公开(公告)号：FR3121544A1

公开(公告)日：2022-10-07

申请号：FR2103351

申请日：2021-03-31

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： CREMER SEBASTIEN

IPC: H01B17/36

Abstract: Structure d'isolation thermique et électrique La présente description concerne un procédé de réalisation d'un dispositif électronique (1) comprenant une première plaquette (13) comportant au moins une tranchée et une deuxième plaquette, la deuxième plaquette étant collée, par collage hybride, sur la première plaquette, de sorte à former, au niveau de la tranchée au moins un espace clos (11), vide ou rempli d'un gaz. Figure pour l'abrégé : Fig. 1

公开(公告)号：FR3120138A1

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：FR2101744

申请日：2021-02-23

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： ARNAUD ARTHUR

IPC: G02B5/02 ,  G02B27/00 ,  H01L21/302 ,  H01L27/146

Abstract: Dispositif optique La présente description concerne un dispositif optique (1) comprenant une couche (100) ayant une face (104) configurée pour être traversée par de la lumière à une longueur d'onde de fonctionnement du dispositif optique, dans lequel la face (104) comprend une structure fractale (108) dépourvue de symétrie de révolution, la structure fractale (108) comprenant des évidements (110) pénétrant dans la couche (100) sur une partie seulement de l'épaisseur de la couche. Figure pour l'abrégé : Fig. 1

公开(公告)号：FR3102633B1

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：FR1911935

申请日：2019-10-24

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： CROCHERIE AXEL

IPC: H04N5/33 ,  H01L27/146

Abstract: Capteur d'images La présente description concerne un capteur d'images (1) comprenant des pixels (3) comportant chacun une région de photoconversion (5) en silicium entourée d'au moins un matériau d'indice de réfraction inférieur à l'indice de réfraction du silicium, l'interface (7, 11, 13, 15, 23, 25, 27, 29) entre la région de photoconversion (5) du pixel (3) et ledit matériau étant configurée pour qu'au moins un rayon (45) atteignant la région de photoconversion (5) du pixel (3) subisse au moins une réflexion totale sur cette interface (23, 25, 27, 29). Figure pour l'abrégé : Fig. 1

公开(公告)号：FR3096855B1

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：FR1905868

申请日：2019-06-03

Applicant: ST MICROELECTRONICS GRENOBLE 2 ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： MALINGE PIERRE ,  LALANNE FREDERIC ,  SIMONY LAURENT

IPC: H04N5/353 ,  H01L27/146 ,  H04N5/3745

Abstract: Capteur d'image et son procédé de commande La présente description concerne un capteur d'image comprenant des pixels (1) comportant chacun :un premier transistor (118) et un premier interrupteur (120) connectés en série entre un premier noeud (124) d'application d'un potentiel (VD) et un noeud (122) interne du pixel, une grille du premier transistor (118) étant couplée à un noeud (106) de diffusion flottant du pixel ;un élément capacitif (110) dont une première borne est connectée au noeud de diffusion flottant du pixel ; et plusieurs ensembles (A, B) comprenant chacun une capacité (128) connectée en série avec un deuxième interrupteur (130) reliant la capacité au noeud interne (122),le capteur comprenant en outre un circuit (150) configuré pour, lors de chaque mémorisation d'une tension dans un des ensembles (A, B) d'un pixel, commander une augmentation d'une valeur déterminée d'une différence de potentiel entre le noeud de diffusion flottant et le noeud interne du pixel. Figure pour l'abrégé : Fig. 1

公开(公告)号：FR3108784B1

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：FR2003147

申请日：2020-03-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： ROY FRANCOIS

IPC: H01L27/148

Abstract: Dispositif à couplage de charges La présente description concerne un dispositif (100) à couplage de charges comprenant : un réseau d'électrodes isolées (123) pénétrant verticalement dans un substrat semiconducteur (101), le réseau comprenant des rangées d'électrodes longitudinales (123) et transversales alternées, chaque extrémité d'une électrodes longitudinale (123) d'une rangée étant en regard et séparée d'une portion d'une électrode transversale adjacentes de ladite rangée ; et des murs (126) d'isolation électrique parallèles entre eux et aux électrodes longitudinales, les murs (126) pénétrant verticalement dans le substrat (101) plus profondément que les électrodes longitudinales (123) et au moins deux rangées adjacentes d'électrodes (123) étant disposées entre chaque deux murs (126) successifs. Figure pour l'abrégé : Fig. 7

公开(公告)号：FR3114189A1

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：FR2009212

申请日：2020-09-11

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： CROCHERIE AXEL ,  MONFRAY STÉPHANE

IPC: H01L31/0232 ,  H01L31/18

Abstract: Dispositif électronique comprenant : une région semiconductrice photosensible configurée pour être illuminée par une face arrière, comprenant une face avant opposée à la face arrière, un réseau périodique de plots, comprenant un premier matériau, formé sur la face avant, ayant un contour présentant un motif périodique paramétré par des dimensions caractéristiques, ledit contour formant une interface entre le premier matériau et un deuxième matériau, le deuxième matériau ayant un indice optique différent d’un indice optique du premier matériau. Les dimensions caractéristiques du motif périodique sont inférieures à une longueur d’onde d’intérêt et configurées pour produire une réflexion de lumière sur l’interface, à la longueur d’onde d’intérêt, vers la région semiconductrice photosensible. Figure de l’abrégé : Fig 1

公开(公告)号：FR3114169A1

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：FR2009213

申请日：2020-09-11

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： LE NEEL OLIVIER ,  ZOLL STÉPHANE ,  MONFRAY STÉPHANE

IPC: G02B5/10 ,  H01L21/02

Abstract: Filtre optique (FLT1) comportant : une couche de support (CS) comprenant un premier matériau (MAT1), un réseau périodique (RP) de plots disposés sur la couche de support selon un motif périodique paramétré par des dimensions caractéristiques (H, D, P), les plots comprenant un deuxième matériau (MAT2), une couche comprenant un troisième matériau (MAT3) englobant le réseau périodique de plots et recouvrant la couche de support, le troisième matériau ayant un indice optique différent d’un indice optique du deuxième matériau. Dans lequel les dimensions caractéristiques du réseau périodique de plots sont inférieures à une longueur d’onde parasite et configurées pour réfléchir sélectivement la lumière à la longueur d’onde parasite sur le réseau périodique de plots. Figure pour l’abrégé : Fig 1E

公开(公告)号：FR3112242A1

公开(公告)日：2022-01-07

申请号：FR2007058

申请日：2020-07-03

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： INARD ALAIN ,  BARLAS MARIOS

IPC: H01L25/075

Abstract: Isolation de photodiodes La présente description concerne un dispositif optoélectronique comprenant au moins une photodiode, au moins une partie d'une zone active (14) de chaque photodiode étant séparée d'une photodiode voisine par un premier mur (18) comprenant un cœur conducteur et une gaine isolante et par un deuxième mur d'isolement optique (36). Figure pour l'abrégé : Fig. 1A

公开(公告)号：FR3105577B1

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：FR1914700

申请日：2019-12-18

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： ROY FRANÇOIS

IPC: H01L27/146 ,  H01L29/732 ,  H01L31/18

Abstract: Un capteur d’image destiné à recevoir un éclairement par une face arrière (FAr) d’un substrat semiconducteur opposée à une face avant (FAv) du substrat, comporte au moins un pixel (PX) comprenant une pluralité de régions photosensibles dopées (S1, S2, S3) et superposées verticalement (Z) dans le substrat entre la face arrière (FAr) et la face avant (FAv). Chaque région photosensible (S1, S2, S3) est encadrée latéralement par une grille annulaire verticale (PG1, PG2, PG3) respective. Un circuit de commande (CMD) est configuré pour polariser les grilles annulaires verticales (PG1, PG2, PG3) pendant une phase d’intégration, de façon à générer un potentiel électrostatique (E) comprenant des puits de potentiel (PT1, PT2, PT3) dans la partie centrale du volume de chaque région photosensible (S1, S2, S3) et une barrière de potentiel (BR12, BR23) à chaque interfaces (I12, I23) entre deux régions photosensibles voisines. Figure pour l’abrégé : Fig 1

公开(公告)号：FR3103318B1

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：FR1912793

申请日：2019-11-15

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： JIMENEZ MARTINEZ JEAN

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/425 ,  H01L21/77 ,  H01L21/8222 ,  H01L29/70

Abstract: L’invention concerne un circuit intégré comprenant un transistor de type semiconducteur à oxyde métallique à diffusion latérale de type N, dit transistor NLDMOS (21), comprenant une région active (27) semiconductrice de substrat (22) présentant une conductivité de type P, dans lequel le circuit intégré comprend en outre sous la région active (27) de substrat, une région semiconductrice enterrée (38) présentant une conductivité de type N+ plus fortement dopée que la région active (27) de substrat. Figure pour l’abrégé : Fig 2