延铜箔、柔性覆铜层叠板和柔性印刷电路基板。该课题的解决方案是用于柔性印刷基板的压延铜箔，其包含99.0质量%以上的Cu，且余量由不可避免的杂质构成，通过耗用5秒钟以上从25℃加热至达到350℃为止再以350℃保持30分钟的加热模式A或者耗用1秒钟从25℃达到350℃的加热模式B进行大气加热后，通过压延面的X射线衍射而求出的（200）面的强度（I）相对于通过微粉铜的X射线衍射而求出的（200）面的强度（I0）为I/I0≥45。